用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm-1和400—1200cm-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。
用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm-1和400—1200cm-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。
本文报道用自洽LMTO方法算得CoSi2化合物的能带结构及状态密度。计算所得状态密度峰值位置与同步辐射光电子谱相应峰值位置很好地符合。计算结果表明:在CoSi2及NiSi2中,仍然是过渡金属原子的3d轨道与Si原子的3p轨道间的杂化成键决定它们的电子结构。Si原子并不保持像块状硅中的sp3型杂化。
本文报道用自洽LMTO方法算得CoSi2化合物的能带结构及状态密度。计算所得状态密度峰值位置与同步辐射光电子谱相应峰值位置很好地符合。计算结果表明:在CoSi2及NiSi2中,仍然是过渡金属原子的3d轨道与Si原子的3p轨道间的杂化成键决定它们的电子结构。Si原子并不保持像块状硅中的sp3型杂化。
根据金属表面的多体波函数,建立了非均匀电子关联函数的积分方程,对此方程消除了因长程关联而出现的发散。在第一次迭代下求得了铝表面的电子关联函数的数值结果。
根据金属表面的多体波函数,建立了非均匀电子关联函数的积分方程,对此方程消除了因长程关联而出现的发散。在第一次迭代下求得了铝表面的电子关联函数的数值结果。
本文采用Kubo-Anderson过程描述对驱动场的无规频率调制,分析了其对不均匀冷等离子体波碎的抑制作用。在不考虑Bogoliubov非线性频移的情况下,导出适用于各种宽度频率调制下的波碎时间及波碎时快电子能量与最大局部电场方均值的表达式。并与实验结果符合。结果表明无规频率调制确实是抑制波碎与快电子能量的有效方法。
本文采用Kubo-Anderson过程描述对驱动场的无规频率调制,分析了其对不均匀冷等离子体波碎的抑制作用。在不考虑Bogoliubov非线性频移的情况下,导出适用于各种宽度频率调制下的波碎时间及波碎时快电子能量与最大局部电场方均值的表达式。并与实验结果符合。结果表明无规频率调制确实是抑制波碎与快电子能量的有效方法。
本文引入了相当广泛的几类Wilson作用量,推导了与这些作用量相应的Wilson圈变量的Schwinger-Dyson方程,并证明在连续极限下,这些方程有着相同的形式,从而说明这些作用量是等价的。
本文引入了相当广泛的几类Wilson作用量,推导了与这些作用量相应的Wilson圈变量的Schwinger-Dyson方程,并证明在连续极限下,这些方程有着相同的形式,从而说明这些作用量是等价的。
本文主要讨论了中子星内部发生从正常中子物态到π凝聚物态相变所产生的星体振动的阻尼,由弱作用反应u(p1)→u(p2)+e-+ve和u(p1)+e-→u(p2)+ve算出振动阻尼时标,并考虑了中子星内部的热演化。
本文主要讨论了中子星内部发生从正常中子物态到π凝聚物态相变所产生的星体振动的阻尼,由弱作用反应u(p1)→u(p2)+e-+ve和u(p1)+e-→u(p2)+ve算出振动阻尼时标,并考虑了中子星内部的热演化。
本文根据晶场理论用点电荷近似计算了Zn2-W六角铁氧体七个晶位(2d,4e,4fⅣ,4fⅥ,6g,12k和4f)Fe3+离子的单离子各向异性。结果正如我们所预期的,各个晶位都有一定贡献,且既有正的贡献,也有负的贡献,能够解释对Zn2-W作离子置换的实验结果。
本文根据晶场理论用点电荷近似计算了Zn2-W六角铁氧体七个晶位(2d,4e,4fⅣ,4fⅥ,6g,12k和4f)Fe3+离子的单离子各向异性。结果正如我们所预期的,各个晶位都有一定贡献,且既有正的贡献,也有负的贡献,能够解释对Zn2-W作离子置换的实验结果。
用固相反应法、X射线粉末衍射技术和复平面阻抗谱测量研究了BaF2-BiF3系统的相组成和离子电导。在此系统中发现了两种类型的Ba1-xBixF2+x固溶体:萤石型(0s≈0.5(141/2)aF,cs<
用固相反应法、X射线粉末衍射技术和复平面阻抗谱测量研究了BaF2-BiF3系统的相组成和离子电导。在此系统中发现了两种类型的Ba1-xBixF2+x固溶体:萤石型(0s≈0.5(141/2)aF,cs<
在BaF2-InF3系统中存在一个萤石型固溶体Ba1-xInxF2+x(03(InF6)2和BaInF5。测定了系统中各个相的电导率并和BaF2-BiF3系统进行比较。讨论了阳离子极化性和晶体共价性对电性能的影响。
在BaF2-InF3系统中存在一个萤石型固溶体Ba1-xInxF2+x(03(InF6)2和BaInF5。测定了系统中各个相的电导率并和BaF2-BiF3系统进行比较。讨论了阳离子极化性和晶体共价性对电性能的影响。
本文在玻璃转变温度以下,采用交流伏安法连续自动观测了非晶态Li+导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-0.1Al2O3在等温热处理条件下的电导行为。结果表明:材料的电导率先随时间升高,出现峰值后单调下降,并含有两个平台部分。与此相配合的DSC与XRD研究证实:形成电导率峰值的基本原因是由于发生了非晶态相分离,而电导率曲线下降部分的平台则是由于非晶态的晶化。最后,从相界
本文在玻璃转变温度以下,采用交流伏安法连续自动观测了非晶态Li+导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-0.1Al2O3在等温热处理条件下的电导行为。结果表明:材料的电导率先随时间升高,出现峰值后单调下降,并含有两个平台部分。与此相配合的DSC与XRD研究证实:形成电导率峰值的基本原因是由于发生了非晶态相分离,而电导率曲线下降部分的平台则是由于非晶态的晶化。最后,从相界
我们在Hartree-Slater自洽场理论的基础上,以Cs,Xe原子为例,具体计算了其双光子电离截面。本文的理论方法可容易地应用于其它双光子过程的计算,同时还可推广到更多光子过程的计算。将计算结果和相应的实验以及其它理论结果作了比较和讨论。明确了本文理论计算的精确程度,对碱金属元素(例如Cs)本文的理论值与最近的精确实验符合得较好。
我们在Hartree-Slater自洽场理论的基础上,以Cs,Xe原子为例,具体计算了其双光子电离截面。本文的理论方法可容易地应用于其它双光子过程的计算,同时还可推广到更多光子过程的计算。将计算结果和相应的实验以及其它理论结果作了比较和讨论。明确了本文理论计算的精确程度,对碱金属元素(例如Cs)本文的理论值与最近的精确实验符合得较好。
利用超导结的直流约瑟夫逊效应探测粒子,具有能量分辨率高和时间响应快的优点。我们首次进行了用Sr90-Y90β源辐照Nb-NbOx-Pb超导结的实验。结果表明:在β粒子的辐照下,不仅超导结的临界电流和能隙电压都变小,而且在超导结的两端产生电压脉冲讯号。本文报道了利用直流约瑟夫逊效应探测β粒子所观察到的一些现象。
利用超导结的直流约瑟夫逊效应探测粒子,具有能量分辨率高和时间响应快的优点。我们首次进行了用Sr90-Y90β源辐照Nb-NbOx-Pb超导结的实验。结果表明:在β粒子的辐照下,不仅超导结的临界电流和能隙电压都变小,而且在超导结的两端产生电压脉冲讯号。本文报道了利用直流约瑟夫逊效应探测β粒子所观察到的一些现象。
PbBi2Nb2O9晶体属正交晶系,空间群为D2h23-Fmmm。晶胞参数为a=5.4806(7)?,b=5.4791(7)?,c=25.416(3)?,α=β=γ=90.0(0)°,V=763.2(2)?3。单位晶胞内化学式数z=4,Dobs=7.91g/cm3,Dx=8.26g/cm3
PbBi2Nb2O9晶体属正交晶系,空间群为D2h23-Fmmm。晶胞参数为a=5.4806(7)?,b=5.4791(7)?,c=25.416(3)?,α=β=γ=90.0(0)°,V=763.2(2)?3。单位晶胞内化学式数z=4,Dobs=7.91g/cm3,Dx=8.26g/cm3
对于用MgO和LiF作为添加剂以热压法制备的α-Si3N4进行高分辨电子显微镜观察时,发现结构缺陷。观察到在三晶粒晶界处有分相现象,这表明晶界玻璃相化学成分不均匀。在晶粒中,由晶格变形和(100)晶面位移所引起应力区域时有发现。在有些区域晶格变形是如此严重,以致晶胞的六方对称性都失掉了。晶格的形变可借助于(100)晶面间距与正常值6.771?的偏离加以衡量。用高分辨电子显微镜,我们发现α-Si3N4存在辐射损伤,这可能
对于用MgO和LiF作为添加剂以热压法制备的α-Si3N4进行高分辨电子显微镜观察时,发现结构缺陷。观察到在三晶粒晶界处有分相现象,这表明晶界玻璃相化学成分不均匀。在晶粒中,由晶格变形和(100)晶面位移所引起应力区域时有发现。在有些区域晶格变形是如此严重,以致晶胞的六方对称性都失掉了。晶格的形变可借助于(100)晶面间距与正常值6.771?的偏离加以衡量。用高分辨电子显微镜,我们发现α-Si3N4存在辐射损伤,这可能
分析了最小熵产生定理的适用范围和它与非平衡定态稳定性的关系。发现除了要求线性关系和“弱幅度”的假设外,该定理的适用性还决定于体系的状态偏离局域平衡临界稳定性的程度。还讨论了在线性区形成有序结构的可能性。
分析了最小熵产生定理的适用范围和它与非平衡定态稳定性的关系。发现除了要求线性关系和“弱幅度”的假设外,该定理的适用性还决定于体系的状态偏离局域平衡临界稳定性的程度。还讨论了在线性区形成有序结构的可能性。
本文分析了高达10atm范围的XeCl激光脉冲雪崩放电过程,讨论了延迟效应对放电形成时间的影响,通过与XeCl激光脉冲雪崩放电实验结果的比较,导出临界雪崩通道长度约为1mm。
本文分析了高达10atm范围的XeCl激光脉冲雪崩放电过程,讨论了延迟效应对放电形成时间的影响,通过与XeCl激光脉冲雪崩放电实验结果的比较,导出临界雪崩通道长度约为1mm。
使用自制的简易蒸发源,将金属Ga蒸镀在Ni(111)表面上。在亚单层时,用低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)观测到Ga在Ni(111)面上形成(3(1/2)×3(1/2))R30°和(2×2)两种超结构。并建立起近似平衡图,粗略地确定了这两种超结构存在的覆盖度和温度范围。
使用自制的简易蒸发源,将金属Ga蒸镀在Ni(111)表面上。在亚单层时,用低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)观测到Ga在Ni(111)面上形成(3(1/2)×3(1/2))R30°和(2×2)两种超结构。并建立起近似平衡图,粗略地确定了这两种超结构存在的覆盖度和温度范围。
由文献上Rp的实验数据,用相对校正法和我们编制的LSS方程数值求解程序,算得B+→GaAs的电子阻止本领为NSe(E)=12.4E0.605,以及B+→GaAs的射程统计参数Rp,△Rp和R⊥。
由文献上Rp的实验数据,用相对校正法和我们编制的LSS方程数值求解程序,算得B+→GaAs的电子阻止本领为NSe(E)=12.4E0.605,以及B+→GaAs的射程统计参数Rp,△Rp和R⊥。
本文在文献[1]的基础上,用电子显微镜透射方法研究了一种镍基合金(Ni80Cr20Ti)在高温蠕变第一和第二阶段内的位错结构。对蠕变第一阶段进行了较多的观察和分析。结果表明,在高温蠕变第一阶段内,形成了大量的零散位错,它们一般不处在滑移面上,并且大多是混合型位错,因此,它们是刃型位错攀移和螺型位错交滑移联合作用的结果。
本文在文献[1]的基础上,用电子显微镜透射方法研究了一种镍基合金(Ni80Cr20Ti)在高温蠕变第一和第二阶段内的位错结构。对蠕变第一阶段进行了较多的观察和分析。结果表明,在高温蠕变第一阶段内,形成了大量的零散位错,它们一般不处在滑移面上,并且大多是混合型位错,因此,它们是刃型位错攀移和螺型位错交滑移联合作用的结果。
本文介绍铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000?到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n03·γc高达730×10
本文介绍铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000?到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n03·γc高达730×10