本文对Mn离子取代M型钡铁氧体BaFe12-xMnxO19作了较系统的研究。主要结论如下:(1)在我们的实验条件下,Mn的取代量x可达4,其中约有0.1—0.3的Mn2+存在,其余Mn为三价。(2)Mn离子主要进入12k和2a晶位。(3)BaFe12-xMnxO19的各向异性常数K19,居里温度Tc和饱和磁化强度σs均随x的增加而下降。(4)Mn引起BaFe12-xMnxO19的非共线自旋结构。(5)Mn3+在12k和2a晶位中的平均零场劈裂因子Dh比尖晶石中八面体B位上的Mn3+之Dc值小近一个数量级。
本文对Mn离子取代M型钡铁氧体BaFe12-xMnxO19作了较系统的研究。主要结论如下:(1)在我们的实验条件下,Mn的取代量x可达4,其中约有0.1—0.3的Mn2+存在,其余Mn为三价。(2)Mn离子主要进入12k和2a晶位。(3)BaFe12-xMnxO19的各向异性常数K19,居里温度Tc和饱和磁化强度σs均随x的增加而下降。(4)Mn引起BaFe12-xMnxO19的非共线自旋结构。(5)Mn3+在12k和2a晶位中的平均零场劈裂因子Dh比尖晶石中八面体B位上的Mn3+之Dc值小近一个数量级。
本文研究了部分B元素替代Fe对非晶态FeZr基合金磁性、电性和晶化的影响,并与非晶态FeB合金作了比较。解释了样品中每个FeZr原子的平均磁矩μFeZr和居里温度Tc随B含量x的增加而增加的原因,讨论了在不同的温区样品中可能存在的散射机制对电阻率的贡献以及影响晶化温度的因素。
本文研究了部分B元素替代Fe对非晶态FeZr基合金磁性、电性和晶化的影响,并与非晶态FeB合金作了比较。解释了样品中每个FeZr原子的平均磁矩μFeZr和居里温度Tc随B含量x的增加而增加的原因,讨论了在不同的温区样品中可能存在的散射机制对电阻率的贡献以及影响晶化温度的因素。
对多晶纯铁薄膜在硼离子注入下产生非晶态合金层的过程作了研究,观察到膜的磁矫顽场随注入剂量增大而呈现非单调降低等有趣现象,并讨论了其可能的机理。
对多晶纯铁薄膜在硼离子注入下产生非晶态合金层的过程作了研究,观察到膜的磁矫顽场随注入剂量增大而呈现非单调降低等有趣现象,并讨论了其可能的机理。
本文利用微扰论方法,直接求解带弛豫项的光学Bloch方程,给出了计算各级微扰的递推公式,具体地给出了一级和二级微扰近似的解析表达式,并对所得结果做了物理解释。
本文利用微扰论方法,直接求解带弛豫项的光学Bloch方程,给出了计算各级微扰的递推公式,具体地给出了一级和二级微扰近似的解析表达式,并对所得结果做了物理解释。
利用强流电子束技术产生通量密度为1018—1019X-ray photon/sr·s的脉冲CuKX射线源,标定PIN型硅二极管半导体探测器对X光子的脉冲灵敏度。用绝对X射线监测器——P10气体脉冲电离室作为脉冲X射线通量密度的标准。脉冲电荷自动测量仪由微处理机进行程序控制,并予以实时校准。该电离室测量通量密度的精度为±5％,适用的能通量率范围可达4×10-9—2×102W/cm2,适用的光子能量范围为1.5—10keV,标定探测器的精度为±7.0％,并发现PIN型硅二极管的脉冲灵敏度比稳态X射线束标定的灵敏度高30％左右。
利用强流电子束技术产生通量密度为1018—1019X-ray photon/sr·s的脉冲CuKX射线源,标定PIN型硅二极管半导体探测器对X光子的脉冲灵敏度。用绝对X射线监测器——P10气体脉冲电离室作为脉冲X射线通量密度的标准。脉冲电荷自动测量仪由微处理机进行程序控制,并予以实时校准。该电离室测量通量密度的精度为±5％,适用的能通量率范围可达4×10-9—2×102W/cm2,适用的光子能量范围为1.5—10keV,标定探测器的精度为±7.0％,并发现PIN型硅二极管的脉冲灵敏度比稳态X射线束标定的灵敏度高30％左右。
本文给出托卡马克装置中,等离子体电流环水平位移和电流值同时作线性反馈控制时的演化方程,反馈控制稳定性的判据和在小扰动下作线性近似给出CT-6B装置的反馈稳定区的计算结果。
本文给出托卡马克装置中,等离子体电流环水平位移和电流值同时作线性反馈控制时的演化方程,反馈控制稳定性的判据和在小扰动下作线性近似给出CT-6B装置的反馈稳定区的计算结果。
本文导出了法向入射时,双频激光辐照的等离子体中的稳态电场强度和局域标度长度的解析表达式。结果表明,双频辐照的有质动力可以导致临界面附近出现密度凹坑和临界密度处的局域标度长度在某个强度范围内的反常增加和起伏。
本文导出了法向入射时,双频激光辐照的等离子体中的稳态电场强度和局域标度长度的解析表达式。结果表明,双频辐照的有质动力可以导致临界面附近出现密度凹坑和临界密度处的局域标度长度在某个强度范围内的反常增加和起伏。
研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO4晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数cij和sij(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T0=25℃时的一级、二级和三级温度系数。
研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO4晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数cij和sij(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T0=25℃时的一级、二级和三级温度系数。
本文将红外发散响应理论应用到玻璃中结构缺陷的二能级模型,解释了超声吸收的双峰结构,特别是提出了小峰的存在对频率的依赖关系。并且在引入热激活有效势的基础上,对SiO2在整个温区的吸收曲线进行了成功的拟合。
本文将红外发散响应理论应用到玻璃中结构缺陷的二能级模型,解释了超声吸收的双峰结构,特别是提出了小峰的存在对频率的依赖关系。并且在引入热激活有效势的基础上,对SiO2在整个温区的吸收曲线进行了成功的拟合。
利用高分辨的傅里叶光谱仪,在400—4000cm-1和11—300K范围内,观察到一些其吸收系数为10-1cm-1的新弱吸收峰,频率位置为996,965,932,838,806,776,742,718,590,558,538cm-1。从这些弱吸收峰的频率位置和温度依赖关系,可以认为它们是由于三声子的晶格吸收过程所引起的。对此,我们做了适当的指认。此外,我们首次利用红外吸收法证实,LEC(B2O3)-CZInP单晶存在B玷污,其玷污量大约是1016cm-3。
利用高分辨的傅里叶光谱仪,在400—4000cm-1和11—300K范围内,观察到一些其吸收系数为10-1cm-1的新弱吸收峰,频率位置为996,965,932,838,806,776,742,718,590,558,538cm-1。从这些弱吸收峰的频率位置和温度依赖关系,可以认为它们是由于三声子的晶格吸收过程所引起的。对此,我们做了适当的指认。此外,我们首次利用红外吸收法证实,LEC(B2O3)-CZInP单晶存在B玷污,其玷污量大约是1016cm-3。
背散射因子是俄歇定量分析中要考虑的主要因素。本文提出一种利用微分前俄歇谱N(E)背景求得背散射因子的新方法。由于使背散射因子的计算与能谱相结合,这种方法不但可以避免Monte Carlo的冗长计算,还能进一步提高定量分析的精度。文中列举了用该方法对Au-Cu和Ag-Cu两种合金的定量分析结果,并与Monte Carlo和相对灵敏度因子方法的结果进行了比较。
背散射因子是俄歇定量分析中要考虑的主要因素。本文提出一种利用微分前俄歇谱N(E)背景求得背散射因子的新方法。由于使背散射因子的计算与能谱相结合,这种方法不但可以避免Monte Carlo的冗长计算,还能进一步提高定量分析的精度。文中列举了用该方法对Au-Cu和Ag-Cu两种合金的定量分析结果,并与Monte Carlo和相对灵敏度因子方法的结果进行了比较。
本文建议以双极化子微观模型,根据多声子晶格弛豫理论解释顺式聚乙炔的喇曼谱。在准一维哈密顿量中考虑了电子与不同声子模的耦合,其耦合常数由红外及喇曼实验数据确定。理论计算结果与实验数据进行了比较和讨论。文中采用的方法可以推广到类似的系统
本文建议以双极化子微观模型,根据多声子晶格弛豫理论解释顺式聚乙炔的喇曼谱。在准一维哈密顿量中考虑了电子与不同声子模的耦合,其耦合常数由红外及喇曼实验数据确定。理论计算结果与实验数据进行了比较和讨论。文中采用的方法可以推广到类似的系统
本文直接基于连续化后的SSH哈密顿量,得到一组电子波函数满足的方程。在略去其中一些项后,便回到TLM模型中的BdG方程。进一步严格地求出了这组方程的解析解。在零级近似下,便回到SSH的简单的畴壁型孤子解。
本文直接基于连续化后的SSH哈密顿量,得到一组电子波函数满足的方程。在略去其中一些项后,便回到TLM模型中的BdG方程。进一步严格地求出了这组方程的解析解。在零级近似下,便回到SSH的简单的畴壁型孤子解。
在半导体表面的亚微米通道中,实验上发现电导率随门电压的变化呈现出振荡结构,本文利用格林函数方法计算了狭通道的定域态密度,并看到它具有一系列尖峰,因而定性地解释了电导率振荡的来源。
在半导体表面的亚微米通道中,实验上发现电导率随门电压的变化呈现出振荡结构,本文利用格林函数方法计算了狭通道的定域态密度,并看到它具有一系列尖峰,因而定性地解释了电导率振荡的来源。
利用微波-射频多量子跃迁对单量子微波跃迁谱线强度的影响,我们在实验上找到了一种在光抽运实验中观察射频共振的灵敏的新方法。
利用微波-射频多量子跃迁对单量子微波跃迁谱线强度的影响,我们在实验上找到了一种在光抽运实验中观察射频共振的灵敏的新方法。
本文在两种碰撞模型(BGK模型和LB模型)下,计算了碰撞对等离子体色散方程的影响。碰撞的主要作用是使色散函数Z(ξ)变为广义色散函数W(ξ,ν)。分析比较了两种模型下广义色散函数的性质。讨论了碰撞对低频漂移波(局域模)和离声波稳定性的影响。分析表明,LB模型不仅在物理上更为合理,而且在计算及表达形式上也比BGK模型更为简明。
本文在两种碰撞模型(BGK模型和LB模型)下,计算了碰撞对等离子体色散方程的影响。碰撞的主要作用是使色散函数Z(ξ)变为广义色散函数W(ξ,ν)。分析比较了两种模型下广义色散函数的性质。讨论了碰撞对低频漂移波(局域模)和离声波稳定性的影响。分析表明,LB模型不仅在物理上更为合理,而且在计算及表达形式上也比BGK模型更为简明。
本文给出了多元体系中谐波对EXAFS振幅的影响的计算方法,并以实例计算和测量了这种影响,两者结果相符。
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用分步激发技术测得了Sr(5p1/2nd)3系列(n=11—24)自电离能级的位置及其有效量子数ν1/2。对其与(5p3/2nd)3,系列间可能存在的组态相互作用,进行了初步探讨。
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本文用CPA方法研究了界面扩散对超晶格电子结构的影响。我们看到,无论是扩散区还是无扩散区,所对应的电子局部态密度都要受到这种原子互扩散过程的影响。
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本工作利用透射电子显微术研究了Pd-Si薄膜固相反应的初始生成相及生成相Pd2Si与(111)取向Si衬底的取向关系随Pd膜厚度、退火温度等因素的变化规律。实验结果表明:在衬底保持室温的条件下,Pd沉积到Si(111)上时也能够生成一层外延的Pd2Si,其厚度足以在常规的选区电子衍射中产生明显的信号。在170℃退火时,Pd-Si反应即可持续到生成200nm厚的外延的Pd2Si。在Pd膜厚度为400nm的条件下,Pd2Si与Si(111)衬底的取向关系为[0001](Pd2Si)轴织构。
本工作利用透射电子显微术研究了Pd-Si薄膜固相反应的初始生成相及生成相Pd2Si与(111)取向Si衬底的取向关系随Pd膜厚度、退火温度等因素的变化规律。实验结果表明:在衬底保持室温的条件下,Pd沉积到Si(111)上时也能够生成一层外延的Pd2Si,其厚度足以在常规的选区电子衍射中产生明显的信号。在170℃退火时,Pd-Si反应即可持续到生成200nm厚的外延的Pd2Si。在Pd膜厚度为400nm的条件下,Pd2Si与Si(111)衬底的取向关系为[0001](Pd2Si)轴织构。