本文从Shockley-Read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,将载流子的输运方程化为二阶非线性微分方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解,且在二级近似下,计算了半导体材料的短路电流和光导电流,揭示了大信号情况下光磁电效应的非线性特征,进一步拟合了实验数据。

利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A1能级,其中成键性的A1能级位置在反键性的A1能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级(S0/Se0(X1),S0/Te0(X1),Se0/Te0(X1)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。

本文报道了有关溅射氧化铁薄膜磁性能的系统研究,特别着重于矫顽力的温度依赖关系和矫顽力随不同氧化铁相的变化。从理论分析与实验测量结果的对比中,给出了形状各向异性、磁晶各向异性及应力各向异性各自对Fe3O4薄膜、γ-Fe2O3薄膜及二者混合相薄膜的贡献,并且得到了Fe3O4薄膜和γ-Fe2O3薄膜的磁晶各向异性常数K1的温度依赖关系曲线。

用中子相干非弹性散射测量了Fe3Si在14K的自旋波色散关系。从自旋波二次方色散关系得到低温下自旋波劲度系数D0=270meV·?2。用Heisenberg模型可进一步导出Fe3Si的有效交换积分Jeff。从磁化强度的温度依赖关系也获得了一个自旋波劲度系数Dm(O)。从两种不同方法获得的劲度系数的比较中发现在Fe3Si中可能存在着Stoner激发,与早先工作相联系,本文还给出了从14K直到居里温度自旋波劲度系数D的温度依赖关系。

用布里渊散射技术测量了BCVIG(Bi3-2xCa2xFe5-xVxO12)单晶的磁振子散射谱,同Sande-rcock,Wettling对YIG以及刘玉龙等人对Bi-YIG单晶的测量相比,我们得到了除主峰之外的连续谱带。按照偶极-交换自旋波理论讨论了测到的自旋波谱。测量还表明BCVIG单晶的自旋波劲度系数D比YIG和Bi-YIG单晶大得多,讨论了D增大的原因,研究了D与入射激光功率的关系。

本文通过实验研究了YGG:Cr3+晶体的光谱特性,报道了室温下的吸收谱,10,133,300K的荧光谱,以及荧光寿命、无辐射跃迁几率、辐射量子效率与温度之间的依赖关系。从吸收谱及荧光谱中确定在C3i(S6)低对称场微扰下,Cr3+离子在基质YGG中2T1能级分裂的子能级及基态+A2→2E零声子跃迁R线的位置。

本文对a-Si:H/(a-SiNx:H)非晶态周期多层膜和单层膜进行了低角X射线衍射研究。在周期数较少的多层膜衍射的布喇格衍射峰的低角侧发现了一系列次级衍射峰;在单层膜样品的低角衍射中也发现了一系列小峰。对此,我们提出了一个用于计算非晶多层膜和单层膜衍射强度的简单公式,使实验结果得到解释,并提出了一种测量膜厚的方法。

本文计算了各向异性立方晶体的弹性格林函数的级数展开式,给出了直到二级近似的展开式的系数。将所得结果应用于弹性偶极子模型,给出了对称中心所产生的位移场及两对称中心间的弹性相互作用的表示式。应用于Cu,K等强各向异性立方晶体,虽然级数的收敛较慢,但所得关于对称中心的位移场,及二对称中心间的互作用能的数值结果,竟与基于点阵的不连续性作出的点阵静力学计算所得的结果基本一致。从而表明,本文给出的直到二级近似的弹性格林函数的解析表示提供了一个可以普遍应用的简便的方法。它可以较准确地描述立方晶体的某些力学行为。

为解释重费密子超导现象,本文在Kondo晶格中建立了S波和P波超导理论,并在推广的Nambu空间中对f电子和传导电子的杂化作用进行了自洽处理,计算了有关物理量。理论证明:如果认为f电子参与超导,对S波,所得到的超导转变温度与Tachiki等人的结果一致,但比热跃交与他们的不同,本文的结果更合理些;对P波,由Kondo晶格模型描述的重费密子超导系统等效于修正的局域的费密超流体。此外,本文还研究了杂质散射对超导态的影响,并对各种不同的超导态分别得到了出现无能隙超导的条件。

本文详细地计算了对角元为1.9[cos(0.7n)+1/3cos(1.4n)]、非对角Hn,n+1=Hn,n-1=1的一维无公度模型的电子态密度,用自能收敛性判据确定出迁移率边的精确位置,讨论了电子谱与迁移率边的自相似性。

本文计算了电感耦合氩等离子体中各碰撞截面及电导、热导、扩散和粘滞系数。指出热导在能量传递中起着重要作用,双极扩散则会造成冷等离子体区拥有比局部热平衡值大得多的电子密度。更重要的是,计算表明:三体复合和超弹性碰撞会导致冷等离子体区出现大量的高能电子,这种电子速度分布对Maxwell分布的偏离对作为发射光谱光源的等离子体的激发性质有着特殊的重要意义。

用141Ce源的145keVγ射线和Ge(Li)谱仪,对Al,Fe,Cu,Pb样品,在动量转移x=1.2—5?-1的范围内的相干散射进行了测量,实验结果在误差范围内与基于相对论的Hartree-Fock方法的形状因子近似理论计算值相吻合。

本文对等离子体氧轰击硅产生的缺陷进行了研究。发现等离子体氧轰击在硅中引入两个缺陷E1(Ec—0.46eV)及E2(Ec—0.04eV)。测量了缺陷的光电离截面谱,分析表明,缺陷E2的电子声子相互作用很强,其Frank-Condon移动达0.76eV,缺陷E1的电子声子相互作用较小,其Frank-Condon移动为0.04eV。由实验结果得到与缺陷E1、E2相耦合的声子模分别为hωp(1)=28meV,hωp(2)=20meV。

本文报道用激光布里渊散射法测量BixY3-xFe5O12(x=0,0.14,0.36,0.54)室温下的布里渊散射,观察到了热激发体磁振子散射,依据磁振子的频率-磁场关系,导出了材料的磁性参数。并发现了Bi代入时引起的自旋波劲度系数的增大现象。

本文报道沿与光轴成90°方向拍摄的2ω0谐波时间分辨光谱。谐波的主峰与次峰是由许多细而亮的条纹组成,对此我们作了理论分析。

本文报道用条纹相机在沿与激光光轴成90°方向拍摄的二次谐波发射的时空分辨结构,宽频带激光打靶与窄频带激光打靶表现出明显的差异,用孤立波产生理论进行分析,得出与实验基本相符的结果。

高气压氯化氙准分子激光放电的稳定性与HCl的浓度有关。本文分析了放电等离子体的电子连续性方程,指出均匀放电的持续时间与HCl浓度平方根成反比。该结果与X射线预电离脉冲形成网络泵浦氯化氙激光的实验能很好地符合。

用自制的低温装置保持LiF晶体的温度为77K,同时用电子束辐照,产生了浓度高达1017cm-3的F2+心。并对F2+心荧光发射特性进行了实验观测和理论分析。

应用光声效应(PAE)研究了聚双(对甲苯磺酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯宏观单晶体(PTS单晶体)从175—225K的光声信号及位相相对于温度的变化关系,在200±0.5K处光声信号及位相有跃变,表明该处存在一个二阶的结构相变。

3BaO·3B2O3·2Ge02是BaO-B2O3-GeO2三元系中的一个三元化合物。本文用差热分析法对3BaO·3B2O3·2GeO2非晶态晶化过程进行了研究,非晶的晶化温度随颗粒度减小而下降。用等温晶化法和峰值位移法测定了不同颗粒度的晶化激活能,非晶颗粒度越小,晶化激活能越大。