在Migdal及Migdal-Kadanoff重整化群变换方案中,我们导出了U(1)格点规范理论的强耦合(高温)近似和弱耦合(低温)近似,同时还得到了包括中间耦合区的数值结果。上述结果与严格的强耦合展开、弱耦合展开以及Monte-Carlo模拟结果进行了比较。
在Migdal及Migdal-Kadanoff重整化群变换方案中,我们导出了U(1)格点规范理论的强耦合(高温)近似和弱耦合(低温)近似,同时还得到了包括中间耦合区的数值结果。上述结果与严格的强耦合展开、弱耦合展开以及Monte-Carlo模拟结果进行了比较。
本文从迴旋动力理论出发,较全面地研究了碰撞、热离子成分(中性束热离子或聚变α粒子)、粒子逆磁漂移、粒子拉莫尔半径和粒子捕获等动力效应对耗散气球模的影响。流体极限下的数值结果表明,离子有限拉莫尔半径、捕获粒子对气球模起稳定作用,碰撞则对气球模起解稳作用。此外,动力理论也得出了磁流体理论关于剪切能改善气球模稳定性的结论。
本文从迴旋动力理论出发,较全面地研究了碰撞、热离子成分(中性束热离子或聚变α粒子)、粒子逆磁漂移、粒子拉莫尔半径和粒子捕获等动力效应对耗散气球模的影响。流体极限下的数值结果表明,离子有限拉莫尔半径、捕获粒子对气球模起稳定作用,碰撞则对气球模起解稳作用。此外,动力理论也得出了磁流体理论关于剪切能改善气球模稳定性的结论。
本文中导出了不论在鞘层上是否存在高频电压降时统一的双探针伏-安特性曲线表达式及确定电子温度的公式。从理论及实验上研究了鞘层上的交流电压对双探针诊断的影响,并求得等离子体在10-2—10-3Torr范围内的电子温度,实验的分析结果和理论完全一致。证明当电子能量分布为麦克斯韦分布时,高频干扰对确定电子温度基本上无影响。通过对实验结果的分析,以及用三探针法的相互校核,证明实验结果是可靠的。
本文中导出了不论在鞘层上是否存在高频电压降时统一的双探针伏-安特性曲线表达式及确定电子温度的公式。从理论及实验上研究了鞘层上的交流电压对双探针诊断的影响,并求得等离子体在10-2—10-3Torr范围内的电子温度,实验的分析结果和理论完全一致。证明当电子能量分布为麦克斯韦分布时,高频干扰对确定电子温度基本上无影响。通过对实验结果的分析,以及用三探针法的相互校核,证明实验结果是可靠的。
本文采用近年来在解释凝聚物质中的低频涨落、耗散和弛豫现象时普遍适用的一个新的非纯指数形式的等待时间分布函数(以下称WTDF)ψ(t),讨论了连续时间无规行走(以下称CTRW)问题的渐近解。得到了许多有意义的和与实验一致的结果。它们是:平均位移、色散迁移率、平均平方位移、色散扩散系数、Nernst-Einstein关系、方差与标准方差、点阵统计学、初始位置占有几率、色散电导率、色散电输运和记忆函数。所有结果表明:由这个WTDF ψ(t)所描写的CTRW过程在短时区内表现为非Markov的,在长时区内则表现为Markov的,即所有结果都含有一个与介质的微观结构有关的且决定着色散程度的单参数——红外发散指数n(0≤n<1)。n越大,色散越大。当n=0时,色散消失,所有结果立即退化成Markov即经典形式,这与已有的实验事实一致。
本文采用近年来在解释凝聚物质中的低频涨落、耗散和弛豫现象时普遍适用的一个新的非纯指数形式的等待时间分布函数(以下称WTDF)ψ(t),讨论了连续时间无规行走(以下称CTRW)问题的渐近解。得到了许多有意义的和与实验一致的结果。它们是:平均位移、色散迁移率、平均平方位移、色散扩散系数、Nernst-Einstein关系、方差与标准方差、点阵统计学、初始位置占有几率、色散电导率、色散电输运和记忆函数。所有结果表明:由这个WTDF ψ(t)所描写的CTRW过程在短时区内表现为非Markov的,在长时区内则表现为Markov的,即所有结果都含有一个与介质的微观结构有关的且决定着色散程度的单参数——红外发散指数n(0≤n<1)。n越大,色散越大。当n=0时,色散消失,所有结果立即退化成Markov即经典形式,这与已有的实验事实一致。
为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了EF能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在EF附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。
为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了EF能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在EF附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。
利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的Eg和Eu态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。
利用文献[1]中的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了硅中理想双空位的Eg和Eu态的波函数,讨论了计算结果和ESR与ENDOR谱的比较。
用C2格位对称的晶体场哈密顿量对LaF3:Nd3+进行全谱项能量值的拟合计算,单次计算的均方根误差σ约为20.2cm-1。同时,本文更正了以前对少数子能级的不正确归属。
用C2格位对称的晶体场哈密顿量对LaF3:Nd3+进行全谱项能量值的拟合计算,单次计算的均方根误差σ约为20.2cm-1。同时,本文更正了以前对少数子能级的不正确归属。
本文依据压电板振动理论,提出D3(32)点群压电晶体全部电弹常数测量新方案,以国产α-石英晶体为例,给出其全部电弹常数及部分机电耦合系数。
本文依据压电板振动理论,提出D3(32)点群压电晶体全部电弹常数测量新方案,以国产α-石英晶体为例,给出其全部电弹常数及部分机电耦合系数。
本文中提出了一种介于实空间法(RS)和多层法(MS)之间的新方法——准实空间法(QRS)。在QRS法中大部分数值计算在实空间进行,只有当电子波函数φ的归一化值超过预定的阈值,如Σ|φ|2>1.01时,才转到傅氏空间进行低通滤波(LPF)和运算。在倒空间运算后,通过逆傅氏变换,运算仍然在实空间进行。本文详细研究了RS法发散的原因,并提出了QRS法,这种算法克服了RS法中的发散现象,又在不延长计算时间的前提下得到了和普遍采用的多层法相一致的计算结果。
本文中提出了一种介于实空间法(RS)和多层法(MS)之间的新方法——准实空间法(QRS)。在QRS法中大部分数值计算在实空间进行,只有当电子波函数φ的归一化值超过预定的阈值,如Σ|φ|2>1.01时,才转到傅氏空间进行低通滤波(LPF)和运算。在倒空间运算后,通过逆傅氏变换,运算仍然在实空间进行。本文详细研究了RS法发散的原因,并提出了QRS法,这种算法克服了RS法中的发散现象,又在不延长计算时间的前提下得到了和普遍采用的多层法相一致的计算结果。
本文以复数内积及形式导数为工具,并利用变分原理,导出了电-磁的聚焦-偏转重迭场复合系统的相对论五级几何象差方程。
本文以复数内积及形式导数为工具,并利用变分原理,导出了电-磁的聚焦-偏转重迭场复合系统的相对论五级几何象差方程。
采用电解法实现了非晶态Y,Ni95合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni95Hx(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。
采用电解法实现了非晶态Y,Ni95合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni95Hx(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。
研究了非晶态Sm-Fe和Sm-Co薄膜在1.5—300K的磁性。发现Sm-Fe薄膜中Fe原子磁矩取向存在分散性,Sm-Co薄膜中Co原子有效磁矩随Sm含量的变化与Nd-Co非晶薄膜很相似。决定了Sm-Fe薄膜具有散铁磁结构,Sm-Co薄膜为共线铁磁性结构。Sm原子磁矩≈0。报道了这两个非晶合金系列的矫顽力Hc与成份和温度的依赖关系。发现Sm-Fe薄膜的Hc较高于Sm-Co的值;前者随Sm含量增加而急剧上升,并随温度升高而陡降;后者的Hc在Sm含量≈43at％有极大值,并以指数形式随温度升高而减小。发现低温范围内磁化强度随温度变化与自旋波激发和Stoner激发都有关系。
研究了非晶态Sm-Fe和Sm-Co薄膜在1.5—300K的磁性。发现Sm-Fe薄膜中Fe原子磁矩取向存在分散性,Sm-Co薄膜中Co原子有效磁矩随Sm含量的变化与Nd-Co非晶薄膜很相似。决定了Sm-Fe薄膜具有散铁磁结构,Sm-Co薄膜为共线铁磁性结构。Sm原子磁矩≈0。报道了这两个非晶合金系列的矫顽力Hc与成份和温度的依赖关系。发现Sm-Fe薄膜的Hc较高于Sm-Co的值;前者随Sm含量增加而急剧上升,并随温度升高而陡降;后者的Hc在Sm含量≈43at％有极大值,并以指数形式随温度升高而减小。发现低温范围内磁化强度随温度变化与自旋波激发和Stoner激发都有关系。
本文给出了一个描述在各种固体材料中离子注入的惰性气体的扩散和从表面释放的模型。在这个模型中,同时考虑了各种缺陷和辐照损伤与惰性气体原子的相互作用,根据这个模型,给出了一组描写惰性气体原子的扩散方程,并给出了这组方程的解析解。与实验测量比较表明,这个模型能很好地描写惰性气体从固体表面释放的特性。用最小二乘法将理论释放曲线拟合于实验释放曲线,从而给出一个确定各种陷阱中心的激活能和归一化浓度的方法。
本文给出了一个描述在各种固体材料中离子注入的惰性气体的扩散和从表面释放的模型。在这个模型中,同时考虑了各种缺陷和辐照损伤与惰性气体原子的相互作用,根据这个模型,给出了一组描写惰性气体原子的扩散方程,并给出了这组方程的解析解。与实验测量比较表明,这个模型能很好地描写惰性气体从固体表面释放的特性。用最小二乘法将理论释放曲线拟合于实验释放曲线,从而给出一个确定各种陷阱中心的激活能和归一化浓度的方法。
在200—300℃范围测量了单斜I镧系五磷酸盐LnP5O14(Ln=La,Ce,Pr、Nd,Sm,Eu,Gd,Tb)晶体的软光学模喇曼谱。不同LnP5O14的Ag-B2g和Ag-Ag软模在铁弹相变点都软化到20cm-1,另一个Bg-B3g软模则软化到38cm-1。软模频率对温度的依赖关系表明,这些晶体是很好的平均场理论系统。Ag-B2g软模与e5的耦合对铁弹相变起主要作用,此软模的强度变化可由双向线性模耦合模型来解释。这个系统Tc从La到Tb的增高是镧系收缩的结果。
在200—300℃范围测量了单斜I镧系五磷酸盐LnP5O14(Ln=La,Ce,Pr、Nd,Sm,Eu,Gd,Tb)晶体的软光学模喇曼谱。不同LnP5O14的Ag-B2g和Ag-Ag软模在铁弹相变点都软化到20cm-1,另一个Bg-B3g软模则软化到38cm-1。软模频率对温度的依赖关系表明,这些晶体是很好的平均场理论系统。Ag-B2g软模与e5的耦合对铁弹相变起主要作用,此软模的强度变化可由双向线性模耦合模型来解释。这个系统Tc从La到Tb的增高是镧系收缩的结果。
本文中用正电子湮没技术研究了Fe-Ni系合金的马氏体相变。实验结果表明,含镍量28.22—31.30wt％的六种退火态合金,正相变后,产生了大量的缺陷,使正电子湮没平均寿命及多普勒加宽线型参数S值分别约增加30％和20％。对28.93wt％Ni和31.30wt％Ni两种马氏体亚结构不同的合金,观测了正电子湮没参数与处理温度之间的关系,发现:缺陷主要产生在爆发马氏体形成阶段;在等时退火曲线上形成两个明显的台阶,是由于空位和位错恢复引起的。
本文中用正电子湮没技术研究了Fe-Ni系合金的马氏体相变。实验结果表明,含镍量28.22—31.30wt％的六种退火态合金,正相变后,产生了大量的缺陷,使正电子湮没平均寿命及多普勒加宽线型参数S值分别约增加30％和20％。对28.93wt％Ni和31.30wt％Ni两种马氏体亚结构不同的合金,观测了正电子湮没参数与处理温度之间的关系,发现:缺陷主要产生在爆发马氏体形成阶段;在等时退火曲线上形成两个明显的台阶,是由于空位和位错恢复引起的。
本文根据Judd-Ofelt理论,利用吸收光谱,计算了DyP5O14晶体中Dy3+的三个唯象强度参数Ωλ(λ=2,4,6),求得了计算和实验振子强度,进而计算了约化矩阵元和荧光辐射跃迁几率。
本文根据Judd-Ofelt理论,利用吸收光谱,计算了DyP5O14晶体中Dy3+的三个唯象强度参数Ωλ(λ=2,4,6),求得了计算和实验振子强度,进而计算了约化矩阵元和荧光辐射跃迁几率。
一个物质未必具有大晶体一样的周期结构,但只要形成了似晶体的集团,也可以显示出晶体一样的基本光吸收。本工作研究了含CuClxBr1-x(x=0—1)胶体的玻璃制备和光吸收性质。实验结果表明玻璃中达到一定大小的CuCl,CuClxBr1-x和CuBr胶体粒子也可显示出与相应大块晶体相同的激子吸收光谱,玻璃具有和相应晶体相同的紫外吸收限。
一个物质未必具有大晶体一样的周期结构,但只要形成了似晶体的集团,也可以显示出晶体一样的基本光吸收。本工作研究了含CuClxBr1-x(x=0—1)胶体的玻璃制备和光吸收性质。实验结果表明玻璃中达到一定大小的CuCl,CuClxBr1-x和CuBr胶体粒子也可显示出与相应大块晶体相同的激子吸收光谱,玻璃具有和相应晶体相同的紫外吸收限。
采用Green函数技术,我们讨论了温度从T=0直到T=Tc范围内铁磁体表面和界面的磁化强度随温度的变化情况,所得到表面磁化强度的结果与其他作者的结果一致;而在界面计算中,我们发现界面的Tc与体内的不同,并且找到了一个关系式:TccA,TcB)。
采用Green函数技术,我们讨论了温度从T=0直到T=Tc范围内铁磁体表面和界面的磁化强度随温度的变化情况,所得到表面磁化强度的结果与其他作者的结果一致;而在界面计算中,我们发现界面的Tc与体内的不同,并且找到了一个关系式:TccA,TcB)。