分别在Schwarzschild和Kruskal坐标中给出整体正规Schwarzschild时空的Newman-Penrose表述,结果表明这种时空有整体代数性质,它是Petrov D型,对Weyl张量的标架分量、自旋系数和零矢量的行为也作了讨论。

本文用脉冲电场光电流光谱的实验方法测定Ne原子ns＇(n=15—31)和nd＇(n=13—30)两通道的35条自电离态能级,用参数拟合得出Ne原子ns＇和nd＇通道的电离阈值,计算了每条能级的量子亏损,实验用脉冲电场代替直流放电,基本上消除了Stark效应在光电流光谱测量中的影响。

本文对采用一个反射率随光强而变的非线性反射镜进行被动锁模的激光器提出一个涨落模型,并用此模型对Nd:YAG激光器改变各种参量,对两种非线性晶体(KTP和KDP)进行计算机模拟,根据模拟计算预言了实现完善锁模的最佳条件和激光器的最佳参量。

本文利用密度矩阵形式的Bloch方程和Maxwell方程耦合,讨论了相干光脉冲在共振强损耗介质中的传输过程,同时考查了脉冲演化和对介质的影响,得到了脉冲面积的阶跃式下降和空间损耗粒子数的周期振荡等强损耗条件下特有的瞬态相干现象。

研究在掺杂n-i-p-i的抛物多量子阱结构中,由于非简谐修正项所导致的子带间光学二次非线性响应(对应于x(2)),计算表明,x(2)比GaAs体材料高一至二个数量级,而其共振跃迁频率位于中红外区域。

根据由半经典Maxwell-Bloch方程模拟的单模注入信号激光的稳定性判据,讨论系统的稳定性问题,着重分析系统Hopf失稳时所对应参数区域的整体结构,并解析地得到不稳定区的边界,发现并讨论了主动腔情况下的完整双稳输出及这种输出产生的条件。

本文求解了一个圆形夹杂物对裂纹尖端应力场的影响,计算了反平面切变问题经典的应力场和应力强度因数,进而求得了非局域应力场,得到非奇异的裂纹尖端应力的解析表达式,讨论了解的应用。

建立了一个用于研究Al等离子体中的离子丰度和辐射损失的碰撞辐射模型,模型考虑了碰撞电离和复合,碰撞激发和退激发,辐射复合和自发辐射跃迁等原子过程,在恒离子密度和光性薄近似下,讨论了该模型给出的离子丰度和辐射损失的动态结果。

使用基于锂原子与电子碰撞激励产生荧光以测量电子密度的新方法,并用CCD摄象机和S20光电倍增管同时观察了锂原子6708?(2P0—2S)的荧光信号,并从光强分布曲线推算出电子密度的径向分布。

本文从粒子间的电离、复合、激发和去激发等基本相互作用出发,解释了实验中观察到的各类三稳现象,并对更为复杂的现象如分岔、混沌等作了讨论。

本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相位变化,而在[011]方位观测时,其相位的变化不明显,结合Si(111)面的RHEED强度摇摆曲线测量结果,表明这种与电子衍射条件有关的振荡特性变化,实际上反映了由电子多重散射机理引起的RHEED强度振荡两种情形,对RHEED强度的初始瞬态响应机理也作了探讨。

本文用反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡研究了不同生长温度下Si(111)分子束外延的生长动力学过程,生长温度高于520℃(生长速率约0.15?/S)时,Si(111)外延为“台阶流”生长模式,生长温度低于475℃时,外延为“二维成核”双原子层生长模式,在较低温,甚至室温时,其外延仍为双原子层模式,但是镜向弹性散射束振荡和非弹性散射束振荡的叠加会造成RHEED强度在生长的最初阶段出现“类单原子层”模式的振荡特性。

本文应用紧束缚模型和单电子理论研究了几种小分子在Pd(100)面上的共吸附特性,结果表明:在Pd(100)面上两个吸附分子(或吸附原子)间的间接相互作用随吸附质与衬底之间的耦合强度的减小呈现振荡性衰减的趋势,并且,当O2或H2存在时,NO在Pd(100)面上的解离将受到影响,此外,根据两吸附质之间的间接相互作用,推断出一些吸附层结构,这些结果与实验结果作了比较。

本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于

应用直流弧光放电分解CH4和H2混合气体成功地实现了高速生长多晶金刚石膜,应用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、Raman谱仪对所得样品进行检测和分析,为了弄清楚金刚石膜的生长机理,在实际生长环境下“原位”测量了不同条件下直流弧光等离子体的光发射谱,结果发现:高速生长金刚石膜的关键是该气相反应中有大量的原子H存在。

本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。

本文用 11B(p,a)8 Be(Er=163keV)核反应分析方法,研究不同生长温度和退火温度对a-SiC:H(B)/a-Si:H异质结构中B原子浓度剖面分布的影响,由B原子浓度剖面分布的变化,分别估算了B在a-Si:H生长和退火过程中的扩散系数,结合电导率随膜厚度变化的测量,并依据最新提出的热平衡缺陷观点,对B的扩散过程作了分析。

本工作用俄歇电子能谱(AES)测定K在Cu(111)表面上的覆盖度,用Kelvin探头测量表面功函数的变化,得出功函数依赖于K覆盖度的关系曲线,功函数最大变化值△φmax=3.14eV,功函数最小时的覆盖度θmin=0.18,初始偶极矩p(0)=7.0Debye,实验结果与武汝前等人的理论模型相一致。

本文应用线性化缀加平面波(WLAPW)方法自洽地计算了Nd2CuO4的电子结构,由于局域的Nd4f电子与导带电子的相互作用(杂化),使Cu—O(1)的dp带在高于Fermi能0.18ev处出现了峰值≈4state/eV·cell的态密度(DOS)峰,可能用来说明Nd2-xCexCuO4随x变化而出现的超导电性转变。

测量了Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体多晶样品在不同外磁场和不同温度下的磁滞性质,利用临界态方程求出有效钉扎力随外磁场及温度的变化,有效钉扎力包括晶粒界面处及晶粒内的贡献,发现有效钉扎力有峰效应,峰位置随温度降低向较高磁场移动,峰效应被解释为两种钉扎机制产生的,即两种机制的贡献与外磁场的关系不同,还讨论与这些结果有关的问题。

成功地制成了FeSi/Si非晶态成分调制膜,固定Si层厚度,系统改变FeSi层厚度dm发现,随dm下降,饱和磁化强度Ms单调减小,这主要是死层效应的贡献,OK下死层厚度约为5.8?,随dm减小,调制膜逐渐由三维磁性转变为二维磁性,表现为出现低磁滞和无磁滞效应,线性的Ms(T)-T关系和Curie温度Tc的单调下降,Tc满足如下关系:△Tc
. 1990 39(12): 2005-2010. 刊出日期: 1990-06-05 ]]>

成功地制成了FeSi/Si非晶态成分调制膜,固定Si层厚度,系统改变FeSi层厚度dm发现,随dm下降,饱和磁化强度Ms单调减小,这主要是死层效应的贡献,OK下死层厚度约为5.8?,随dm减小,调制膜逐渐由三维磁性转变为二维磁性,表现为出现低磁滞和无磁滞效应,线性的Ms(T)-T关系和Curie温度Tc的单调下降,Tc满足如下关系:△Tc
. 1990 39(12): 2005-2010. Published 1990-06-05 ]]> 1990-06-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1990 39(12): 2005-2010. article doi:10.7498/aps.39.2005 10.7498/aps.39.2005 39 12 1990-06-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.2005 2005-2010 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.39.2011

运用Kronig-Penney模型的新形式,研究了超晶格子带间光跃迁的频率、带宽和跃迁强度,用GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱材料做了关于红外吸收的实验,理论与实验符合较好。

低能离子在固体表面上反射,对于理解等离子体与聚变堆第一壁相互作用是十分重要的,当离子能量低于千电子伏以下时,表面位垒对离子反射的影响逐渐变得重要起来,本文应用轻离子输运双群模型,考虑了直方表面位垒对输运方程边界条件的影响,得到考虑了位垒影响的离子反射系数,结果表明,当离子能量下降到10倍固体表面位能以下,由于表面位能将引起轻离子反射系数明显减少。

本文采用化学吸附的格林函数理论和复能量积分方法研究H在担载式催化剂ZnO/Ni上的化学吸附,使用由s轨道和p轨道交迭排列的有限原子链和由d轨道组成的半无限原子链,以描述半导体ZnO和金属Ni构成的复合衬底,用Koster-Slater模型来表示杂质原子,分别研究了化学吸附能随ZnO层厚度的变化和化学吸附能与掺杂的关系,结果表明:1)H的化学吸附能随ZnO层数的增加而单调地减小;2)在Ni中掺入杂质Cu和Pt会削弱H的化学吸附,而掺入Co和W将加强H的吸附;3)Ni中的杂质位于界面附近时对化学吸附能的影响最