用第三近邻紧束缚的基体的能带,计算了Si中深能级杂质的A1,T2对称波函数,并同现有的TB计算结果进行了比较。定量地给出了在TB框架中不同的能带近似给波函数带来的分散性。

本文采用文献[1—4]所发展的在位缺陷势格林函数方法,计算了3c-SiC中深能级的A1,T2对称波函数。第一次给出了波函数随杂质态能量E的变化趋势,和电子占据距缺陷中心最近邻的几个壳层的几率。并给出数量级与实验相符的3c-SiC:B的超精细结构常数的理论值。

本文介绍,当a-SiNx:H层的厚度一定,a-Si:H层的厚度不同时,a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜的光吸收系数、光学禁带宽度以及折射率随之变化的规律。

本文报道4.2—300K和20—350cm-1范围内低组份Cd1-xZnxTe混晶远红外吸收与反射光谱。实验观察到Zn及ZnTe在CdTe中诱发的定域模和准定域模以及类CdTe2TA双声子吸收过程。用质量缺陷模型结合格林函数方法估计了模式频率。用等位移模型计算了混晶的双模行为并拟合反射光谱,对类CdTe和类ZnTe模的弛豫与声子吸收强度的温度效应也作了计算和解释。

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr2+(3d4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr2+系统5E激发态和5T2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的5E→5T
. 1988 37(2): 206-213. 刊出日期: 1988-01-05 ]]>

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr2+(3d4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr2+系统5E激发态和5T2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的5E→5T
. 1988 37(2): 206-213. Published 1988-01-05 ]]> 1988-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1988 37(2): 206-213. article doi:10.7498/aps.37.206 10.7498/aps.37.206 37 2 1988-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.37.206 206-213 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.37.214

用中子相干非弹性散射、沿三个主晶轴方向测量了同构异质晶体NaBrO3和NaClO3的声子色散关系。从小波矢区的实验结果获得了沿晶体这些方向的弹性波速及三个独立的弹性常数C11,C12,C44。实验结果表明,尽管这两种晶体在旋声方面表现出十分不同的特性,但是,它们的左旋和右旋圆偏振声子的声速都是在一个特定的平均速度v(TD)上下均衡的分布,这个平均速度可由

Westervelt在研究两正交平面波的相互作用时曾经推论:在两个波的公共区之外没有散射声。但由于所论的公共区不是一个有限大的区域,故“公共区之外”是没有实际意义的。本文讨论一列平面波与一列平面行波脉冲的声相互作用,显然这两个波不仅都满足波动方程,而且可以用来讨论公共区之外的声散射声问题。计算结果表明,如果介质没有频散效应,则公共区之外不存在服从因果律的声散射声。本文还指出,对于这两个一阶场所构成的公共区来说,应用Lighthill远场积分来讨论这种情况下的声散射声是不妥当的。

本文用自旋密度算符理论分析了“硬”脉冲回波序列所得到的一维核磁共振同类核相关编辑问题。提出的实验方法与理论分析预期一致,并证明这种同核相关编辑的结果与二维核磁共振COSY谱所揭示的相关关系一致,但是一维相关编辑具有省时,节约内存和保留一维谱的灵敏度和分辨率以及保留谱的精细结构等优点。

作者设计了一个图分析法,用来分析Eliashberg方程的数值解。从这个分析,得到如下结论:硬化归一有效声子谱g(ω),可使超导材料的Tc提高。而g(ω)软化,只能提高小λ超导体的Tc。

文中报道非晶Cu33Y67低温电阻和磁阻的测量结果。这种合金是在He气氛中以熔化-自旋技术制备的。相互作用效果可以为4.5K以下的低温电阻提供一个-T1/2形式的贡献。在稍高的温度,其变化规律也可以通过相互作用和弱定域化的联合来解释。上至1.8T的磁阻测量揭示出一个具有自旋-轨道散射较强影响的弱定域化效果。Cu33Y67的磁阻测量值比弱定域化预言的大。如果把弱定域化的理论预言强度增大3倍,则可以在

到目前为止,几乎所有的关于原子基态的多体计算都是以Hartree-Fock(HF)模型为零级近似。本文将零级哈密顿量取为Hartree-Fock-Slater(HFS)型的,在双激发(两体)近似下,对Be原子基态交换-相关能进行了多体理论计算,得到了与实验及别的作者以HF模型为零级近似所作多体计算相符合的结果。计算表明,以HFS模型为零级近似,对闭合壳层原子基态亦可成功地进行多体计算。

从低序光学变换到高序光学变换在实验上存在着困难。本文分析研究了这些困难问题,并提出用5平面光学系统能够较为理想地解决这些问题。并以一维32序的Walsh变换为例,在实验上建立了3平面和5平面两个相干光学系统,对此进行具体的实验研究。实验结果与理论预期一致。

用He-Ne激光束沿LiNbO3:Fe晶体的x轴或y轴方向聚焦照射较薄样品时,在晶体后面的屏上观察到十分规则的衍射图样。这与前人在该晶体中观察到的由晶体中光折变形成的位相噪音栅引起的光感应光散射现象迥然不同。我们观察到的这种自衍射图样,可用聚焦激光束入射时在晶体中形成的复杂类透镜效应和自衍射理论来解释。它可以清楚地表明聚焦激光束入射时晶体中光折变过程的特点、还可由衍射条纹的数目直接推算晶体中光折变△n的最大值。文中还实验研究与讨论了光感应自衍射的形成条件及其与光感应光散射的竞争关系。

为了解决复杂结构离子晶体接触能Eatt计算上的困难,本文给出了按PBC(periodic bond chain)理论导出的公式,并将其编成计算机程序。应用PBC理论,从KTiOPO4晶体结构,对其界面进行分类表明,{100},{011}为F单形;{210},{101}和{010}为较重要的S单形;而{001}单形的晶面,属K面。根据以上公式及程序对各单形Eatt进行了计算,得出了各晶面的相对重要性,其结果与观测结果符合得很好。文中提出的公式

本文应用静态模拟方法探讨了已有的非晶铁模型在松弛及加压过程中局域结构(Voronoi多面体)的变化以及加压对原子尺寸局域应力的影响。结果表明,虽然加压能促进结构中Vo-ronoi多面体体积均匀化,但却使各原子上的局域应力及能量提高,特别是使系统中应力及能量分布在更宽的范围内,增加了结构中能量及应力的涨落程度。计算表明,各原子上局域正应力区的空间分布呈张、压应力区相互交叉渗透的方式。在常压下,压应力区在系统中约占50%原子,随着外压力的增加,压应力区在原有基础上不断扩大,张应力区缩小。分析认为,从本质上说,

本文运用数值计算的方法研究了射频电流驱动下包含干涉项电流的Josephson结的分岔、混沌和阵发混沌。讨论了Josephson结的低频噪声,以及它与通向混沌途径的关系。

利用高分辨率的电子显微技术,在原子和晶格尺度上,研究了碲镉汞晶体结构在大剂量高能电子作用下,晶体结构产生损伤、扩展和重构的过程。研究结果表明,碲镉汞结构损伤是在强电子束作用下,[(Hg,Cd)Te4]四面体的形变,在{111}面产生并沿{111}面呈阶梯形扩展的过程。从而在[110]方向观察到了新的更大周期的两维重构网格。

用一定能量的氩离子束轰击含碳、氧的钼(100)和(111)表面,不能除去表面上的碳。而用能量为1千电子伏,束流为6微安的氮离子轰击10—15分钟,氮在表面的吸附达到饱和值。加热到400—600℃之间碳、氧从表面上基本消失,600—650℃之间吸附在表面上的氮大量脱附,即氮峰陡降到较低值,碳又偏析到表面上。加热到730℃和775℃氮从表面消失,分别得到碳在钼(100)表面上的p(2×2)和c(6×2)结构。而若将大量脱附氮的钼(111)表面,冷却到室温,氧又偏析到表面上。重新加热到650℃以上碳先从表面消失

用角分辨紫外光电子谱详细研究了V(001)表面上,S和O偏析引起的(4×1)-O,(2×2)-S两超结构,确定了S,O各自引起的吸附态的峰位和对称性;得到了O占据V(001)表面上空位的实验证据。所得实验结果与理论计算相等。

本文报道用中子衍射测定的含硼稀土过渡族金属间化合物Pr2(Fe0.8Co0.2)14B的晶体结构与磁结构。将中子三轴谱仪用作二轴粉末衍射仪,在室温测该化合物粉末样品的中子衍射强度,用轮廓精化法弥合衍射数据。该化合物属Nd2Fe14B类四方结构,α=8.8110?,c=12.2307?。设Pr,Fe和Co原子磁矩间为铁磁耦合,同一晶位的Fe,Co原子磁矩相等,存在沿c轴的易磁化

本文比较了用准几何近似与用矩阵理论(严格衍射理论),两种方法计算所得的光学谐振腔TEMpl模的损耗和相移,并研究了它们相互间的关系。得出结论:(1)两种方法所计得的相移之差与衍射损耗的关系近似于指数关系;(2)当衍射损耗大于20％时,有可能导致准几何近似中模简并关系的明显破坏,从而可能引起共振频率的分裂;(3)两种方法所得出的横模损耗间有斜率约为0.36的线性关系。以上结论,在菲涅耳数N大于2时,基本上与N,l,p值无关。上述讨论是对G1=G2
. 1988 37(2): 323-329. 刊出日期: 1988-01-05 ]]>

本文比较了用准几何近似与用矩阵理论(严格衍射理论),两种方法计算所得的光学谐振腔TEMpl模的损耗和相移,并研究了它们相互间的关系。得出结论:(1)两种方法所计得的相移之差与衍射损耗的关系近似于指数关系;(2)当衍射损耗大于20％时,有可能导致准几何近似中模简并关系的明显破坏,从而可能引起共振频率的分裂;(3)两种方法所得出的横模损耗间有斜率约为0.36的线性关系。以上结论,在菲涅耳数N大于2时,基本上与N,l,p值无关。上述讨论是对G1=G2
. 1988 37(2): 323-329. Published 1988-01-05 ]]> 1988-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1988 37(2): 323-329. article doi:10.7498/aps.37.323 10.7498/aps.37.323 37 2 1988-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.37.323 323-329 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.37.330

本文从慢包络近似的麦克斯韦方程出发,在优质腔极限下,结合腔的边界条件与平均场极限,建立了适用于任何物质的光学双稳系统及相应的激光系统的动力学方程;并通过对方程的线性稳定性分析,得到了一个普适性的失稳判据。

在指出传统的锁模方程中的缺陷之后,利用自洽模型,重新推导出适用于同步泵浦染料激光器的锁模方程;从此方程出发,只需将其中的增益项G(t)对时间t展开到二阶,便能求出光脉冲宽度τ,强度I0等量的较精确的解析解,这些结果与实验事实相符,并能解释原方程的二阶解所无法解释的现象。

用穆斯堡尔谱和X射线衍射技术研究了Eu2O3在η-Al2O3和硅胶上的固体表面吸附。

本文在一些条件的限制下,讨论了SU(N)手征亚夸克大统一模型,结果要求10≤N≤19。并具体地构造了一个最小的SU(10)手征亚夸克大统一模型,预言了五代夸克和轻子的存在。