本文报道了与两步混合激发Na2-Na系统相联系的受激电子喇曼散射过程产生了在3.38—3.46μm范围内连续可调谐的红外受激辐射的研究结果。对这种可调谐红外受激辐射的产生机制和实验结果作了仔细的分析和讨论。同时,还计算了该红外受激辐射的相对强度并与实验结果进行了比较。最后指出这一工作与前人所做工作的不同之处及所具有的显著特点。
本文报道了与两步混合激发Na2-Na系统相联系的受激电子喇曼散射过程产生了在3.38—3.46μm范围内连续可调谐的红外受激辐射的研究结果。对这种可调谐红外受激辐射的产生机制和实验结果作了仔细的分析和讨论。同时,还计算了该红外受激辐射的相对强度并与实验结果进行了比较。最后指出这一工作与前人所做工作的不同之处及所具有的显著特点。
采用最新设计带侧向喷口的微管靶,当微管内壁平均激光辐照强度约为3.5×1013W·cm-2时,观察到沿整个喷口1s3p 1P00和1s4p 1P00能级间强烈的粒子数反转。测得相应环境等离子体平均电子温度470—520eV,密度约为2×1020cm-3。分析了可能导致高温条件下粒子数反转的机制。
采用最新设计带侧向喷口的微管靶,当微管内壁平均激光辐照强度约为3.5×1013W·cm-2时,观察到沿整个喷口1s3p 1P00和1s4p 1P00能级间强烈的粒子数反转。测得相应环境等离子体平均电子温度470—520eV,密度约为2×1020cm-3。分析了可能导致高温条件下粒子数反转的机制。
实验用光学多道分析系统(OMA)测量了He2+和Ne,Ar碰撞过程中的发射光谱,结果表明,这些碰撞体系存在着三种激发过程:双电子俘获激发过程、单电子俘获激发过程和直接激发过程。给出了HeI,HeII,NeI,NeII和ArI,ArII谱线的发射截面,并对He2++Ne和He2++Ar两个碰撞体系的发射截面作了一些比较,发现在入射离子速度相同的情况下,后者的发射截面要比前者大得多,并对此进行了定性讨论。OMA的光谱波长范围为200—800nm。入射离子He2+的能量范围为140—340keV。
实验用光学多道分析系统(OMA)测量了He2+和Ne,Ar碰撞过程中的发射光谱,结果表明,这些碰撞体系存在着三种激发过程:双电子俘获激发过程、单电子俘获激发过程和直接激发过程。给出了HeI,HeII,NeI,NeII和ArI,ArII谱线的发射截面,并对He2++Ne和He2++Ar两个碰撞体系的发射截面作了一些比较,发现在入射离子速度相同的情况下,后者的发射截面要比前者大得多,并对此进行了定性讨论。OMA的光谱波长范围为200—800nm。入射离子He2+的能量范围为140—340keV。
本文给出了单、双电荷离子和He,Ne,Ar,碰撞过程中产生的激发态的实验结果。Heq+,Arq+(q=1,2)离子束实验室能量为(70—170)×q keV。光学测量由光学多道分析系统(OMA)完成,波长范围为200—800nm。观察到单、双电荷离子和原子碰撞中各种不同的激发过程,讨论了发射截面和入射离子电荷数、势能亏损的依赖关系。
本文给出了单、双电荷离子和He,Ne,Ar,碰撞过程中产生的激发态的实验结果。Heq+,Arq+(q=1,2)离子束实验室能量为(70—170)×q keV。光学测量由光学多道分析系统(OMA)完成,波长范围为200—800nm。观察到单、双电荷离子和原子碰撞中各种不同的激发过程,讨论了发射截面和入射离子电荷数、势能亏损的依赖关系。
本文利用脉冲紫外激光(UV)选择激发氨分子到?1A″2电子激发态的两个最低振动能级ν′2=0和ν′2=1(ν2振动),然后检测新生态H原子的飞行谱(TOF),研究了氨分子的光碎片动力学。光谱证实了最近所测的离解能D00(H-NH2)=4.645eV;绝大多数生成的NH2(X2B1)基处于非振动激发,但是具有围绕a惯性轴的高度转动激发。通过NH3(?)的ν′2=1光离解产生的NH2(X)基具有较高的内部激发,并且显示了在N=Ka转动能级上的反转布居。
本文利用脉冲紫外激光(UV)选择激发氨分子到?1A″2电子激发态的两个最低振动能级ν′2=0和ν′2=1(ν2振动),然后检测新生态H原子的飞行谱(TOF),研究了氨分子的光碎片动力学。光谱证实了最近所测的离解能D00(H-NH2)=4.645eV;绝大多数生成的NH2(X2B1)基处于非振动激发,但是具有围绕a惯性轴的高度转动激发。通过NH3(?)的ν′2=1光离解产生的NH2(X)基具有较高的内部激发,并且显示了在N=Ka转动能级上的反转布居。
本文中将Unruh-DeWitt型粒子探测器改造成瞬时响应的粒子探测器。经过改进之后,所有理想的探测器应是等价的,尽管它们对同一物理状态的响应可能不一样。本文给出一个可行的方法用以计算在Minkowski真空中作任意运动的探测器的响应函数。
本文中将Unruh-DeWitt型粒子探测器改造成瞬时响应的粒子探测器。经过改进之后,所有理想的探测器应是等价的,尽管它们对同一物理状态的响应可能不一样。本文给出一个可行的方法用以计算在Minkowski真空中作任意运动的探测器的响应函数。
在碰撞存在时,考虑到在扰动电场作用下电子沿磁力线的宏观运动,用迴旋动力技术导出了强碰撞的积分本征方程。随后用LCN方法严格解析地证明了在平板剪切磁场的作用下,漂移波是绝对稳定的。
在碰撞存在时,考虑到在扰动电场作用下电子沿磁力线的宏观运动,用迴旋动力技术导出了强碰撞的积分本征方程。随后用LCN方法严格解析地证明了在平板剪切磁场的作用下,漂移波是绝对稳定的。
本文用磁流体理论导出了热电子等离子体中,等离子体密度梯度驱动的低频漂移波的色散关系,分析了热电子的稳定作用。热电子成分稳定等离子体低频扰动的物理机制是charge uncovering效应,它只依赖于热电子同等离子体的密度比α,而不依赖于热电子的β值。热电子能降低等离子体交换模和漂移波的增长率,减少漂移波引起的等离子体反常输运损失。稳定等离子体交换模要求α≈2％,稳定等离子体漂移波要求α≈40％。理论上预示了在热电子等离子体中,等离子体漂移波是最重要的低频不稳定性。
本文用磁流体理论导出了热电子等离子体中,等离子体密度梯度驱动的低频漂移波的色散关系,分析了热电子的稳定作用。热电子成分稳定等离子体低频扰动的物理机制是charge uncovering效应,它只依赖于热电子同等离子体的密度比α,而不依赖于热电子的β值。热电子能降低等离子体交换模和漂移波的增长率,减少漂移波引起的等离子体反常输运损失。稳定等离子体交换模要求α≈2％,稳定等离子体漂移波要求α≈40％。理论上预示了在热电子等离子体中,等离子体漂移波是最重要的低频不稳定性。
应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。
应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。
本文在相关基函数理论框架下,利用巨分子模型,建立了氢原子在简单金属表面的吸附理论模型。通过对吸附平衡位置参量的变分数值计算,我们得到了关于氢原子在金属Al(rs=2.07),Mg(rs=2.66),Li(rs=3.28)和Na(rs=3.99)表面上的吸附能,吸附体系的电子密度以及平衡位置。对于传统的密度泛函方法得到的结果,本文作了比较。
本文在相关基函数理论框架下,利用巨分子模型,建立了氢原子在简单金属表面的吸附理论模型。通过对吸附平衡位置参量的变分数值计算,我们得到了关于氢原子在金属Al(rs=2.07),Mg(rs=2.66),Li(rs=3.28)和Na(rs=3.99)表面上的吸附能,吸附体系的电子密度以及平衡位置。对于传统的密度泛函方法得到的结果,本文作了比较。
用多种化学的、物理的方法,尤其是电性能测量和电化学的方法研究了蒙脱石作为固体电解质的高价离子导电性,揭示了一个非常有希望和实用价值的高价离子导电的固体电解质材料,并对其高价离子在蒙脱石固体电解质中的迁移机理进行了探讨。
用多种化学的、物理的方法,尤其是电性能测量和电化学的方法研究了蒙脱石作为固体电解质的高价离子导电性,揭示了一个非常有希望和实用价值的高价离子导电的固体电解质材料,并对其高价离子在蒙脱石固体电解质中的迁移机理进行了探讨。
本文采用位错连续分布方法,导出了在外应力作用下异性夹杂和障碍之间相对障碍的单螺位错塞积和双螺位错塞积的分布函数的解析表达式D1(η),D2(η)。在靠近障碍一端,D1(η)和D2(η)具有-1/2次幂的奇异性,在靠近夹杂一端,D2(η)具有-ω次幂的奇异性。并用双位错塞积的情况表示了与异性夹杂相接触的反平面剪切裂纹问题,导出了应力强度因子。这些表达式对于02/G1<∞完全适用。对所得的结果进行了讨论。
本文采用位错连续分布方法,导出了在外应力作用下异性夹杂和障碍之间相对障碍的单螺位错塞积和双螺位错塞积的分布函数的解析表达式D1(η),D2(η)。在靠近障碍一端,D1(η)和D2(η)具有-1/2次幂的奇异性,在靠近夹杂一端,D2(η)具有-ω次幂的奇异性。并用双位错塞积的情况表示了与异性夹杂相接触的反平面剪切裂纹问题,导出了应力强度因子。这些表达式对于02/G1<∞完全适用。对所得的结果进行了讨论。
我们引进了广义Villain公式,考察了双周期紧致U(1)理论的电磁涡旋拓扑结构,得到了该模型在其耦合参数空间中的全部相变结构,其中包括部分禁闭相和二光子相。最后,利用Migdal-Kadanoff重整化群方法的数值结果,得到了这个模型在(N1,N2)=(1,5),(1,6),(1,7)等情况下的相图,从而证实了我们的周期高斯近似下的理论分析。
我们引进了广义Villain公式,考察了双周期紧致U(1)理论的电磁涡旋拓扑结构,得到了该模型在其耦合参数空间中的全部相变结构,其中包括部分禁闭相和二光子相。最后,利用Migdal-Kadanoff重整化群方法的数值结果,得到了这个模型在(N1,N2)=(1,5),(1,6),(1,7)等情况下的相图,从而证实了我们的周期高斯近似下的理论分析。
本文采用量子场论的一级微扰论,建立了气体介质中Cerenkov辐射的量子理论,结果表明,它有与固体、液体Cerenkov辐射不同的特点:线状光谱且轮廓不对称和出现小的红移,辐射角与辐射频率无关,并随入射粒子速度的增大而减小,辐射对入射带电粒子的速度没有阈值限制,激发态与基态原子的Cerenkov辐射几率相等,理论结果与实验基本一致。
本文采用量子场论的一级微扰论,建立了气体介质中Cerenkov辐射的量子理论,结果表明,它有与固体、液体Cerenkov辐射不同的特点:线状光谱且轮廓不对称和出现小的红移,辐射角与辐射频率无关,并随入射粒子速度的增大而减小,辐射对入射带电粒子的速度没有阈值限制,激发态与基态原子的Cerenkov辐射几率相等,理论结果与实验基本一致。
本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al Ⅱ受干扰序列1P10的能级结构。分析表明,主序列3snp 1P10受到了来自双激发态3p4s 1P10的强烈干扰。这种相互作用使3p4s1P10分布到整个3snp1P10之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp1P10中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。
本文利用多通道量子亏损理论(MQDT),分析了Al Ⅱ受干扰序列1P10的能级结构。分析表明,主序列3snp 1P10受到了来自双激发态3p4s 1P10的强烈干扰。这种相互作用使3p4s1P10分布到整个3snp1P10之中,而不再对应于一条单独的谱线。利用拟合能级实验数据所得的MQDT参数,计算了序列3snp1P10中n≤50的能级。对于已测得的能级,计算结果与实验值符合得很好。
本文叙述邻苯二甲酸氢钾(KAP)晶体内部不完整性(滑移位错等)的同步辐射截面形貌图的衬度研究工作。有关缺陷象衬度随波长增加而提高的实验事实同引用均匀畸变动力学的理论所引入的平均应变梯度参数β和βteff的理论计算结果,相当符合,它为应用同步辐射源来清晰显示单晶中有关缺陷,提供一个波长选择的依据。
本文叙述邻苯二甲酸氢钾(KAP)晶体内部不完整性(滑移位错等)的同步辐射截面形貌图的衬度研究工作。有关缺陷象衬度随波长增加而提高的实验事实同引用均匀畸变动力学的理论所引入的平均应变梯度参数β和βteff的理论计算结果,相当符合,它为应用同步辐射源来清晰显示单晶中有关缺陷,提供一个波长选择的依据。
用提拉法从熔体中生长出Pb0.37Ba0.63Nb2O6和Pb0.30Ba0.533Na0.306Li0.028Nb2O6两种铁电单晶。用X射线衍射方法分析了两种单晶的结构,结果表明,室温时两种晶体都属于四方晶系点群4mm。测定晶格参数得PBN晶体的a=12.493?和c=3.98?;掺Li,Na的PBN晶体的a=12.493?和c=3.970?。测定了两种晶体全部各52个电弹张量的分量,结果表明PBN晶体具有优良的压电性,其中压电系数d15=108×10-12C/N。这种晶体很有希望用作与厚度切变模式有关的压电换能器材料。掺Li,Na的PBN晶体的介电常数显著降低,而铁电居里点有明显的提高。
用提拉法从熔体中生长出Pb0.37Ba0.63Nb2O6和Pb0.30Ba0.533Na0.306Li0.028Nb2O6两种铁电单晶。用X射线衍射方法分析了两种单晶的结构,结果表明,室温时两种晶体都属于四方晶系点群4mm。测定晶格参数得PBN晶体的a=12.493?和c=3.98?;掺Li,Na的PBN晶体的a=12.493?和c=3.970?。测定了两种晶体全部各52个电弹张量的分量,结果表明PBN晶体具有优良的压电性,其中压电系数d15=108×10-12C/N。这种晶体很有希望用作与厚度切变模式有关的压电换能器材料。掺Li,Na的PBN晶体的介电常数显著降低,而铁电居里点有明显的提高。
运用实空间重整化群得到了六角格子上T-H模型的相变流图、非平凡不动点、热指数等。用平均场自洽方程组确定了T-H模型的一级相变、二级相变临界面及三临界点。由r-△变换严格给出了T-H模型的临界面和部分临界指数。
运用实空间重整化群得到了六角格子上T-H模型的相变流图、非平凡不动点、热指数等。用平均场自洽方程组确定了T-H模型的一级相变、二级相变临界面及三临界点。由r-△变换严格给出了T-H模型的临界面和部分临界指数。
本文对双极化子的一个简单模型作了重新考虑;证明由于电声子相互作用,为了保证模型系统的总能量为稳定的极小声子系统必然处在一种新的相干态。作为推论,我们论证了单态双极化子作为系统的稳定基态组态的可能性要比以往一些作者所认为的大得多。
本文对双极化子的一个简单模型作了重新考虑;证明由于电声子相互作用,为了保证模型系统的总能量为稳定的极小声子系统必然处在一种新的相干态。作为推论,我们论证了单态双极化子作为系统的稳定基态组态的可能性要比以往一些作者所认为的大得多。
用特制装置测量了Pd基、Cu基、Ni基和Fe基的十五种非晶合金在弹性和范性形变过程中的电阻相对变化ΔR/R。同时测定了某些非晶合金丝的密度D,电阻率ρ和比例极限强度σp。随面缩率ψ的变化。实验结果表明,在p—ε和ΔR/R-ε曲线上存在弹性、滞弹性和范性形变三个阶段。在第一、二阶段应力p和ΔR/R随应变ε线性增加。密度、电阻率和比例极限强度随ψ的变化是显著的,当ψ>3％后它们的变化很小。最后,讨论了非晶合金的范性流变机制。
用特制装置测量了Pd基、Cu基、Ni基和Fe基的十五种非晶合金在弹性和范性形变过程中的电阻相对变化ΔR/R。同时测定了某些非晶合金丝的密度D,电阻率ρ和比例极限强度σp。随面缩率ψ的变化。实验结果表明,在p—ε和ΔR/R-ε曲线上存在弹性、滞弹性和范性形变三个阶段。在第一、二阶段应力p和ΔR/R随应变ε线性增加。密度、电阻率和比例极限强度随ψ的变化是显著的,当ψ>3％后它们的变化很小。最后,讨论了非晶合金的范性流变机制。
不同剂量的硼离子注入的多晶铁薄膜的磁导率随注入剂量增加呈现非单调上升,其57Fe转换电子穆斯堡尔谱显示了非晶态合金的生成,结果支持临界缺陷密度非晶化模型。
不同剂量的硼离子注入的多晶铁薄膜的磁导率随注入剂量增加呈现非单调上升,其57Fe转换电子穆斯堡尔谱显示了非晶态合金的生成,结果支持临界缺陷密度非晶化模型。
利用母相群对低温相群陪集分解的理论,确定了NiTi形状记忆合金中R相存在四种变体,变体之间以{110}p和{100}p作为孪晶界面,四种变体可构成三种自适应群。马氏体相中存在三种变体,变体间的孪晶界面为{110}p,三种变体可以构成四种呈三角形分布的自适应群。所得结果与实验工作基本一致。
利用母相群对低温相群陪集分解的理论,确定了NiTi形状记忆合金中R相存在四种变体,变体之间以{110}p和{100}p作为孪晶界面,四种变体可构成三种自适应群。马氏体相中存在三种变体,变体间的孪晶界面为{110}p,三种变体可以构成四种呈三角形分布的自适应群。所得结果与实验工作基本一致。
在低杂波驱动电流的托卡马克中,可出现波驱动的共振电子径向能流,由定向能流和传导型能流两部分组成,其效应可能与碰撞效应可比,从而改变了驱动电流的基本图象。
在低杂波驱动电流的托卡马克中,可出现波驱动的共振电子径向能流,由定向能流和传导型能流两部分组成,其效应可能与碰撞效应可比,从而改变了驱动电流的基本图象。
本文仔细地分析了以前在自洽密度分布边界条件和连接条件处理中存在的缺点。为了确切地反映真实的边界,用自相似解把真空边界和等离子体静止上流分别与下密度平台和上密度平台连接起来,在声速点实现了完好的匹配。我们的分析结果与计算机模拟完全一致。
本文仔细地分析了以前在自洽密度分布边界条件和连接条件处理中存在的缺点。为了确切地反映真实的边界,用自相似解把真空边界和等离子体静止上流分别与下密度平台和上密度平台连接起来,在声速点实现了完好的匹配。我们的分析结果与计算机模拟完全一致。
本文预言了在周期场作用下,弯晶沟道的混沌行为。分析了系统的全局分叉性质和出现Smale马蹄的参数条件,指出系统通向混沌的过程就是粒子的退道过程,而相的沟道效应和沟道辐射都将表现出内在的随机性,为定量解释沟道效应和沟道辐射的某些特征提供了一种可能的理论分析。
本文预言了在周期场作用下,弯晶沟道的混沌行为。分析了系统的全局分叉性质和出现Smale马蹄的参数条件,指出系统通向混沌的过程就是粒子的退道过程,而相的沟道效应和沟道辐射都将表现出内在的随机性,为定量解释沟道效应和沟道辐射的某些特征提供了一种可能的理论分析。