本文用格林函数方法讨论Fokker-Planck方程的非定态问题,将标度理论的“标度区”和“最终时区”统一考虑。在标度理论的头两个时区,所得结果与标度理论的解一致。当t→∞时,所得的非定态解趋于Fokker-Planck方程的定态解,解决了标度区分布函数在稳定点发散的问题,避免了“标度区”和“最终时区”对接的困难。
本文用格林函数方法讨论Fokker-Planck方程的非定态问题,将标度理论的“标度区”和“最终时区”统一考虑。在标度理论的头两个时区,所得结果与标度理论的解一致。当t→∞时,所得的非定态解趋于Fokker-Planck方程的定态解,解决了标度区分布函数在稳定点发散的问题,避免了“标度区”和“最终时区”对接的困难。
本文以时延弛豫微分方程为出发点,计算和分析了具有反馈时间延迟(feedbacktime-delay)tR的液晶混合光学双稳系统中的分叉和混沌。还发现在双稳区内存在一种周期为tR的暂态振荡。
本文以时延弛豫微分方程为出发点,计算和分析了具有反馈时间延迟(feedbacktime-delay)tR的液晶混合光学双稳系统中的分叉和混沌。还发现在双稳区内存在一种周期为tR的暂态振荡。
在弯曲时空中证明了γ-代数,并在切空间中写下Rarita-Schwinger场方程。基于等效原理,求得了弯曲时空中的Rarita-Schwinger场方程。
在弯曲时空中证明了γ-代数,并在切空间中写下Rarita-Schwinger场方程。基于等效原理,求得了弯曲时空中的Rarita-Schwinger场方程。
本文描述了CT-B托卡马克的红宝石激光90°汤姆逊散射系统概况,讨论了等离子体的汤姆逊散射谱轮廓、电子温度Te和电子密度ne的测量,给出测量结果,并与微波干涉测量结果进行了比较。
本文描述了CT-B托卡马克的红宝石激光90°汤姆逊散射系统概况,讨论了等离子体的汤姆逊散射谱轮廓、电子温度Te和电子密度ne的测量,给出测量结果,并与微波干涉测量结果进行了比较。
本文提出脉冲主被动锁模固体激光器的一个理论模型,用它可以通过计算机模拟解出这类激光器的各种特性。
本文提出脉冲主被动锁模固体激光器的一个理论模型,用它可以通过计算机模拟解出这类激光器的各种特性。
本文用文献提出的理论模型对脉冲主被动锁模钕玻璃和Nd:YAG激光器作了计算机模拟。得到了主被动锁模激光器的锁模阈值、输出稳定性、脉冲宽度、脉冲不对称度等特性对调制器的调制深度、失调以及可饱和染料的浓度、弛豫时间的依赖关系。理论计算结果与实验相比定性地符合得很好,由此解释了若干实验现象,并使我们更好地理解主被动锁模的物理过程。
本文用文献提出的理论模型对脉冲主被动锁模钕玻璃和Nd:YAG激光器作了计算机模拟。得到了主被动锁模激光器的锁模阈值、输出稳定性、脉冲宽度、脉冲不对称度等特性对调制器的调制深度、失调以及可饱和染料的浓度、弛豫时间的依赖关系。理论计算结果与实验相比定性地符合得很好,由此解释了若干实验现象,并使我们更好地理解主被动锁模的物理过程。
传统的粉末压片样品严重影响了正电子湮没寿命谱及电子显微镜测量的准确性和重复性。本文克服了以上困难,制出大片非晶离子导体样品,得到了晶化过程正电子湮没寿命谱及扫描电子显微镜研究的新结果。非晶离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3的实验结果发现:Al2O3组分不同对非晶态样品在室温下的正电子平均寿命无较大影响。完全晶化后,正电子平均寿
传统的粉末压片样品严重影响了正电子湮没寿命谱及电子显微镜测量的准确性和重复性。本文克服了以上困难,制出大片非晶离子导体样品,得到了晶化过程正电子湮没寿命谱及扫描电子显微镜研究的新结果。非晶离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3的实验结果发现:Al2O3组分不同对非晶态样品在室温下的正电子平均寿命无较大影响。完全晶化后,正电子平均寿
在80—380K之间对(Fe1-xCrx)84B16(x=0.01—0.46)非晶态合金的绝对热电势S进行了测量,结果表明,磁性非晶合金的S(T)行为并不都是非线性并有一个浅的极小。少量Cr(x≤0.05)的加入使S的绝对值减小,并使S(T)的极小消失;当Cr含量较多时,样品磁性变弱,S(T)从典型的磁性非晶合金的非线性行为过渡到接近于非磁性非晶合金的线性行为。对x=0.15,0.25的样品,其居里点正落在我们测量的温
在80—380K之间对(Fe1-xCrx)84B16(x=0.01—0.46)非晶态合金的绝对热电势S进行了测量,结果表明,磁性非晶合金的S(T)行为并不都是非线性并有一个浅的极小。少量Cr(x≤0.05)的加入使S的绝对值减小,并使S(T)的极小消失;当Cr含量较多时,样品磁性变弱,S(T)从典型的磁性非晶合金的非线性行为过渡到接近于非磁性非晶合金的线性行为。对x=0.15,0.25的样品,其居里点正落在我们测量的温
用光电子能谱结合LEED图样分析的方法研究了In在非解理的GaAs(111)面上的界面形成过程。观察到在这一过程中三维In集团的生长起支配作用。发现对于所有研究过的n型样品,包括Ga终止的GaAs(111)-A面和As终止的GaAs(111)-B面,淀积In之前的表面费密能级均在VBM上面0.75±0.05eV处,在淀积过程中迅速移至VBM上面0.90±0.05eV处。
用光电子能谱结合LEED图样分析的方法研究了In在非解理的GaAs(111)面上的界面形成过程。观察到在这一过程中三维In集团的生长起支配作用。发现对于所有研究过的n型样品,包括Ga终止的GaAs(111)-A面和As终止的GaAs(111)-B面,淀积In之前的表面费密能级均在VBM上面0.75±0.05eV处,在淀积过程中迅速移至VBM上面0.90±0.05eV处。
我们系统地测得了在低温凝聚InSb膜亚稳中间相的不同结构下其σ(Ta)与温度T的关系,发现相应于某些特定σ(Ta)的相变区,样品超导转变的R(T)曲线出现奇异的反常现象。本文提出一个类半导体相和亚稳金属相的混合态模型来解释这些现象,并且按此模型做了理论计算,理论曲线和实验数值较好地符合。
我们系统地测得了在低温凝聚InSb膜亚稳中间相的不同结构下其σ(Ta)与温度T的关系,发现相应于某些特定σ(Ta)的相变区,样品超导转变的R(T)曲线出现奇异的反常现象。本文提出一个类半导体相和亚稳金属相的混合态模型来解释这些现象,并且按此模型做了理论计算,理论曲线和实验数值较好地符合。
选择典型的金属玻璃Cu1-xTix合金系统,利用熔融自旋技术制备了两种组份(x=0.300;x=0.325)的非晶样品。X射线,DTA和DSC测量的结果表明,它们具有典型的非晶特征。在较宽的温区(2—700K)测量了其电阻率,测量结果符合Mooij定则。最后,利用非晶态合金电子输运的Nagel近自由电子模型,Mott的s-d电子散射模型,准粒子无序构形激发模型和“二能级隧道”模型分析了低温电阻率。
选择典型的金属玻璃Cu1-xTix合金系统,利用熔融自旋技术制备了两种组份(x=0.300;x=0.325)的非晶样品。X射线,DTA和DSC测量的结果表明,它们具有典型的非晶特征。在较宽的温区(2—700K)测量了其电阻率,测量结果符合Mooij定则。最后,利用非晶态合金电子输运的Nagel近自由电子模型,Mott的s-d电子散射模型,准粒子无序构形激发模型和“二能级隧道”模型分析了低温电阻率。
对SU(2)格点规范理论用三种不同于常用形式的作用量进行了Monte Carlo模拟,计算了平均内能和比热。内能曲线都趋向共同的弱耦合极限,都有比热峰标志着临界点。观察到仅由于格点间隔α的高次幂项不同而引起临界点明显漂移的现象。
对SU(2)格点规范理论用三种不同于常用形式的作用量进行了Monte Carlo模拟,计算了平均内能和比热。内能曲线都趋向共同的弱耦合极限,都有比热峰标志着临界点。观察到仅由于格点间隔α的高次幂项不同而引起临界点明显漂移的现象。
本文通过对不同温度T(150—350K)和压力p(0—10kbar)范围内LiKSO4晶体介电和弹性性质的研究,发现在室温8.2kbar(对应于升压过程),和4kbar(对应于降压过程)附近介电和弹性系数有突变。我们把它归结为压力诱导的LiKSO4相转变。这个相变过程伴随着很大的压力滞后现象。本文还给出了LiKSO4在上述温度和压力范围内的p-T相图。并发现在3.8kbar和281K处存在一个三相点。
本文通过对不同温度T(150—350K)和压力p(0—10kbar)范围内LiKSO4晶体介电和弹性性质的研究,发现在室温8.2kbar(对应于升压过程),和4kbar(对应于降压过程)附近介电和弹性系数有突变。我们把它归结为压力诱导的LiKSO4相转变。这个相变过程伴随着很大的压力滞后现象。本文还给出了LiKSO4在上述温度和压力范围内的p-T相图。并发现在3.8kbar和281K处存在一个三相点。
在化学计量的熔料里,用提拉法生长了K5Bi0.9Nd0.1(MoO4)4和K5Bi0.97Nd0.03(MoO4)4单晶。该晶体属于三方晶系,空间群为R3m,Z=1.5,晶胞常数为a=6.023?,c=20.887?(Nd0.1)。K5Bi(Mo
在化学计量的熔料里,用提拉法生长了K5Bi0.9Nd0.1(MoO4)4和K5Bi0.97Nd0.03(MoO4)4单晶。该晶体属于三方晶系,空间群为R3m,Z=1.5,晶胞常数为a=6.023?,c=20.887?(Nd0.1)。K5Bi(Mo
用会聚束电子衍射、选区电子衍射和X射线微区分析,将GH302合金中的枝晶状析出相确认为C14型Laves相。
用会聚束电子衍射、选区电子衍射和X射线微区分析,将GH302合金中的枝晶状析出相确认为C14型Laves相。
EPR和ENDOR表明:顺磁离子取代KMgF3中的Mg2+离子后,所处的环境具有轴对称。本文研究了KMgF3:Cr3+的Δg=g∥-g⊥和零场分裂值D,证实KMgF3:Cr3+中K+空位的存在。并且指出:由于K+空位,使Cr3+的最近邻F-离子分
EPR和ENDOR表明:顺磁离子取代KMgF3中的Mg2+离子后,所处的环境具有轴对称。本文研究了KMgF3:Cr3+的Δg=g∥-g⊥和零场分裂值D,证实KMgF3:Cr3+中K+空位的存在。并且指出:由于K+空位,使Cr3+的最近邻F-离子分
本文报道了用铍过滤探测器谱仪对LaNi4.5Mn0.5Hx在三种不同氢含量时测量的中子非弹性散射谱。结果表明,Mn原子部分置换LaNi5中的Ni原子后,使M—H键增强,当x=6时,高能段的第二、三振动峰分别向高频方向位移了6meV和10meV。该结果与LaNi4.5Mn0.5Hx的平台压力(P-C-T等温线)下降的宏观热力学性能相一致。
本文报道了用铍过滤探测器谱仪对LaNi4.5Mn0.5Hx在三种不同氢含量时测量的中子非弹性散射谱。结果表明,Mn原子部分置换LaNi5中的Ni原子后,使M—H键增强,当x=6时,高能段的第二、三振动峰分别向高频方向位移了6meV和10meV。该结果与LaNi4.5Mn0.5Hx的平台压力(P-C-T等温线)下降的宏观热力学性能相一致。
根据Kubo的线性响应理论,提出一种金属玻璃低温电子输运的简单模型——准粒子无序构形激发模型。这个模型基于无序构形所引起的Fermi能级“变形”来描述强无序金属系统的低温电阻率反常行为。
根据Kubo的线性响应理论,提出一种金属玻璃低温电子输运的简单模型——准粒子无序构形激发模型。这个模型基于无序构形所引起的Fermi能级“变形”来描述强无序金属系统的低温电阻率反常行为。
本文指出交叉膜型小尺寸的约瑟夫逊结在不对称地提供结电流时,存在明显的自场效应,不对称自场将改变直流超导隧道电流与磁场关系的对称性。
本文指出交叉膜型小尺寸的约瑟夫逊结在不对称地提供结电流时,存在明显的自场效应,不对称自场将改变直流超导隧道电流与磁场关系的对称性。
本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的Tc经验公式,Tc=Aλ1/2/(/ω0+(1+λ)/20),式中A=(1/5)(K1/2)。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,Tc经验公式能很好地描述非晶态超导体的Tc值。
本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的Tc经验公式,Tc=Aλ1/2/(/ω0+(1+λ)/20),式中A=(1/5)(K1/2)。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,Tc经验公式能很好地描述非晶态超导体的Tc值。