本文应用随机统计理论方法获得了一二能级原子系综在多模压缩光驱动下的共振辐射光谱。对应于光场起伏的不同压缩程度,辐射光谱的中峰出现亚自然线宽与超自然线宽现象。它的边峰在任意情况下都被展宽,而且当光场起伏的压缩方向与光场振幅的相干激发方向不平行或不垂直时,辐射光谱均呈现不对称分布。

利用电热法将含金物质加热,产生Au原子束,再以两束UV脉冲激光垂直照射,将处于基态的Au原子共振激发至高Rydberg态。滞后于激光脉冲200ns的高压脉冲电场(6500V/cm)加到反应区,使处于Rydberg态的Au原子电离。激光波长在一定范围内扫描,共测出了Au原子的n2D3/2(n=18—38)和n2S1/2(n=21—34;36—38)两通道的38条能级的位置。用参数拟合得到2D3/2和2S1/2两系列的极限分别为:ED=74409.8(3)cm-1,ES=74410.0(2)cm-1,计算了每条能级的量子亏损。我们的实验还证明了场电离是一种十分有效的电离手段,比用通常的激光光电离效率要高得多。这在共振电离谱学(RIS)的研究中是一种很有效的方法。

从Hartree-Slater(H-S)自洽场理论出发,考虑了H-S自洽场理论所忽略的残余作用。以Ne原子和Ne+离子K壳层近阈光电离截面及其比值的计算为例,讨论了残余作用的影响,并和实验进行了比较。

本文应用平均物重整化群方法对于具有非晶化表面的半无限伊辛铁磁系统,在有表面无规场存在的情形,其表面磁性的临界性质包括临界温度、三临界点以及重入现象的可能性作了详细的研讨。

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si{001}2×1表面新的原子结构模型。新结构模型包括二聚键长ld=2.387?,表面三个原子层间距d1=0.50±0.01?,d2=0.96±0.01?,d3=1.17±0.01?和二聚原子的两个反对称移动。

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si(111)7×7表面的不等边三角形聚合与添加原子模型。发现:第一层空间距dk=0.95±0.02?(膨胀21.3%±0.02?),第二层空间距dl=0.83±0.02?(膨胀5.9%±0.02?),第三层空间距dl=0.69±0.05?(收缩10.9%±0.08?)和第四层空间距db=2.38±0.08?(膨胀3.8%±0.08?)。

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。

本文采用一种新的变分波函数描述GaAs/Ga1-xAlxAs窄量子阱中的浅施主基态,并计算了杂质基态波函数和结合能。计算所得数值结果表明正确考虑窄量子阱与杂质势间的耦合作用是极为重要的。

本文提出了一种便于计算的GaAs,AlAs和AlGaAs的解析能带。运用LCAO传输矩阵模型,得到了传输特征值和能量有效质量。由二能谷传输特征函数的研究,导出了异质界面的谷间转换,在此基础上提出了对称性变换器和对称性滤波器的新概念。使用能量有效质量及界面谷间转换系数,导出了单带双谷包络函数方程及其边界条件。把这一理论应用于GaAs/AlGaAs/AlAs系统算出了超晶格量子阱的束缚能级与波函数,并对这一广义有效质量理论的意义进行了讨论。

本文提出了一种计算多层介质中注入离子深度分布的新方法。该方法把Monte Carlo模拟与输运方程的数值解法相结合,取其各自的优点,考虑了离子在界面处的反射,给出多层介质中射程分布表达式。理论与实验比较表明,两者符合得很好。

对HR-1型奥氏体不锈钢在室温下注入了70keV 5×1016—1018cm2的4He离子,进行了上升至1273K的恒时退火实验。使用2.5MeV的质子弹性散射、TEM和SEM分析法研究了He在其中的捕获、迁移与释放特性。

本文用位错连续分布方法分析了位错所产生的应变和应力场,用位错规范场表出了位错芯区的位错分布,并在一定规范条件下求解了位错规范场。得到了螺位错芯区内、外的应力场。在螺位错芯区外,其应力场与Volterra位错的应力场完全一样,而在芯区内,当ρ趋于零时,螺位错的应力场是有解的。最后计算了螺位错的能量。

本文描述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度及其本质的测定结果。提出应用“包裹物点缀”形貌技术测定单晶中大面积应变区本质的实验方法和结果,为深入了解晶体结构内部薄弱环节提供另一可行的途径。

本文考虑在Sierpinski gasket及分支Koch曲线上的自迴避迹行走,运用实空间重整化群技术求出了相应的关联长度临界指数ν。结果表明,在Sierpinski gasket上,自迴避迹行走与自迴避行走属同一普适类;而在较高分枝度(Rmax>3)的Koch曲线上,两者属不同普适类。

本文采用红外发散和隧道态模型,讨论玻璃超声声速在3K温度以下的行为。我们把声速的改变看作两部分组成:无弛豫过程和有弛豫过程。前者采用“玻色型元激发”理论处理;后者采用“含红外发散的隧道弛豫”理论处理。我们不但得到与实验符合较好的声速-温度曲线,并且解释了一般频率下(107Hz,T为0.3—1K),声速与频率无关的lnT规律和高频下(2GHz,T<0.1K)声速存在极小值的现象。

本文报道了用角分辨紫外光电子谱对一氧化碳分子在铁(110)表面上吸附的取向进行的研究。实验结果与理论计算比较表明,在低温下(≈150K)较低覆盖度时,一氧化碳分子直立在铁表面上,分子轴线与铁表面法线的夹角不超过10度。

本文描述了一种微振动的激光测量方法。该方法利用F-P标准具的光学共振特性,借助于激光强度比较式F-P空腔锁定技术,在一般实验室条件下,实现了最小被测振幅可达10-12cm数量级的微振动测量。

本文从广义协变的运动方程和麦克斯韦方程出发,导出了电子等离子体波各量的解析表达式。指出△ω=2ωp的等离子体波是完全简谐的。完全共振的条件由△ω=2ω(p0)[1+(e2(A2((1)2)+(A2((2)2))/(2m2c4)+(3e2A2(1)A2(2))/(m2c4)]-1/2 给出。

用双光子激发的方法观察了Ca,Sr原子在电场中经典场电离限以上的激发光谱。讨论了光谱共振结构与电场和光的偏振的关系。

继作者对Damon和Easbach(简称DE)理论在长波部分的修正,本文探讨了DE理论在短波部分的适应性,研究了具有单轴各向异性和弱交换作用的偶极自旋模式,给出了临界角的表达式,并分析了频率-波矢空间的实际图象。所得结果与铁磁共振的频谱实验结果较好地符合。

本文通过分析金属-金属型非晶合金中磁感生各向异性随成分的变化关系,提出了四面体元方向有序的模型。与实验拟合结果表明此模型与实验符合较好。

本文通过decoration变换和decimation变换把在平方晶格上的自旋-1模型等价于一个checkerboard晶格上具有次近邻和四体相互作用的伊辛模型,并得到自旋-1模型的近似临界条件。该近似临界条件在极限情况下与Onsager的严格解一致。

本文考虑Kagome晶格上的混合自旋模型,运用decimation和对偶变换,证明它等价于一个八顶角模型。由八顶角模型的自由费密近似解给出了该模型的自由能及临界条件的近似表达式。

本文运用严格重整化交换研究了三结点hierarchical晶格上具有三体相互作用的伊辛模型。研究表明,与布喇菲晶格上的情况一样,最近邻二体相互作用伊辛模型与三体相互作用伊辛模型(Baxter-Wu模型)属于不同的普适类。

本文从准二维玻色凝聚出发,研究了层状高温超导氧化物材料中,层厚度和氧空位对临界温度的影响。所得结论应用到YBa2Cu3O7中,与已知的实验定性符合。

单畴化不完善对铁电晶体的衍射强度有重要影响,在晶体结构分析中必须予以考虑。对于磷酸氢铅,本文导出了用来修正这种影响的关系式。在该晶体的结构分析中引入这种修正以后,得到了较好的拟合。

本文用反型层模型,对常温下n-Ge中的反常霍耳效应进行了理论上的定量计算,取得了与实验一致的结果。