本文研究了氨基氰分子(H2NCN)的光离解动力学。利用激光诱导荧光技术(LIF)检测了这一分子在193nm下光解所生成的CN(X2Σ+)基,在激光能量为0.35mJ/脉冲的条件下,CN(X)基的LIF信号十分弱,其0—0带的转动温度为1590±90K;当激光能量较高时,LIF信号明显增加,并观察到=2能级上的布居。在50℃的温度下,本实验测量了氨基氰分子的紫外吸收光谱,在193nm其吸收截面小于2.4×10-19cm2。二次光解机理可用来解释本实验的结果。

本文研究了κ光子么正演化算符Sk(z)的性质,包括相空间在Sk(z)作用下其性质的改变,以及相干态和真空态经高阶非线性作用后的特性,结果预言光场应存在有迄今尚未为人认识的新非经典效应。

用偏压磁控溅射所制备得的非晶钆铽铁膜具有适用于磁光存储的材料参数。垂直膜面磁各向异性能常数随着偏压的增加而增加,借助于Johnson-Mehl-Avrami方程和Kissinger方程的计算,报道了非晶Gd27Tb10Fe63膜的晶化动力学参数,激活能△E=2.0电子伏,转变指数n=1。上述成份的GdTbFe膜的晶化温度、激活能都要高于二元系统的GdCo,GdFe膜,等温退火的结果表明,GdTbFe膜具有磁光存储应用所必须要求的较好的热稳定性。

用一米掠入射真空紫外光谱仪拍摄了CT-6B托卡马克等离子体的杂质光谱,波长区为1580—550?和460—43?。观察到限制器材料钼的谱线MoⅧ234.314?,235.510?和237.215?,以及低Z杂质C,N,O的谱线。它们的最高电离阶分别为MoⅧ,OⅦ,CⅣ和NⅤ。在这些杂质光谱中,OⅤ和OⅥ谱线出现得多而且强,说明氧是CT-6B等离子体的主要杂质,它的线辐射在CT-6B辐射损失中占主要部分。观察到的最短波长为OⅦ 21.6020?和21.804?的二级谱。由MoⅧ和OⅦ谱线的出现可以估计出CT-6B等离子体平均电子温度约为140eV。在所观察波长区内,未发现真空室壁材料Fe,Ni,Cr,Ti等杂质的谱线。

用Au(Si)面垒探测器阵列测定了CT-6B托卡马克等离子体的软X射线辐射及其涨落。本文给出了内破裂期间等离子体中心区的软X射线锯齿振荡的经验定标律,利用电子温度的锯齿振荡研究了内破裂期间中心区的电子加热率,电子能量平衡,电子能量约束时间,电流密度分布和电子温度等电子热输运结果。

本文考虑一个严格一维的正常金属多分支结构,指出把Büttiker等人处理两分支结构的方法加以改进。即可解决这种多分支结构问题。我们给出了多分支结构的透射系数公式,作为一个简单的例子,求出了一个对称三分支结构的具体结果,并表明在这种结构中存在透射几率的共振现象。

本文考虑了晶体中总的电子态密度在低对称性下用点群不可约表示基函数分解的问题,并给出了Si中用D3d群不可约表示基函数分解最近邻两原子总态密度的计算结果。结合在位势近似Koster-Slater格林函数方法,文中将计算结果用于Si中双空位和硫属元素杂质对(S20,Se20和Te20)缺陷态电子结构的讨论。讨论得到的结果是:与点缺陷和缺陷对的深缺陷态对称性相匹配的部分态密度的分布是相似的;在态密度对缺陷能级的驱赶作用下,S20等的As能级在As能级之上,双空位的Eg能级在Eu能级之上,这种情况与通常双原子分子成反键能级位置完全相反;所讨论的缺陷对的波函数在Bloch空间的分布情况与对应的点缺陷类似。

本文对高温电子辐照硅中产生的缺陷进行了研究,发现缺陷的引进率随电子辐照温度的增加而增加,在达到极值温度Tm后,缺陷的引进率将随之而下降,Tm值与缺陷的退火激活能有关。E3缺陷(Ec—0.36eV)浓度在高温电子辐照中显著增加,在330℃高温电子辐照时,E3缺陷浓度为室温电子辐照的6倍。研究结果表明,E3缺陷的可能结构为与多空位和氧有关的复合体。

本文中提出了一种测量金属-半导体欧姆接触比接触电阻的新方法-圆环结构测试法。导出了适用于半无限大和有一定厚度的半导体材料的比接触电阻表达式,用此方法进行实验测量和计算,所得结果与文献结果符合得很好。

本文从广义Noether定理出发,对Einstein-Cartan引力理论中一般拉氏量所对应的守恒定律作了普遍的讨论,并由广义位移交换xμ＇=xμ+edμba得到了包含挠率的一般拉氏密度所对应的广义协变能量动量守恒定律,并论述了超势存在的必然性。它是文献[1]和[2]理论的自然推广。

本文利用X射线粉末照相法及透射电子显微镜选区电子衍射法,唯一地确定了作者在液态急冷Fe-12.6at％B合金中发现的新亚稳相具有六角点阵。其点阵参数为α=5.501? c=7.213?,c/α=1.311。

本文在Born一阶近似下,建立了一种能够方便计算各种过程的高能原子(或离子)碰撞截面的理论计算方法。对各种碰撞过程,进行了详细的理论分析,并对已有实验结果的H+,e,H,H-四种入射粒子与Na(3s→3p)的碰撞激发过程进行了理论计算。与实验结果的比较是令人满意的。

本文利用考虑胶子质量的重夸克偶素位势计算了t夸克偶素的能谱。

我们采用周期性Anderson模型哈密顿量解释了在低压下重费密子系统CeAl3的低温比热随压力变化的实验结果。

我们已近似地将周期性Anderson模型哈密顿量中的参数与Landau的费密液体理论中的唯象参数联系起来了,并且将这些理论应用到了重费密子超导系统,结果与实验定性相符。结论是由重费密于液体中的相互作用而引起的超导系统应是P波型超导系统。

本文在平均场近似的框架下,对于两δ函数无规分布讨论了对角无序对三重态双极化子系统的影响。得到无序对双极化子密度为半填充附近的影响较显著,超导较变温度严重降低;而当密度较小时,一般的无规能量并不能完全阻碍超导电性的发生,这是由双极化子的隧道运动所导致。因此可以期望在一些无序半导体中可以发现这种类型的超导体。

按Büttiker等人的方法,本文对两种非对称一维正常金属环求出了低温下的透射系数解析表式,并由此讨论了该结构中有趣的透射几率共振。在本文给出的透射系数一般表式中取两个极限,得到了与文献[11]类似的结果,同时也附带指出了文献[11]在计算对称环的透射系数中的一些差错。

我们用角分辨光电子谱(ARUPS)研究了Si(001)邻面上与台阶有关的电子态。在对称点Γ(K11=0),发现此态的能级在EF以下0.5—0.6eV处。同时还测得该态的色散(<0.3eV)比正常的Si(001)表面态的色散(0.6—0.7eV)来得小。

本文提出了一些布里渊区中的对称平均点,用它可以方便地计算布里渊区中的平均值,其精度可以和特殊点相比而计算量却要小得多。文内给出了立方和六角晶格的对称平均点,并用具体的数值计算例子说明了它的计算精度。

改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了Ep=1565keV时27Al(p,α)24Mg共振所形成的28Si 13.095MeV激发态能级寿命。采用MonteCarlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。

本文研究了14种LnP5O14(Ln=La→Lu)晶体的折射率(Ng,Nm,Np),密度(D),克分子体积(VM),克分子折射度(RM),同时还研究了波长、温度对晶体光学性质的影响,获得了一些规律性的结果。认为稀土化合物性质的变化规律不仅与稀土离子的特性有关,而且与周围环境的改变有关。