在40--7 0 0 (1/cm)波数和4.2--300 K 温度范围内研究了不同组份液相外延n 型GaAs_（1-x）_P_x__样品的红外反射谱. 对反射谱进行了鹰谐振子拟合与K-K 关系计算.从而获得了有关描述GaAs_（1-x）_P_x__样品的光学声子模、等离子体激元、LO 声子-等离子体激元藕合模的重要物理参量及红外光学常数信息. 基于这些计算结果, 提出了双导带谷并计及与x 能谷相联系的施主能级模型, 用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的祸合模的温度变化规律。
在40--7 0 0 (1/cm)波数和4.2--300 K 温度范围内研究了不同组份液相外延n 型GaAs_（1-x）_P_x__样品的红外反射谱. 对反射谱进行了鹰谐振子拟合与K-K 关系计算.从而获得了有关描述GaAs_（1-x）_P_x__样品的光学声子模、等离子体激元、LO 声子-等离子体激元藕合模的重要物理参量及红外光学常数信息. 基于这些计算结果, 提出了双导带谷并计及与x 能谷相联系的施主能级模型, 用它解释等离子体激元频率和实验观察的三支主要的祸合模的温度变化规律。
从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果,
从理论的角度分析了绝缘衬底对其上面半导体多晶膜激光熔化再结晶过程的影响, 发现低导热的绝缘层使产生固一液相变的临界激光功率有明显的降低.用喇曼光谱测量了激光再结晶SOI层中的应力. 应力的出现是多晶膜内曾经发生过固一液相的佐证.从这一思想出发, 对LPCVD方法制备的大量SOI 样品进行激光再结晶临界条件的研究, 证明了忽略绝缘层低热导影响的模型不能解释实验结果, 而经过修正的公式则可以较好地拟合实验结果,
本文报道了CeSn, 和Celn_3 的能带计算结果. 对其f 电子的行为, 以及f 电子与非f 原子的s, p , d 电子之间的杂化进行了讨论. 分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构.
本文报道了CeSn, 和Celn_3 的能带计算结果. 对其f 电子的行为, 以及f 电子与非f 原子的s, p , d 电子之间的杂化进行了讨论. 分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构.
本文用化学腐蚀方法, 从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000--6000埃间的氧沉淀, 制成萃取复型样品,用T E M 对氧沉淀作微区电子衍射分析. 同时, 观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM 象, 确定了二者的对应关系. 结果表明, 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite, siliea k) 及少量呈六角片的。方英石(a-cristobalite ), 沉淀片周边沿 方向, 惯习面前者的为{ 100} , 后者的为{ 1 1 1}. 样品的红外吸收光谱表明, 方片状热液石英沉淀可能与1 2 2 4 (1/cm ), 吸收峰相对应.
本文用化学腐蚀方法, 从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000--6000埃间的氧沉淀, 制成萃取复型样品,用T E M 对氧沉淀作微区电子衍射分析. 同时, 观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM 象, 确定了二者的对应关系. 结果表明, 构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite, siliea k) 及少量呈六角片的。方英石(a-cristobalite ), 沉淀片周边沿 方向, 惯习面前者的为{ 100} , 后者的为{ 1 1 1}. 样品的红外吸收光谱表明, 方片状热液石英沉淀可能与1 2 2 4 (1/cm ), 吸收峰相对应.
用我们提出的一种具有解析解的原子唯象势模型, 计算了Na原子里德伯态(10≤n≤40)的波函数和ns--n'p ,np--n'd, nd--n'f 高里德伯态间的振子强度, 与以方法得到的结果很接近. 计算结果表明, 上述振予强度满足某种标度律.
用我们提出的一种具有解析解的原子唯象势模型, 计算了Na原子里德伯态(10≤n≤40)的波函数和ns--n'p ,np--n'd, nd--n'f 高里德伯态间的振子强度, 与以方法得到的结果很接近. 计算结果表明, 上述振予强度满足某种标度律.
用x 射线粉晶衍射方法(XRD ) 研究了不同温度下脱水的蒙脱石样品, 发现经一定程度的脱水蒙脱石(00l )特征衍射会消失, 在一定条件下又可再现.讨论了其结晶学意义及可能的相变过程.
用x 射线粉晶衍射方法(XRD ) 研究了不同温度下脱水的蒙脱石样品, 发现经一定程度的脱水蒙脱石(00l )特征衍射会消失, 在一定条件下又可再现.讨论了其结晶学意义及可能的相变过程.
在计入最近邻二体和三体作用的简谐近似下, 解出了N X N 正方简单格子的振动模.边界效应使通常将声子分支和用波矢量来标注的物理图象完全改变了. 只能按空间型将声子分类.数字计算表明共价结构性质的加强可导致出现边界藕合软模. 还给出了旋转模、内旋转模、公度非公度结构模, 以及表面波声子模等一些新结果. 边界祸合作用消除了声子的一些简并, 使其频谱向高端和低端散开.理论被推广到三维一般情况, 说明了边界藕合效应的主要结果.
在计入最近邻二体和三体作用的简谐近似下, 解出了N X N 正方简单格子的振动模.边界效应使通常将声子分支和用波矢量来标注的物理图象完全改变了. 只能按空间型将声子分类.数字计算表明共价结构性质的加强可导致出现边界藕合软模. 还给出了旋转模、内旋转模、公度非公度结构模, 以及表面波声子模等一些新结果. 边界祸合作用消除了声子的一些简并, 使其频谱向高端和低端散开.理论被推广到三维一般情况, 说明了边界藕合效应的主要结果.
本文运用作者所发展的严格docimation- 平均场近似方法对Potts 模型的临界指数作了计算.所得结果与严格解符合得很好, 而与计算工作量相当的重正化群方法相比, 精确度大为提高。
本文运用作者所发展的严格docimation- 平均场近似方法对Potts 模型的临界指数作了计算.所得结果与严格解符合得很好, 而与计算工作量相当的重正化群方法相比, 精确度大为提高。
本文分析了冷等离子体和导电端板的line-tying 效应对有限长度热电子等离子体交换模的影响, 导出了包含line-tying 效应的色散关系, 得到了新的稳定性判据. 强line-tying 效应的存在, 使稳定性所要求的冷电子同热电子的密度比大大减少.line-tying 效应对低模数的长波扰动具有更好的稳定作用.
本文分析了冷等离子体和导电端板的line-tying 效应对有限长度热电子等离子体交换模的影响, 导出了包含line-tying 效应的色散关系, 得到了新的稳定性判据. 强line-tying 效应的存在, 使稳定性所要求的冷电子同热电子的密度比大大减少.line-tying 效应对低模数的长波扰动具有更好的稳定作用.
用转靶X 射线源及弯晶EXAFS 谱仪测定了价:Fe_80_B_20_及 Fe_80_Si_6B_14_ 金属玻璃中铁的X 射线K 吸收谱. 由EXAFS 谱确定了两种金属玻璃的近邻结构参量. 此外, 通过测定XANES 谱并与纯铁及其有关的化合物Fe_2_B , FeB 中铁的XANES 比较发现: 吸收边能量、“白线”结构等均出现一些变化, 表明两种金属玻璃的近邻原子Fe-B , Fe-s毛以及Fe-Fe 之间的相互作用比铁与硼所形成的稳定化合物中要强, 这对于决定金属玻璃的短程序结构具有重要的作用.
用转靶X 射线源及弯晶EXAFS 谱仪测定了价:Fe_80_B_20_及 Fe_80_Si_6B_14_ 金属玻璃中铁的X 射线K 吸收谱. 由EXAFS 谱确定了两种金属玻璃的近邻结构参量. 此外, 通过测定XANES 谱并与纯铁及其有关的化合物Fe_2_B , FeB 中铁的XANES 比较发现: 吸收边能量、“白线”结构等均出现一些变化, 表明两种金属玻璃的近邻原子Fe-B , Fe-s毛以及Fe-Fe 之间的相互作用比铁与硼所形成的稳定化合物中要强, 这对于决定金属玻璃的短程序结构具有重要的作用.
实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应. 结果表明, 金属型非晶态InSb以电子导电为主, 半导体型非晶态InSb 以空穴导电为主; 金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程; 第三电导跃变是富In或富Sb 固溶体相在半导体InSb 晶界上析出并集中所引起的; 金属型非晶态I站b 的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质; 第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高, 可能主要起因于电子浓度的增加.
实验研究了非晶态InSb及其结晶相变过程中的霍耳效应. 结果表明, 金属型非晶态InSb以电子导电为主, 半导体型非晶态InSb 以空穴导电为主; 金属型非晶态InSb中的第一电导跃变是一种由类液非晶态到类点阵非晶态的结构弛豫过程; 第三电导跃变是富In或富Sb 固溶体相在半导体InSb 晶界上析出并集中所引起的; 金属型非晶态I站b 的三种不同的结晶相变类型具有鲜明不同的输运性质; 第二电导跃变峰所对应的亚稳金属相超导Tc的提高, 可能主要起因于电子浓度的增加.
本文基于场论中的旋量一旋量Bethe-Sapeter 方程(以下简称B-S 方程), 提出了一种满足相对论协变性要求的强子间的唯象平底势.并计算得到了在动量中的O-介子波函数.
本文基于场论中的旋量一旋量Bethe-Sapeter 方程(以下简称B-S 方程), 提出了一种满足相对论协变性要求的强子间的唯象平底势.并计算得到了在动量中的O-介子波函数.
在本文中对一般的紧致单纯群和祸合常数 的任意值证明了带Wess-Zumino 项的二维非线性a 模型的等时流代数构成带中心荷的Kac-Mody 代数.
在本文中对一般的紧致单纯群和祸合常数 的任意值证明了带Wess-Zumino 项的二维非线性a 模型的等时流代数构成带中心荷的Kac-Mody 代数.
在非晶态Nb_(1-x)Ni_x_(x= 0 .564 , 0 .595 , 0.65 ) 合金的低场交流磁化率中, 既观察到巡游电子磁性的双居里点现象, 又看到x =0.598, 0.65 这两个样品在低温端还出现自旋玻璃冻结的典型的磁化率尖峰. 在这个合金系统中巡游电子磁性和局域磁矩的表现都很明显。
在非晶态Nb_(1-x)Ni_x_(x= 0 .564 , 0 .595 , 0.65 ) 合金的低场交流磁化率中, 既观察到巡游电子磁性的双居里点现象, 又看到x =0.598, 0.65 这两个样品在低温端还出现自旋玻璃冻结的典型的磁化率尖峰. 在这个合金系统中巡游电子磁性和局域磁矩的表现都很明显。
氢在GaAs, 和InP 表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS) 来探测.Ga-H侧, As-H , In-H 和P-H 键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失. 但是A-H 振动极容易和Ga-H 振动追加声子损失相混淆, 只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布. 对于GaAs (1 1 1)面, 低暴露量时只形成Ga-H 键, 而高暴露量时还可以形成As-H 键.而InP(1 1 1 ) 表面由于是经过磷气氛退火处理的, 在低暴露量下In 一H 与P一H 键均可形成. InP (III) 面上只看到P-H 损失峰, 说明这个表面是完全以P 原子结尾的. 在(1 1 1 ) 面上出现小面的情形, 则表面III族和V族原子均可同氢成键.
氢在GaAs, 和InP 表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS) 来探测.Ga-H侧, As-H , In-H 和P-H 键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失. 但是A-H 振动极容易和Ga-H 振动追加声子损失相混淆, 只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布. 对于GaAs (1 1 1)面, 低暴露量时只形成Ga-H 键, 而高暴露量时还可以形成As-H 键.而InP(1 1 1 ) 表面由于是经过磷气氛退火处理的, 在低暴露量下In 一H 与P一H 键均可形成. InP (III) 面上只看到P-H 损失峰, 说明这个表面是完全以P 原子结尾的. 在(1 1 1 ) 面上出现小面的情形, 则表面III族和V族原子均可同氢成键.
观察到还原SrTiO_3_, 表面三价Ti 离子引起的表面态的存在.分析了它在太阳光分解水中所起作用, 以及光照在恢复活性中的作用.
观察到还原SrTiO_3_, 表面三价Ti 离子引起的表面态的存在.分析了它在太阳光分解水中所起作用, 以及光照在恢复活性中的作用.
基于弹性各向同性和弹光各向异性的考虑, 获得了长程应变场中沿位错线观察的螺型位错双折射像的解析表达式以及其计算机模拟像, 成功地解释了G G G 晶体中实验观察到的螺型位错像所具有的两瓣一黑一白的衬度特征.
基于弹性各向同性和弹光各向异性的考虑, 获得了长程应变场中沿位错线观察的螺型位错双折射像的解析表达式以及其计算机模拟像, 成功地解释了G G G 晶体中实验观察到的螺型位错像所具有的两瓣一黑一白的衬度特征.
结合快离子导体玻璃的结构特点和倪嘉陵(Ngai) 的低能激发、弛豫、耗散统一理论, 依据非Markov 方程探讨了快离子的输运特点, 导出了非晶态快离子导体电导的频率一温度依赖关系. 理论方法与现有快离子导体电导理论不同, 结果表明与实验数据符合较好, 理论能较好地描述低温下电导的色散现象. 色散的程度与表征物质内部结构差异的参数— 红外发散指数n有关.
结合快离子导体玻璃的结构特点和倪嘉陵(Ngai) 的低能激发、弛豫、耗散统一理论, 依据非Markov 方程探讨了快离子的输运特点, 导出了非晶态快离子导体电导的频率一温度依赖关系. 理论方法与现有快离子导体电导理论不同, 结果表明与实验数据符合较好, 理论能较好地描述低温下电导的色散现象. 色散的程度与表征物质内部结构差异的参数— 红外发散指数n有关.
本文从理论上讨论了晶场作用对稀土离子能级重心位移的影响, 具体计算了J 混效应对15 个含Nd 3十离子的晶体中的l-J- 能级重心的位移. 结果指出J 混效应加宽了光谱项-(2s +l)- L由于自旋轨道祸合导致的能级劈裂宽度, 并且与晶体基质的组成、结构有关.
本文从理论上讨论了晶场作用对稀土离子能级重心位移的影响, 具体计算了J 混效应对15 个含Nd 3十离子的晶体中的l-J- 能级重心的位移. 结果指出J 混效应加宽了光谱项-(2s +l)- L由于自旋轨道祸合导致的能级劈裂宽度, 并且与晶体基质的组成、结构有关.
用金刚石压砧高压x 射线衍射技术研究了_LiIO_3 在室温高压下的压缩行为, 压力达23.0GPa. 观察到晶格压缩的各向异性, 其c/a 轴比以-6.187 * l0**3 /GPa的速率减小. 得到其常压下的体弹模量B。= 3 9.2 G Pa, 体弹模量对压力的一阶导数B。=3.7 8 7. _LiIO_3在高温高压下转变成四方结构, 与淬火卸压所得的“_LiIO_3, 结构一致.
用金刚石压砧高压x 射线衍射技术研究了_LiIO_3 在室温高压下的压缩行为, 压力达23.0GPa. 观察到晶格压缩的各向异性, 其c/a 轴比以-6.187 * l0**3 /GPa的速率减小. 得到其常压下的体弹模量B。= 3 9.2 G Pa, 体弹模量对压力的一阶导数B。=3.7 8 7. _LiIO_3在高温高压下转变成四方结构, 与淬火卸压所得的“_LiIO_3, 结构一致.