本文利用稳定性分析方法得到了一维延时系统定态稳定的充要条件。为研究系统的分岔和混沌行为,在长延时极限下对延时的倒数TR-1作渐近展开,得到的零级近似就是通常的一维映象,而TR-1的一级效应使系统运动的周期延长。更为有趣的现象是由更高级项带来的,TR-2项导致系统在每个分岔点出现滞迴过程(某种双稳现象);而TR-3项影响了系统的倍周期分岔行为:即分岔前后的周期之比并不是严格的二倍。高级效应还表明,在混沌带的合并点存在着不稳定窗口,并由此带来一些锁模现象。
本文利用稳定性分析方法得到了一维延时系统定态稳定的充要条件。为研究系统的分岔和混沌行为,在长延时极限下对延时的倒数TR-1作渐近展开,得到的零级近似就是通常的一维映象,而TR-1的一级效应使系统运动的周期延长。更为有趣的现象是由更高级项带来的,TR-2项导致系统在每个分岔点出现滞迴过程(某种双稳现象);而TR-3项影响了系统的倍周期分岔行为:即分岔前后的周期之比并不是严格的二倍。高级效应还表明,在混沌带的合并点存在着不稳定窗口,并由此带来一些锁模现象。
本文给出在CT-6B托卡马克装置上同时用两套快速反馈系统,加热场反馈系统和垂直场反馈系统,所得的各种反馈稳定区实验结果,并与理论计算结果进行了比较,实验的稳定区稍小于理论值。
本文给出在CT-6B托卡马克装置上同时用两套快速反馈系统,加热场反馈系统和垂直场反馈系统,所得的各种反馈稳定区实验结果,并与理论计算结果进行了比较,实验的稳定区稍小于理论值。
应用直接法测定晶体结构,在归一化结构因子的计算,结构因子相位测定与分子模型建立中均需使用尝试法。本文就后两个问题提出了|E|值选取、起始套选择、原子种类判别、原子占有率确定等尝试法则,并用于测定未知晶体结构多例,获得了成功。
应用直接法测定晶体结构,在归一化结构因子的计算,结构因子相位测定与分子模型建立中均需使用尝试法。本文就后两个问题提出了|E|值选取、起始套选择、原子种类判别、原子占有率确定等尝试法则,并用于测定未知晶体结构多例,获得了成功。
本文对NaCl型结构的稀土化合物RX(X=N,P,As,Sb,Bi)的晶场参数B40的实验值进行了分析。在此基础上我们提出一个新的利用简单点电荷模型计算RX晶场参数B40值的关系式:B40=k3(B40)p+c3。用此关系式我们确定了一系列RX的晶场参数B40值,结果与实验值符合很好。对关系式的含义本文也作了充分讨论。
本文对NaCl型结构的稀土化合物RX(X=N,P,As,Sb,Bi)的晶场参数B40的实验值进行了分析。在此基础上我们提出一个新的利用简单点电荷模型计算RX晶场参数B40值的关系式:B40=k3(B40)p+c3。用此关系式我们确定了一系列RX的晶场参数B40值,结果与实验值符合很好。对关系式的含义本文也作了充分讨论。
本文从实验上系统地研究了在不同条件下电子束辐照LiF晶体所形成的F3+色心的光学特点。并且由荧光光谱分析了F3+心和F2心,的相对密度关系。实验表明,辐照温度对于色心的形成和密度的相对大小起着关键的作用。主要实验结果包括:1)在液氮温度下辐照,然后在暗处加热至室温可形成高密度的F3+心,表现在发射光谱中F3+心荧光占绝对优势。吸收光谱表明没有N心和R心。2)由动力学荧光谱可以看到低温辐照的样品在F2+心衰变的同时,F3+心密度迅速增加。而室温辐照的样品则是F2心,与F3+心的密度以近似相等的速率增加。3)详细观察了F3+心530nm荧光激发带与F2心670nm荧光激发带半宽度的变化和双峰结构。由此对M吸收区的发光特点作了解释。
本文从实验上系统地研究了在不同条件下电子束辐照LiF晶体所形成的F3+色心的光学特点。并且由荧光光谱分析了F3+心和F2心,的相对密度关系。实验表明,辐照温度对于色心的形成和密度的相对大小起着关键的作用。主要实验结果包括:1)在液氮温度下辐照,然后在暗处加热至室温可形成高密度的F3+心,表现在发射光谱中F3+心荧光占绝对优势。吸收光谱表明没有N心和R心。2)由动力学荧光谱可以看到低温辐照的样品在F2+心衰变的同时,F3+心密度迅速增加。而室温辐照的样品则是F2心,与F3+心的密度以近似相等的速率增加。3)详细观察了F3+心530nm荧光激发带与F2心670nm荧光激发带半宽度的变化和双峰结构。由此对M吸收区的发光特点作了解释。
通过测量AgI(α-Fe2O3)复合离子导体的直流和交流电导率,发现α-Fe2O3的Morin转变温度随着AgI含量的增加而降低,电导率测量的结果与磁化率测量和M?ssbauer谱测量结果定性的符合。α-Fe2O3也使AgI的α→β相转变温度显著下降。结果表明复合离子导体二相材料各自存在的相转变温度彼此产生影响。
通过测量AgI(α-Fe2O3)复合离子导体的直流和交流电导率,发现α-Fe2O3的Morin转变温度随着AgI含量的增加而降低,电导率测量的结果与磁化率测量和M?ssbauer谱测量结果定性的符合。α-Fe2O3也使AgI的α→β相转变温度显著下降。结果表明复合离子导体二相材料各自存在的相转变温度彼此产生影响。
用12kW转靶X射线衍射装置测定了非晶半导体a-As2Se3,a-AsSe以及a-As0.05,Se0.95的k吸收EXAFS,a-As2Se3经T≤Tg(玻璃转变温度)的不同温度处理后,亦进行了测定。由获得的径向结构函数分析表明:尽管a-As2Se3的短程结构与晶态c-As2Se3十分相似,但经过低于Tg的退火处理后,其径向结构函数发生了一定的变化。熔态淬火制备的a-As2Se3块体亦发生结构弛豫。此外,在非晶态As-Se二元系中随As含量的变化,材料的近程结构亦不同。
用12kW转靶X射线衍射装置测定了非晶半导体a-As2Se3,a-AsSe以及a-As0.05,Se0.95的k吸收EXAFS,a-As2Se3经T≤Tg(玻璃转变温度)的不同温度处理后,亦进行了测定。由获得的径向结构函数分析表明:尽管a-As2Se3的短程结构与晶态c-As2Se3十分相似,但经过低于Tg的退火处理后,其径向结构函数发生了一定的变化。熔态淬火制备的a-As2Se3块体亦发生结构弛豫。此外,在非晶态As-Se二元系中随As含量的变化,材料的近程结构亦不同。
用静电激发调频检测法对比测量了纯镍试样电解充氢和人为部分应力松弛后在室温时效过程中杨氏模量随时间的变化。结果表明:在人为部分应力松弛后的时效过程中,杨氏模量逐渐升高,其稳态值比初始值升高0.87%;而在充氢后的时效过程中,氢不断地从试样中逸出,同时杨氏模量也不断地降低,其稳态值比充氢后的瞬时值低2.87%;即,氢原子能明显地增高纯镍的弹性模量。
用静电激发调频检测法对比测量了纯镍试样电解充氢和人为部分应力松弛后在室温时效过程中杨氏模量随时间的变化。结果表明:在人为部分应力松弛后的时效过程中,杨氏模量逐渐升高,其稳态值比初始值升高0.87%;而在充氢后的时效过程中,氢不断地从试样中逸出,同时杨氏模量也不断地降低,其稳态值比充氢后的瞬时值低2.87%;即,氢原子能明显地增高纯镍的弹性模量。
本文介绍了用γ共振吸收法测量40Ca 9603.9keV,10321.0keV两组能级和9864.6,9868.8keV一组双重态能级的能级宽度,选用39K(p,γ)反应所放出的γ射线激发相应的40Ca吸收核能级。对于9603.9keV,10321.0keV的能级宽度,这里给出了比较精确的结果,相应的能级宽度分别为Γ=188±47eV,Γ=91±15eV。对于9864.6,9868.8keV能级,结果为Γ=100±24eV,Γ=899±214eV,由于40Ca 9864.6,9868.8keV两能级靠得很近,因此这里用γ共振吸收法测量它们的能级宽度与以往有所不同,将同时有两组γ射线用来激发同样两个能级而发生交叉激发。我们对相应的实验处理方法作了推广。此外,用(p,γ)共振产额法测量了40Ca 9603.9keV,10321.0keV能级宽度,得到了与γ共振吸收法一致的结果。本文还对40Ca 9603.9keV,10321.0keV能级的(p,γ)共振强度Spγ、同位旋T等进行了讨论。
本文介绍了用γ共振吸收法测量40Ca 9603.9keV,10321.0keV两组能级和9864.6,9868.8keV一组双重态能级的能级宽度,选用39K(p,γ)反应所放出的γ射线激发相应的40Ca吸收核能级。对于9603.9keV,10321.0keV的能级宽度,这里给出了比较精确的结果,相应的能级宽度分别为Γ=188±47eV,Γ=91±15eV。对于9864.6,9868.8keV能级,结果为Γ=100±24eV,Γ=899±214eV,由于40Ca 9864.6,9868.8keV两能级靠得很近,因此这里用γ共振吸收法测量它们的能级宽度与以往有所不同,将同时有两组γ射线用来激发同样两个能级而发生交叉激发。我们对相应的实验处理方法作了推广。此外,用(p,γ)共振产额法测量了40Ca 9603.9keV,10321.0keV能级宽度,得到了与γ共振吸收法一致的结果。本文还对40Ca 9603.9keV,10321.0keV能级的(p,γ)共振强度Spγ、同位旋T等进行了讨论。
用热脱附谱研究了原子氢在Si(111)表面的吸附,得到了两个吸附状态。从脱附谱特性同Si(100)/H系统的相似性,可以推测氢在Si(111)表面也存在单氢化相和双氢化相两种状态。单氢化相主要是顶位吸附所形成的,而双氢化相的形成则可以用McRae所提出的Si(111)(7×7)表面原子结构的三角形二聚物层错模型来解释。
用热脱附谱研究了原子氢在Si(111)表面的吸附,得到了两个吸附状态。从脱附谱特性同Si(100)/H系统的相似性,可以推测氢在Si(111)表面也存在单氢化相和双氢化相两种状态。单氢化相主要是顶位吸附所形成的,而双氢化相的形成则可以用McRae所提出的Si(111)(7×7)表面原子结构的三角形二聚物层错模型来解释。
本文研究了对宽束和细束阴极透镜普遍适用的电磁复合聚焦球面阴极透镜的象差理论。在考虑物场和象场弯曲以及阴极面上磁场和横向电场不为零的情况下,导出了任意理想象面上的一级近轴横向象差和包括色象差在内的全部三级横向象差矩阵公式。所得的结果较为完整、普遍。本文详细讨论了宽束和细束阴极透镜的关系,并用轨迹法和变分法严格证明了:当考虑阴极面逸出电子具有一定的初能量和初角度分布,并采用准规范化电位表示的近轴轨迹方程来讨论系统的理想成象时,宽束和细束两类阴极透镜从象差理论以至导出的三级横向象差、象差系数表示式都可以统一起来。本文采用矢量描写轨迹,运用矩阵表示象差,形式简洁,象差系数积分收敛,适合于计算机计算。
本文研究了对宽束和细束阴极透镜普遍适用的电磁复合聚焦球面阴极透镜的象差理论。在考虑物场和象场弯曲以及阴极面上磁场和横向电场不为零的情况下,导出了任意理想象面上的一级近轴横向象差和包括色象差在内的全部三级横向象差矩阵公式。所得的结果较为完整、普遍。本文详细讨论了宽束和细束阴极透镜的关系,并用轨迹法和变分法严格证明了:当考虑阴极面逸出电子具有一定的初能量和初角度分布,并采用准规范化电位表示的近轴轨迹方程来讨论系统的理想成象时,宽束和细束两类阴极透镜从象差理论以至导出的三级横向象差、象差系数表示式都可以统一起来。本文采用矢量描写轨迹,运用矩阵表示象差,形式简洁,象差系数积分收敛,适合于计算机计算。
本文应用变分原理研究了电磁复合聚焦-偏转球面阴极透镜的相对论象差理论。在考虑阴极面逸出电子具有一定的初能量和初角度分布,物场和象场弯曲以及阴极面上磁场和横向电场不为零的情况下,导出了任意理想象面上的一级近轴横向象差和包括色球差在内的全部三级几何横向象差,以及各种特殊类型象差系数的明显表达式。本文导出的象差公式不仅普遍适用于宽束和细束阴极透镜,而且普遍适用于相对论或非相对论,阴极和屏为球面或平面时的各种情况。本文以复数描写轨迹,用矩阵表示象差,形式简洁,适合于计算机计算。
本文应用变分原理研究了电磁复合聚焦-偏转球面阴极透镜的相对论象差理论。在考虑阴极面逸出电子具有一定的初能量和初角度分布,物场和象场弯曲以及阴极面上磁场和横向电场不为零的情况下,导出了任意理想象面上的一级近轴横向象差和包括色球差在内的全部三级几何横向象差,以及各种特殊类型象差系数的明显表达式。本文导出的象差公式不仅普遍适用于宽束和细束阴极透镜,而且普遍适用于相对论或非相对论,阴极和屏为球面或平面时的各种情况。本文以复数描写轨迹,用矩阵表示象差,形式简洁,适合于计算机计算。
化学共沉淀工艺制备Zn0.2Fe2.8O4铁氧体颗粒,颗粒尺寸约300埃,近似呈球状,在其表面外延生长一层钴铁氧体层。测量了矫顽力、铁磁共振线宽随钴含量的变化,得到由于外延层引起的磁各向异性常数Ku约为5×105尔格/厘米3。由实验结果分析,主要是Zn0.2Fe2.8O4颗粒表面与外延生长层相当于两个氧离子层厚所产生的相互作用。
化学共沉淀工艺制备Zn0.2Fe2.8O4铁氧体颗粒,颗粒尺寸约300埃,近似呈球状,在其表面外延生长一层钴铁氧体层。测量了矫顽力、铁磁共振线宽随钴含量的变化,得到由于外延层引起的磁各向异性常数Ku约为5×105尔格/厘米3。由实验结果分析,主要是Zn0.2Fe2.8O4颗粒表面与外延生长层相当于两个氧离子层厚所产生的相互作用。
本文分析了托卡马克中的等离子体具有一个整体流动速度时,撕裂模的活动情况。分析与数值计算指出,等离子体的整体流动(等价于具有一个旋转频率)不影响撕裂模的活动,只是使撕裂模具有一个和等离子体相同的旋转频率。外加螺旋场在撕裂层能有效地抑制住等离子体的旋转。螺旋场对撕裂模的稳定作用不受等离子体旋转的影响。
本文分析了托卡马克中的等离子体具有一个整体流动速度时,撕裂模的活动情况。分析与数值计算指出,等离子体的整体流动(等价于具有一个旋转频率)不影响撕裂模的活动,只是使撕裂模具有一个和等离子体相同的旋转频率。外加螺旋场在撕裂层能有效地抑制住等离子体的旋转。螺旋场对撕裂模的稳定作用不受等离子体旋转的影响。
利用电子迴旋共振加热的定域性,改善等离子体电流分布,从而改善撕裂模的稳定条件,只要电子迴旋共振加热的吸收区能覆盖住撕裂模的共振层,就有很好的稳定效应;而不一定要求电子迴旋共振面与撕裂模的共振面重合,在迴旋加热期间,撕裂模被有效地抑制住。
利用电子迴旋共振加热的定域性,改善等离子体电流分布,从而改善撕裂模的稳定条件,只要电子迴旋共振加热的吸收区能覆盖住撕裂模的共振层,就有很好的稳定效应;而不一定要求电子迴旋共振面与撕裂模的共振面重合,在迴旋加热期间,撕裂模被有效地抑制住。
非晶态Li+导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-0.1Al2O3在等温处理过程中,其电导率先随时间升高,出现峰值后下降,随后出现两个平台。这是由于材料的分相和晶化所致。本文据相界效应观点,认为不同相之间界面附近有一高电导率层,它对电导率的贡献补偿和超过了由于分相和晶化的体效应所引起的电导率下降。由此,对这种材料的电导率随时间变化曲线给出了解释。
非晶态Li+导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-0.1Al2O3在等温处理过程中,其电导率先随时间升高,出现峰值后下降,随后出现两个平台。这是由于材料的分相和晶化所致。本文据相界效应观点,认为不同相之间界面附近有一高电导率层,它对电导率的贡献补偿和超过了由于分相和晶化的体效应所引起的电导率下降。由此,对这种材料的电导率随时间变化曲线给出了解释。
根据某些重费密子超导系统可能是P波型超导系统的思想,我们讨论了在巡游铁磁体中的超导电性问题。所得结论是在某些特定参数的系统、在某些温度点,可能形成铁磁超导体。
根据某些重费密子超导系统可能是P波型超导系统的思想,我们讨论了在巡游铁磁体中的超导电性问题。所得结论是在某些特定参数的系统、在某些温度点,可能形成铁磁超导体。
本文用Monte Carlo方法对四维对称格点规范理论中具有较好标度性行为的单元格EXP作用量计算了重夸克-反夸克势。计算中利用了重整化群处理方法和SU(2)群的正二十面体子群近似。计算结果与维象的弦理论给出的库仑势加线性势的形式一致。
本文用Monte Carlo方法对四维对称格点规范理论中具有较好标度性行为的单元格EXP作用量计算了重夸克-反夸克势。计算中利用了重整化群处理方法和SU(2)群的正二十面体子群近似。计算结果与维象的弦理论给出的库仑势加线性势的形式一致。
用UPS技术获得了GDa-Si1-xCx:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。
用UPS技术获得了GDa-Si1-xCx:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。