在晶体结构中出现的赝对称性,按对称元素类型可分为倒反型、平移型与其它对称元素型三种。本文着重分析了可能出现的平移赝对称形式,并以低级晶系所属的74个空间群为例导出了赝对称形式。所列实例说明赝对称现象的普遍性。文末讨论了赝对称群与固有对称群间的相容性质。
在晶体结构中出现的赝对称性,按对称元素类型可分为倒反型、平移型与其它对称元素型三种。本文着重分析了可能出现的平移赝对称形式,并以低级晶系所属的74个空间群为例导出了赝对称形式。所列实例说明赝对称现象的普遍性。文末讨论了赝对称群与固有对称群间的相容性质。
本文分析了规范群上同调的拓扑障碍。指出规范群上同调的上边缘算子相当于?ech的差映射算子。采用逐级分区的方法克服以往常用的d-1算子的含混性,而且将各阶上闭链与指数Z相联系,澄清了规范群上闭链的整体拓扑意义。
本文分析了规范群上同调的拓扑障碍。指出规范群上同调的上边缘算子相当于?ech的差映射算子。采用逐级分区的方法克服以往常用的d-1算子的含混性,而且将各阶上闭链与指数Z相联系,澄清了规范群上闭链的整体拓扑意义。
对于形状比较复杂的费密面,普通的固体量子振荡频谱分析方法遇到了很大的困难,某些问题的研究工作(例如,Ⅳ—Ⅵ族化合物畸变相费密面的研究)因此而一度停顿。本文提出了一种双窗函数方法,成功地解决了Pb1-xSnxTe,SnTe等畸变相费密面的测绘问题,这种方法选用“强”、“弱”两种不同时窗函数,加在量子振荡信号上,分别进行频谱分析,从而最大限度地压低噪声水平,尽可能提高检测灵敏度的同时,又保证了较高的分辨率和较低的误差,对计算机模拟信号(由振幅不等的10个分量组成)的分析表明,最大频率误差不超过1％。
对于形状比较复杂的费密面,普通的固体量子振荡频谱分析方法遇到了很大的困难,某些问题的研究工作(例如,Ⅳ—Ⅵ族化合物畸变相费密面的研究)因此而一度停顿。本文提出了一种双窗函数方法,成功地解决了Pb1-xSnxTe,SnTe等畸变相费密面的测绘问题,这种方法选用“强”、“弱”两种不同时窗函数,加在量子振荡信号上,分别进行频谱分析,从而最大限度地压低噪声水平,尽可能提高检测灵敏度的同时,又保证了较高的分辨率和较低的误差,对计算机模拟信号(由振幅不等的10个分量组成)的分析表明,最大频率误差不超过1％。
用半经典理论研究了光纤材料的线性和非线性折射率,以及它们与温度的关系,并研究了零色散点与温度的关系,理论与实验相符。
用半经典理论研究了光纤材料的线性和非线性折射率,以及它们与温度的关系,并研究了零色散点与温度的关系,理论与实验相符。
我们从实验上观察到3ω0/2谐波沿90°辐射精细结构,并从运动细丝底部附近nc/4处辐射3ω0/2谐波来解释3ω0/2谐波细丝结构的存在;从运动的细丝底部对TPD带来的Doppler修正解释3ω0/2谐波的双峰结构以及红强蓝弱的特点,数量上对红移、蓝移的估算与实验大体相符。用宽带激光打靶,由于靶面照明均匀及宽频带作用,细丝不易形成,对抑制TPD产生的超热电子可能是有益的。
我们从实验上观察到3ω0/2谐波沿90°辐射精细结构,并从运动细丝底部附近nc/4处辐射3ω0/2谐波来解释3ω0/2谐波细丝结构的存在;从运动的细丝底部对TPD带来的Doppler修正解释3ω0/2谐波的双峰结构以及红强蓝弱的特点,数量上对红移、蓝移的估算与实验大体相符。用宽带激光打靶,由于靶面照明均匀及宽频带作用,细丝不易形成,对抑制TPD产生的超热电子可能是有益的。
本文研究了氧族元素s和Se在Ni(111)衬底上形成的p(2×2)和(31/2×31/2)两种重构吸附系统依赖能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,由对不同的原子吸附位和不同的电子波束的计算,分析了它们对Fourier峰位及相对应的层距修正值Δn的影响,并详细讨论了它们与表面原子间距之间的关系。
本文研究了氧族元素s和Se在Ni(111)衬底上形成的p(2×2)和(31/2×31/2)两种重构吸附系统依赖能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,由对不同的原子吸附位和不同的电子波束的计算,分析了它们对Fourier峰位及相对应的层距修正值Δn的影响,并详细讨论了它们与表面原子间距之间的关系。
本文讨论了非晶态NdxT1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。
本文讨论了非晶态NdxT1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。
我们用两种不同直径球的无规密堆计算机模型模拟了Ni64B36金属玻璃的结构,计算了模型的简约部分径向分布函数、角分布函数及均匀度,对结构的化学短程序进行了讨论,我们的计算结果表明,在过渡金属-类金属型(TM-M)的非晶态合金中,类金属原子的相对分布是结构中化学短程序的重要特征,这一特征可以用M-M原子的部分径向分布函数中第二峰的第一个分裂次峰的位置rc来表征。
我们用两种不同直径球的无规密堆计算机模型模拟了Ni64B36金属玻璃的结构,计算了模型的简约部分径向分布函数、角分布函数及均匀度,对结构的化学短程序进行了讨论,我们的计算结果表明,在过渡金属-类金属型(TM-M)的非晶态合金中,类金属原子的相对分布是结构中化学短程序的重要特征,这一特征可以用M-M原子的部分径向分布函数中第二峰的第一个分裂次峰的位置rc来表征。
用穆斯堡尔谱,磁性测量,中子衍射和X射线光电子能谱(XPS)等方法对纯的和包钴α-Fe2O3粉末Morin相变的影响以及有关性质进行了研究,发现包钴会使α-Fe2O3的Morin温度降低,相变温度的区域扩大,矫顽力明显增大,3d能带变化,假设包钴可使α-Fe2O3的单离子各向异性常数KFS下降来解释上述实验结果。
用穆斯堡尔谱,磁性测量,中子衍射和X射线光电子能谱(XPS)等方法对纯的和包钴α-Fe2O3粉末Morin相变的影响以及有关性质进行了研究,发现包钴会使α-Fe2O3的Morin温度降低,相变温度的区域扩大,矫顽力明显增大,3d能带变化,假设包钴可使α-Fe2O3的单离子各向异性常数KFS下降来解释上述实验结果。
本文通过对11B核磁共振(11B-NMR)、红外光谱等实验方法,研究了LiF-LiCl-B2O3三元系统玻璃的结构和离子导电性,着重于F-离子在玻璃网络中所起的作用,以及F-,Cl-和Li+离子对导电率的影响。LiF-LiCl-B2O3三元系统玻璃,随LiF含量的增加,B由三角体向四面体变化,从而F-离子进入网络,使玻璃结构由[B2O3]三角体层状结构向三维空间延展,形成了含有[BO3F]基团的三维空间网络,Cl-离子以游离的离子存在于网络中,起着松散网络的作用,对提高电导率有利,而Li+离子作为传导离子,对电导率的贡献是主要的。本系统玻璃的电导率是随LiF,LiCl含量的增加而增大,在300℃时测得电导率σ=6.12×10-4Ω-1·cm-1。
本文通过对11B核磁共振(11B-NMR)、红外光谱等实验方法,研究了LiF-LiCl-B2O3三元系统玻璃的结构和离子导电性,着重于F-离子在玻璃网络中所起的作用,以及F-,Cl-和Li+离子对导电率的影响。LiF-LiCl-B2O3三元系统玻璃,随LiF含量的增加,B由三角体向四面体变化,从而F-离子进入网络,使玻璃结构由[B2O3]三角体层状结构向三维空间延展,形成了含有[BO3F]基团的三维空间网络,Cl-离子以游离的离子存在于网络中,起着松散网络的作用,对提高电导率有利,而Li+离子作为传导离子,对电导率的贡献是主要的。本系统玻璃的电导率是随LiF,LiCl含量的增加而增大,在300℃时测得电导率σ=6.12×10-4Ω-1·cm-1。
本文用X射线多晶衍射方法和差热分析方法研究了LaNi5-xSix(x≤1.25)的相关系,用排水取气法测量了样品的吸H2性能,LaNi5,的固溶体和新的三元化合物LaNi4Si形成共晶体系,共晶温度1170℃,共晶点x=0.96,在单相区中LaNi5,相点阵常数随Si替代量增加,a减小,c增大,三元化合物LaNi4Si属正交晶系,点阵常数a=8.382?,b=5.210?,c=3.989?。测量密度D0=7.59g/cm3,每单胞含两个化合式单位,可能的空间群为D2h5,C2v2和C2v4,它具有可逆的吸放H2性能,吸H2后形成氢化物LaNi4SiH3.6。La1-ySiyNi,系列样品吸H2量随Si含量增加而很快下降,LaNi5-xSix系列样品吸H2量随Si含量的增加稍略下降,平台压力也下降,LaNi4.8Si0.2的生成自由能为476cal/molH2,固溶体氢化物的稳定性比LaNi1高。
本文用X射线多晶衍射方法和差热分析方法研究了LaNi5-xSix(x≤1.25)的相关系,用排水取气法测量了样品的吸H2性能,LaNi5,的固溶体和新的三元化合物LaNi4Si形成共晶体系,共晶温度1170℃,共晶点x=0.96,在单相区中LaNi5,相点阵常数随Si替代量增加,a减小,c增大,三元化合物LaNi4Si属正交晶系,点阵常数a=8.382?,b=5.210?,c=3.989?。测量密度D0=7.59g/cm3,每单胞含两个化合式单位,可能的空间群为D2h5,C2v2和C2v4,它具有可逆的吸放H2性能,吸H2后形成氢化物LaNi4SiH3.6。La1-ySiyNi,系列样品吸H2量随Si含量增加而很快下降,LaNi5-xSix系列样品吸H2量随Si含量的增加稍略下降,平台压力也下降,LaNi4.8Si0.2的生成自由能为476cal/molH2,固溶体氢化物的稳定性比LaNi1高。
用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH2及HfH2的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH2本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去21的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH2中H也可能占据八面体位置。HfH2状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。
用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH2及HfH2的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH2本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去21的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH2中H也可能占据八面体位置。HfH2状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。
本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si1-xCx:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si1-xCx:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。
本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si1-xCx:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si1-xCx:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。
本文探讨了FTIR-Q开关谐振腔的基本理论,由于该腔用多光学元件组成,于是可用等效法,而不用普通的方法求解,我们利用矩阵光学和谐振腔衍射积分方程同时并用的方法,求出了理论解,获得该腔的菲涅耳数、衍射损耗、谐振频率和间隔等值,并与平行平面腔的结果进行了比较,同时分析了球面腔的光学矩阵。
本文探讨了FTIR-Q开关谐振腔的基本理论,由于该腔用多光学元件组成,于是可用等效法,而不用普通的方法求解,我们利用矩阵光学和谐振腔衍射积分方程同时并用的方法,求出了理论解,获得该腔的菲涅耳数、衍射损耗、谐振频率和间隔等值,并与平行平面腔的结果进行了比较,同时分析了球面腔的光学矩阵。
本文讨论了用光学系统实现Mellin变换的一种新方法,叙述了用计算机进行全息透镜的设计和用计算机产生二元式全息图的制造原理。实验上实现了由一组16个抽样点组成的一维Mellin变换,并可直接推广到二维情况。
本文讨论了用光学系统实现Mellin变换的一种新方法,叙述了用计算机进行全息透镜的设计和用计算机产生二元式全息图的制造原理。实验上实现了由一组16个抽样点组成的一维Mellin变换,并可直接推广到二维情况。
本文在二次谐波时间分辨谱、慢离子发射波形实验及最近3ω0/2谐波细丝实验基础上,提出自聚焦细丝产生共振吸收的理论,能较好地解释已经得到的实验结果的各个方面。
本文在二次谐波时间分辨谱、慢离子发射波形实验及最近3ω0/2谐波细丝实验基础上,提出自聚焦细丝产生共振吸收的理论,能较好地解释已经得到的实验结果的各个方面。
用隧道注入准粒子,使超导铅膜进入非平衡状态,在同样水平的注入条件下,可能出现两种与历史有关的非平衡零电阻状态,本文用的Pb-Pb-Pb双重隧道结构,探测这两种非平衡态的性质,发现一种是均匀的非平衡态,另一种是N-S分区的非均匀非平衡状态。
用隧道注入准粒子,使超导铅膜进入非平衡状态,在同样水平的注入条件下,可能出现两种与历史有关的非平衡零电阻状态,本文用的Pb-Pb-Pb双重隧道结构,探测这两种非平衡态的性质,发现一种是均匀的非平衡态,另一种是N-S分区的非均匀非平衡状态。
离Tc不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近Tc越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。
离Tc不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近Tc越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。
在本文中,作者将前文得到的Tc公式与Eliashberg方程数值解和实验值进行了比较,在小λ区域,它们符合得很好。
在本文中,作者将前文得到的Tc公式与Eliashberg方程数值解和实验值进行了比较,在小λ区域,它们符合得很好。
本文导出非不变性作用量系统的广义Noether恒等式并给出它的应用。
本文导出非不变性作用量系统的广义Noether恒等式并给出它的应用。
以Hg原子为例,讨论了在Hartree-Slater自洽场近似的基础上,采用有限项近似和求解非齐次薛定谔方程相结合的方法,计算了双光子激发截面,该计算程序可以用于计算任意原子的双光子激发截面。
以Hg原子为例,讨论了在Hartree-Slater自洽场近似的基础上,采用有限项近似和求解非齐次薛定谔方程相结合的方法,计算了双光子激发截面,该计算程序可以用于计算任意原子的双光子激发截面。