我们提出了一种新的计算方法(喷注电荷截面)。用这种方法进行微扰QCD计算,不但能像末态正反强子截面差dσ(AB→h+X)—dσ(AB→h-+X)那样少受海夸克和胶子分布函数的影响,而且与任何部分子的碎裂函数无关。用这种方法还可以在不能识别夸克味道的实验条件下,间接测定各种夸克喷注的平均电荷。

本文通过对反应:p+p→γ+Jet+X,γ+p→2Jets+X,γ+p→h+Jet+X的喷注电荷截面的分析,分别给出了检测质子中胶子分布函数,提取胶子喷注信息以及确定胶子碎裂函数的方法。

本文基于喷注电荷截面方法,提出了一种直接测量光子结构函数的可行方案。

本文导出一种计算非晶态物质径向分布函数的最大熵方法,给出非晶态D2O径向分布函数的计算实例,并与传统的傅里叶变换法进行了比较,结果表明,最大熵方法对结构信息的反映更为敏感,因而,在同样实验数据的条件下,最大熵方法可能比传统的傅里叶变换法提供更多的结构信息。

本文讨论在有外加磁场情况下,较高杂质浓度磁性合金中传导电子与关联对散射引起的电阻及磁阻随温度和磁场的变化,得到了Rohrer关于合金AuFe磁阻随杂质浓度变化的经验公式。

在直拉法生长的GGG和YAG单晶体中,从实验上首次获得了沿位错线观察的(viewed end-on)螺型位错的双折射像,确立了沿位错线观察和垂直于位错线观察(viewed from the side)的双折射像间的一一对应关系,以及与蚀斑间的一一对应关系,并基于石榴石晶体弹-光性质的各向异性,给出了沿位错线观察的螺型位错双折射像的成像规律,得到了理论与实验一致的结果。

通过用中子非弹性散射测量旋声晶体高对称方向的横声学支声子色散曲线的劈裂,从三个方面研究了同构异质晶体Bi12GeO20和Bi12SiO20的旋声特性。值得注意的是,沿〈111〉方向传播的左旋、右旋圆偏振声子具有不同的衰减。其中传播速度快的圆偏振声子衰减较大,该结论为这两种晶体所证实,这是在晶体旋声性研究中首次观察到的现象。实验还直接确定了衰减较大的这支声子的寿命约为2×10-11S。

根据广义振子强度密度的通道特性和等电子系列的准标度关系,Bethe公式中相应的参数(即Bethe物理参数组)也具有同样的特性,利用Bethe物理参数组可容易地由Bethe公式计算得到自旋守恒过程的截面。本文定义精确的截面与Bethe截面之比为校正函数,在50％精度内校正函数显示了较好的普适性,由此可以计算自旋守恒的电子碰撞激发过程的截面与速率,这里,各种激发过程包含由电子碰撞而跃迁至无限个激发末态的过程——形成所谓的激发通道。

实验测定了YAlO3:Nd3+的子能级R1,R2的热移位值。研究了单声子项中积分主值的行为,并计入光频支项对子能级热移位的贡献。用包含Raman项、单声子顶、光频支项的公式拟合计算子能级R1,R2的热移位,拟合计算值与实验值符合得很好。

本文讨论了计算机产生全息光学元件,用以校正椭圆高斯激光束,计算这个全息光学元件的详细数学方程已作了推导,由计算机控制绘图机绘制了全息图,缩制了全息光学元件,并得出了实验结果。

本文通过对快放电激励下He/Ar/F2混合气体中ArF*,Ar2F*时间分辨谱的研究,探讨了准分子ArF*和Ar2F*的形成和猝灭动力学过程。分析表明,ArF*的时间衰减过程由生成它的主要前态Ar*的时间变化过程决定,而Ar2F*的时间衰减过程则取决于它自己的有效寿命

本文在一般情形(旁轴和非旁轴情形)下,讨论利用单个全息透镜所组成的光学系统实现任意给定的线性变换时全息透镜的有效设计,研究了确定全息透镜的振幅-相位分布的方程组在各种参数下的解,并讨论了该解对参数变化时的稳定性,在非旁轴情形下,同样存在着可资利用的解。以三种不同序的四维和八维的Walsh变换为例,具体地研究了各种参数,例如全息透镜与输入平面以及输出平面之间的距离、全息透镜的取样点数目等,对该系统所实现的变换与给定的变换之间逼近程度的影响,从而为设计切实可行的系统提供了有益的启示和多种选择参数的方式。

用穆斯堡尔谱研究了Eu2O3在不同载体表面上的分散度。随着铕含量的变化引起的穆斯堡尔参数的差别表明了Eu2O3与不同载体之间作用上的差别。在γ-Al2O3表面上,当Eu含量增加时,用质异能位移增加,逐渐接近于体相Eu2O3相应值,说明在逐步形成Eu2O3晶相。与此不同,在两种SiO
. 1986 35(2): 243-246. 刊出日期: 1986-01-05 ]]>

用穆斯堡尔谱研究了Eu2O3在不同载体表面上的分散度。随着铕含量的变化引起的穆斯堡尔参数的差别表明了Eu2O3与不同载体之间作用上的差别。在γ-Al2O3表面上,当Eu含量增加时,用质异能位移增加,逐渐接近于体相Eu2O3相应值,说明在逐步形成Eu2O3晶相。与此不同,在两种SiO
. 1986 35(2): 243-246. Published 1986-01-05 ]]> 1986-01-20T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1986 35(2): 243-246. article doi:10.7498/aps.35.243 10.7498/aps.35.243 35 2 1986-01-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.35.243 243-246 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.35.247

采用Darboux变换和一个积分变换,获得了两类双阱势Fokker-Planck方程准确解模型。严格解的结果同Kranmers近似作了比较。

本文借助文献[1]的方法解出在存在温度梯度和外磁场时金属超晶格的电子系统Boltz-mann方程,并以Nb-Ti超晶格系统为例计算出其电子热导率、热电功率、Thomson系数和Hall系数随调制周期变化的曲线,以此说明这种人造材料的电子输运性质与其微观结构的关系的基本物理特性。

背射Kossel线衍射花样由于各衍射圆锥不共顶点,因此它的指标化有一定困难,特别是对非立方晶系。本文论述两种对立方晶系和非立方晶系都适用的背射Kossel线衍射花样指标化的方法。用本文介绍的极图法或计算机程序方法可以很容易地测定背射Kossel线的衍射指数。第一种方法的特点是简单而且直观;第二种方法自动化程度高,且可以使用误差较大的测量数据。

本文给出一种确定超导体能隙的新方法,由隧道理论计算出Vmax/kT与Δ/kT的关系曲线,微分电导极大值电压Vmax由隧道电子谱测定,由Vmax/kT值及上述曲线很容易计算出能隙Δ值。这种方法很简单,而准确度几乎接近于曲线拟合法。

本文报道利用垂直束源式的分子束外延设备,生长了高质量的调制掺杂GaAs/N-AIGaAs异质结构,液氦温度下的二维电子迁移率达4.26×105cm2/V·s(非光照)、5.9×105cm2/V·S(光照)。用脉冲磁场下的磁声子共振测量,得到了二维电子的有效质量,并研究了异质结构中二维电子的低场迁移率增强特性及低温强磁场下的量子霍耳效应。

用会聚束电子衍射得到了石墨和辉钼矿的底面横向层错的带轴图样。带轴图样显示了层错引起的变化,对称性降低和部分衍射分裂,本文首先指出衍射分裂或不分裂可以用晶体缺陷衍射衬度理论来解释,这对应于缺陷的可见和不可见,这结果对缺陷的研究有普遍性意义。这方法为研究晶体缺陷提供了强有力的手段。

从硅位错附近得到的会聚束电子衍射图样表明高阶劳厄带线和菊池线分裂,晶体学等效的衍射显示不同的分裂或不分裂,这些结果可以用晶体缺陷的衍衬理论来解释,不分裂的衍射相当于位错的不可见,即g·b=0,会聚束电子衍射提供了强有力的研究缺陷的高空间分辨率手段。