本文使用基团理论计算KB5O8·4HO2O(简称KB5)晶体的倍频系数,得到d31=2.61×10-10esu,d32=007×10-10esu,d33=3.26×10-10esu,与实验值符合较好。计算结果表明:氢键对KB5晶体的倍频系数有影响。本文还分析了KB5晶体倍频系数小的起因,除去[B5O6(OH)4]-1基团的微观倍频系数小外,还在于基团的空间排列方式不利,导至最大的微观倍频系数X123相互抵消。最后,本文提出了在含四配位硼原子的硼氧化合物中寻找倍频新材料的结构判据。
本文使用基团理论计算KB5O8·4HO2O(简称KB5)晶体的倍频系数,得到d31=2.61×10-10esu,d32=007×10-10esu,d33=3.26×10-10esu,与实验值符合较好。计算结果表明:氢键对KB5晶体的倍频系数有影响。本文还分析了KB5晶体倍频系数小的起因,除去[B5O6(OH)4]-1基团的微观倍频系数小外,还在于基团的空间排列方式不利,导至最大的微观倍频系数X123相互抵消。最后,本文提出了在含四配位硼原子的硼氧化合物中寻找倍频新材料的结构判据。
本文讨论环等离子体中单波与飞行粒子相互作用的问题。当波的振幅相当低时,便可在相空间中波的相速度附近形成一个局域随机区。这可导致粒子的速度扩散、驱动电流及波的吸收。
本文讨论环等离子体中单波与飞行粒子相互作用的问题。当波的振幅相当低时,便可在相空间中波的相速度附近形成一个局域随机区。这可导致粒子的速度扩散、驱动电流及波的吸收。
本文以胶体模型为基础,利用密度冷函理论和局域密度近似研究了过渡金属Cr,Fe,Ni和贵金属Cu中空位型缺陷、氢杂质、空位-杂质复合体的电子结构以及以正电子湮没寿命表征的缺陷谱。表明了用正电子湮没寿命谱研究金属点缺陷电子结构和缺陷尺度大小的可行性。
本文以胶体模型为基础,利用密度冷函理论和局域密度近似研究了过渡金属Cr,Fe,Ni和贵金属Cu中空位型缺陷、氢杂质、空位-杂质复合体的电子结构以及以正电子湮没寿命表征的缺陷谱。表明了用正电子湮没寿命谱研究金属点缺陷电子结构和缺陷尺度大小的可行性。
研究了(Fe1-xWx)84.5B15.5(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度Tmin在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当Tmin时,又出现了电阻率与温度关系的极大值,电阻率极大值的温度Tmax在26—35K之间。低温电阻率反常现象与类Kondo效应及局域磁矩之间RKKY相互作用有关。
研究了(Fe1-xWx)84.5B15.5(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度Tmin在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当Tmin时,又出现了电阻率与温度关系的极大值,电阻率极大值的温度Tmax在26—35K之间。低温电阻率反常现象与类Kondo效应及局域磁矩之间RKKY相互作用有关。
为了解释Au1-xNix合金(x=0.30—0.42)低温出现电阻率极小值的实验结果,本文提出一个低浓度自旋集团顺磁态合金的模型,得到自旋集团孤立近似下和自旋集团耦合作用下的电阻率公式,并和晶格散射的贡献(由Au80Ni20合金或Au-Cu合金的ρi(T)实验数据代替)联合起来,得到ρ(T)的计算曲线,和实验结果符合得很好。当Tmin,电阻率随温度增高而下降,主要是自旋集团孤立近似下的Kondo效应引起的。自旋集团之间的RKKY耦合作用对电阻率的贡献在低温时大,随着温度增高按1/T规律迅速减小,所以ρ(T)-ρi(T)实验值在相当宽温度范围出现logT关系。随着温度增高,晶格散射对电阻率的贡献将变得重要,当T=Tmin,电阻率出现极小值。
为了解释Au1-xNix合金(x=0.30—0.42)低温出现电阻率极小值的实验结果,本文提出一个低浓度自旋集团顺磁态合金的模型,得到自旋集团孤立近似下和自旋集团耦合作用下的电阻率公式,并和晶格散射的贡献(由Au80Ni20合金或Au-Cu合金的ρi(T)实验数据代替)联合起来,得到ρ(T)的计算曲线,和实验结果符合得很好。当Tmin,电阻率随温度增高而下降,主要是自旋集团孤立近似下的Kondo效应引起的。自旋集团之间的RKKY耦合作用对电阻率的贡献在低温时大,随着温度增高按1/T规律迅速减小,所以ρ(T)-ρi(T)实验值在相当宽温度范围出现logT关系。随着温度增高,晶格散射对电阻率的贡献将变得重要,当T=Tmin,电阻率出现极小值。
用连续时间无规行走(CTRW)理论处理陷阱控制的无序点阵上的无规行走问题,首次导出行走者可有自发衰变及受陷态具有有限寿命情形下,行走者存活几率P(t)满足的方程。对一种广泛使用的等待时间分布密度ψ(t)=ααt-(1-α)exp(-αtα)0<α≤1,在受陷态寿命无限长情况下,给出适用于任意陷阱浓度和任意时间的P(t)的级数解。结合实验事实和Ngai的低能激发理论,指出同时考虑动力学关联和结构无序对解释实际过程的必要性。并提出包括可由Ngai低能激发理论描写的动力学关联在内的连续时间无规行走理论,其物理图象与目前的CTRW理论有根本不同。
用连续时间无规行走(CTRW)理论处理陷阱控制的无序点阵上的无规行走问题,首次导出行走者可有自发衰变及受陷态具有有限寿命情形下,行走者存活几率P(t)满足的方程。对一种广泛使用的等待时间分布密度ψ(t)=ααt-(1-α)exp(-αtα)0<α≤1,在受陷态寿命无限长情况下,给出适用于任意陷阱浓度和任意时间的P(t)的级数解。结合实验事实和Ngai的低能激发理论,指出同时考虑动力学关联和结构无序对解释实际过程的必要性。并提出包括可由Ngai低能激发理论描写的动力学关联在内的连续时间无规行走理论,其物理图象与目前的CTRW理论有根本不同。
利用低能N+(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向EF移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d(z2)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O2吸附活性,O2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。
利用低能N+(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS2(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向EF移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d(z2)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O2吸附活性,O2吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。
本文讨论与计算了描述高周期序列临界行为的普适函数h(x),D(x)及普适常数δ,κ;给出了R*n,(RL)*n,(RL2)*n,(RLR2)*n,(RL2R)*n和(RL3)*n序列的δ,κ,h(x),D(x)的计算结果。
本文讨论与计算了描述高周期序列临界行为的普适函数h(x),D(x)及普适常数δ,κ;给出了R*n,(RL)*n,(RL2)*n,(RLR2)*n,(RL2R)*n和(RL3)*n序列的δ,κ,h(x),D(x)的计算结果。
本文中将液氦薄膜的涡线动力学理论推广到球形表面,并用来解释BishoP等人利用Vycor玻璃所作扭摆实验的结果。
本文中将液氦薄膜的涡线动力学理论推广到球形表面,并用来解释BishoP等人利用Vycor玻璃所作扭摆实验的结果。
本文建议了一种直接测量AX系统多量子弛豫的方法。不用作两维谱,测量过程类似于常规弛豫时间测量,实验简便、准确。由所测得的单量子和多量子弛豫时间可以导出起伏场的交叉相关系数,这提供了单量子NMR所不能获得的信息。本文还讨论了AX体系多量子弛豫机理的特殊性。
本文建议了一种直接测量AX系统多量子弛豫的方法。不用作两维谱,测量过程类似于常规弛豫时间测量,实验简便、准确。由所测得的单量子和多量子弛豫时间可以导出起伏场的交叉相关系数,这提供了单量子NMR所不能获得的信息。本文还讨论了AX体系多量子弛豫机理的特殊性。
对用于有机导体电导测量的电压端短路法(VSC)提出了一个三层的串-并联物理模型。根据这个模型给出VSC器件的电导率和电导率-温度依赖性的数学表达式,并对该方法的实质和制备VSC器件的技术关键进行了讨论。
对用于有机导体电导测量的电压端短路法(VSC)提出了一个三层的串-并联物理模型。根据这个模型给出VSC器件的电导率和电导率-温度依赖性的数学表达式,并对该方法的实质和制备VSC器件的技术关键进行了讨论。
本文提出一种联络空间上同调的概念,建立这种上同调群与Chern-Simons型示性类系列的同态关系,给出它们在反常、Wess-Zumino有效作用与Schwinger项等问题上的应用;从而概括了Faddeev,宋行长,Zumino等人最近关于这些问题的探讨。
本文提出一种联络空间上同调的概念,建立这种上同调群与Chern-Simons型示性类系列的同态关系,给出它们在反常、Wess-Zumino有效作用与Schwinger项等问题上的应用;从而概括了Faddeev,宋行长,Zumino等人最近关于这些问题的探讨。
本文基于两个条件:1014GeV≤Mu≤1019GeV,300GeV≤Λhc≤1TeV,得到在禁闭弱作用规范模型中SU(N)超色规范群满足N≤3;大统一规范群的可能候选者为:SU(N)N≥7,SU(N)×SU(N)N≥4,SO(14)和SO(18)。
本文基于两个条件:1014GeV≤Mu≤1019GeV,300GeV≤Λhc≤1TeV,得到在禁闭弱作用规范模型中SU(N)超色规范群满足N≤3;大统一规范群的可能候选者为:SU(N)N≥7,SU(N)×SU(N)N≥4,SO(14)和SO(18)。
利用ESCA-LAB-5电子能谱仪的紫外光电子谱(UPS)和X射线光电子谱(XPS)研究了WC,Pt和W的电子结构,用高灵敏度磁强计在1.5—300K的温度范围内测量了WC和W的磁化率随温度和磁场的变化关系。W的磁化率不随温度变化,遵循Pauli顺磁性规律,而WC则不然,遵循居里定律。根据WC中出现不成对电子自旋磁矩,我们提出假设:WC中由于C的影响,使W的5d电子不再全部共有化,而是像Pt一样,有一部分价电子局域化,这局域化电子的出现,才使WC不同于W,具有“类白金”的催化活性。
利用ESCA-LAB-5电子能谱仪的紫外光电子谱(UPS)和X射线光电子谱(XPS)研究了WC,Pt和W的电子结构,用高灵敏度磁强计在1.5—300K的温度范围内测量了WC和W的磁化率随温度和磁场的变化关系。W的磁化率不随温度变化,遵循Pauli顺磁性规律,而WC则不然,遵循居里定律。根据WC中出现不成对电子自旋磁矩,我们提出假设:WC中由于C的影响,使W的5d电子不再全部共有化,而是像Pt一样,有一部分价电子局域化,这局域化电子的出现,才使WC不同于W,具有“类白金”的催化活性。
用位置空间的重整化群方法,讨论W(112)p(2×1)-O化学吸附系统的有序-无序相变。采用周期性集团的递推关系,进行了将格点组成单胞,再将单胞组成周期性集团的4×4重整化变换,考虑最近邻、次近邻氧原子之间的对相互作用以及三个氧原子之间和四个氧原子之间的相互作用,求出重整化群耦合参数K′α和格点间相互作用参数Kα之间的关系,确定了固定点Kα*求出不同覆盖度下的临界温度Tc,得到与实验结果相符合的W(112)p(2×1)-O相图。
用位置空间的重整化群方法,讨论W(112)p(2×1)-O化学吸附系统的有序-无序相变。采用周期性集团的递推关系,进行了将格点组成单胞,再将单胞组成周期性集团的4×4重整化变换,考虑最近邻、次近邻氧原子之间的对相互作用以及三个氧原子之间和四个氧原子之间的相互作用,求出重整化群耦合参数K′α和格点间相互作用参数Kα之间的关系,确定了固定点Kα*求出不同覆盖度下的临界温度Tc,得到与实验结果相符合的W(112)p(2×1)-O相图。
利用AES和同步辐射光电子谱,在圆柱状的Si单晶样品上研究了氧表面吸附的晶向关系。结果表明:在350K曝氧2L时,总吸附量的晶向关系比较弱,并可利用台阶的增强吸附来解释;随着曝氧量的增加(～10L),氧原子首先从(111)面进入体内,从而支持Si(111)-(7×7)再构是属于“缺陷”类模型的结论。
利用AES和同步辐射光电子谱,在圆柱状的Si单晶样品上研究了氧表面吸附的晶向关系。结果表明:在350K曝氧2L时,总吸附量的晶向关系比较弱,并可利用台阶的增强吸附来解释;随着曝氧量的增加(～10L),氧原子首先从(111)面进入体内,从而支持Si(111)-(7×7)再构是属于“缺陷”类模型的结论。
研究了初始处于共上能级的三能级原子与两个初始相干辐射场的相互作用,得到了原子能级算符及光子数平均值的解析近似解,给出衰变、恢复期及初振荡周期,并和计算机数值计算结果进行了比较,两者符合较好。
研究了初始处于共上能级的三能级原子与两个初始相干辐射场的相互作用,得到了原子能级算符及光子数平均值的解析近似解,给出衰变、恢复期及初振荡周期,并和计算机数值计算结果进行了比较,两者符合较好。
本文介绍了发生在单结管二阶电路中的周期迭加现象,并在相平面图和频谱图上观察了周期迭加现象的产生过程。
本文介绍了发生在单结管二阶电路中的周期迭加现象,并在相平面图和频谱图上观察了周期迭加现象的产生过程。
本文报道非晶态Fe13Ni67.2P4.5B15.3合金的磁化强度与温度和磁场关系的测量结果。在居里温度附近样品的磁特性符合二级相变规律,得到临界指数β=0.39±0.02,γ=1.56±0.06,δ=5.20±0.1,样品的居里温度Tc=(180.4±0.2)K。在实验误差范围内,临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,在168—192K温度范围,实验数据满足二级相变的磁状态方程。当T>270K时,样品顺磁磁化率服从居里-外斯定律,由居里-外斯常数c计算出有效顺磁磁矩Peff=3.19 μB。
本文报道非晶态Fe13Ni67.2P4.5B15.3合金的磁化强度与温度和磁场关系的测量结果。在居里温度附近样品的磁特性符合二级相变规律,得到临界指数β=0.39±0.02,γ=1.56±0.06,δ=5.20±0.1,样品的居里温度Tc=(180.4±0.2)K。在实验误差范围内,临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,在168—192K温度范围,实验数据满足二级相变的磁状态方程。当T>270K时,样品顺磁磁化率服从居里-外斯定律,由居里-外斯常数c计算出有效顺磁磁矩Peff=3.19 μB。
实验研究了面内磁场对一次脉冲偏磁场作用下外延石榴石薄膜中硬磁泡形成的影响,发现存在一个使硬磁泡不再形成的临界面内磁场Hin0,它与材料参量有关,通过实验,运用面内磁场对条状畴的作用和枝状畴的形成,定性解释了软硬磁泡形成的分界场H[b]随面内磁场增大、快降以及缓降这三个物理过程。
实验研究了面内磁场对一次脉冲偏磁场作用下外延石榴石薄膜中硬磁泡形成的影响,发现存在一个使硬磁泡不再形成的临界面内磁场Hin0,它与材料参量有关,通过实验,运用面内磁场对条状畴的作用和枝状畴的形成,定性解释了软硬磁泡形成的分界场H[b]随面内磁场增大、快降以及缓降这三个物理过程。
实验观察到了激光束通过KIO3单晶时产生的偏振态改变90°的衍射带和衍射斑。研究了从室温到240℃温度范围内衍射光强随晶体温度的变化,当T=72℃时衍射光强突然急剧增加,T=212℃时衍射光强几乎减小到零,T>212℃时观察不到衍射光,72℃和212℃分别与有关文献报道的KIO3的两个相变温度相同。
实验观察到了激光束通过KIO3单晶时产生的偏振态改变90°的衍射带和衍射斑。研究了从室温到240℃温度范围内衍射光强随晶体温度的变化,当T=72℃时衍射光强突然急剧增加,T=212℃时衍射光强几乎减小到零,T>212℃时观察不到衍射光,72℃和212℃分别与有关文献报道的KIO3的两个相变温度相同。