本文指出对于超导交叉膜隧道结,跨越结的隧道电流除引起结区温升外,同时在结区产生不均匀的自场。这将使结区超导膜进入中间态。用这个物理模型不仅可以解释超导Pb膜的不可逆非平衡电压曲线的滞迴以及实验上出现的阈值电流I(t3)的存在,而且还可以得出通常的隧道I-V曲线中出现滞迴的奇异现象。
本文指出对于超导交叉膜隧道结,跨越结的隧道电流除引起结区温升外,同时在结区产生不均匀的自场。这将使结区超导膜进入中间态。用这个物理模型不仅可以解释超导Pb膜的不可逆非平衡电压曲线的滞迴以及实验上出现的阈值电流I(t3)的存在,而且还可以得出通常的隧道I-V曲线中出现滞迴的奇异现象。
本文首先建立描写部分相干光信息处理系统的数学模型。作为例子,把它应用于光学象的退卷积问题,得到了为获得精确退卷积象的充要条件。建立了线性变换过程中的误差传递公式。这不仅可以用来估计退卷积象的误差,还可以用来预言最优光源分布。并且证明,对于带限信号,用合适的扩展光源,可以使退卷积象的误差尽可能小。
本文首先建立描写部分相干光信息处理系统的数学模型。作为例子,把它应用于光学象的退卷积问题,得到了为获得精确退卷积象的充要条件。建立了线性变换过程中的误差传递公式。这不仅可以用来估计退卷积象的误差,还可以用来预言最优光源分布。并且证明,对于带限信号,用合适的扩展光源,可以使退卷积象的误差尽可能小。
本文中提出了一个同时适用于描述极薄及厚二氧化硅层生长规律的新的氧化模型。该模型假定在氧化过程中,二氧化硅层内的总净电荷具有指数分布。本文考虑了此氧化层电荷的影响,并推得了硅热氧化的新关系式。此新关系式不论是对非常薄或厚氧化层都与实验结果符合得很好。对于厚氧化层此式则过渡到熟知的Deal-Grove关系。利用本模型还可满意地解释外加电场对氧化速率的影响。
本文中提出了一个同时适用于描述极薄及厚二氧化硅层生长规律的新的氧化模型。该模型假定在氧化过程中,二氧化硅层内的总净电荷具有指数分布。本文考虑了此氧化层电荷的影响,并推得了硅热氧化的新关系式。此新关系式不论是对非常薄或厚氧化层都与实验结果符合得很好。对于厚氧化层此式则过渡到熟知的Deal-Grove关系。利用本模型还可满意地解释外加电场对氧化速率的影响。
利用Koster-Slater的格林函数方法,给出了决定立方半导体中理想双空位在禁带中引入的不同对称态的能级和波函数的完整的方程组。主体半导体的能带结构用一经验的紧束缚哈密顿量来描述,缺陷引入的微扰势则采用在位势近似。在此基本假定下,这些方程组仅涉及到主体半导体的在位(on-site)和离位(off-site)格林函数以及这些格林函数对能量E的微商。
利用Koster-Slater的格林函数方法,给出了决定立方半导体中理想双空位在禁带中引入的不同对称态的能级和波函数的完整的方程组。主体半导体的能带结构用一经验的紧束缚哈密顿量来描述,缺陷引入的微扰势则采用在位势近似。在此基本假定下,这些方程组仅涉及到主体半导体的在位(on-site)和离位(off-site)格林函数以及这些格林函数对能量E的微商。
本文研究了氧族元素S和Se在Ni(001)衬底上形成的P(2×2)和C(2×2)两种结构吸附系统依赖于能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,考虑了在不同能量范围内作Fourier变换对峰值位置的影响,求得了这些系统的各级层距修正值Δα,讨论了利用这些Δα值和实验EDPDFT数据来决定表面结构的可能性。
本文研究了氧族元素S和Se在Ni(001)衬底上形成的P(2×2)和C(2×2)两种结构吸附系统依赖于能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,考虑了在不同能量范围内作Fourier变换对峰值位置的影响,求得了这些系统的各级层距修正值Δα,讨论了利用这些Δα值和实验EDPDFT数据来决定表面结构的可能性。
用X射线衍射和热学分析的方法研究了急冷(冷却速度约为104K/s)Ag-Ge二元系样品的相关系。由于急冷Ge在Ag中的溶解度由平衡下的1.5at％扩展到8at％。在Ge含量为8—23at％的样品中,除含Ge在Ag中的过饱和固溶体和Ge外,还有一个具有与Ag基过饱和固溶体相同成分,不同堆垛形式的亚稳相,属A3型六角密排结构,点阵常数a=2.893±0.010?,c=4.720±0.010?,c/a=1.632。用DuPont公司1090系列的差示扫描量热仪(DSC)研究了过饱和固溶体和
用X射线衍射和热学分析的方法研究了急冷(冷却速度约为104K/s)Ag-Ge二元系样品的相关系。由于急冷Ge在Ag中的溶解度由平衡下的1.5at％扩展到8at％。在Ge含量为8—23at％的样品中,除含Ge在Ag中的过饱和固溶体和Ge外,还有一个具有与Ag基过饱和固溶体相同成分,不同堆垛形式的亚稳相,属A3型六角密排结构,点阵常数a=2.893±0.010?,c=4.720±0.010?,c/a=1.632。用DuPont公司1090系列的差示扫描量热仪(DSC)研究了过饱和固溶体和
本文研究在一个镶嵌正方形格子上的一个稀释双键Potts模型,模型中既包含铁磁作用,也包含反铁磁作用。得到了非常一般的和某些特殊情况下的临界行为的严格解及相图。特别是,我们的结果中展示出在二维情况下,当q≤3时,稀释反铁磁Potts模型也如同正规(非稀释)模型一样,存在着特殊的低温相。
本文研究在一个镶嵌正方形格子上的一个稀释双键Potts模型,模型中既包含铁磁作用,也包含反铁磁作用。得到了非常一般的和某些特殊情况下的临界行为的严格解及相图。特别是,我们的结果中展示出在二维情况下,当q≤3时,稀释反铁磁Potts模型也如同正规(非稀释)模型一样,存在着特殊的低温相。
本文发展了具有近程序的N元无序材料理论,以原子间的关联函数描写从偏析到形成N元化合物之间的各种无序组态。以此为基础,采用以Bethe晶格为边界条件的原子集团格林函数理论,在紧束缚近似下,提出了计算N元无序材料的电子态密度方法。作为例子,计算了不同配比和不同无序组态下的三元无序材料AxByCz (x+y+z=1)的电子态密度,计算结果十分敏感地依赖于原子间关联的程度。
本文发展了具有近程序的N元无序材料理论,以原子间的关联函数描写从偏析到形成N元化合物之间的各种无序组态。以此为基础,采用以Bethe晶格为边界条件的原子集团格林函数理论,在紧束缚近似下,提出了计算N元无序材料的电子态密度方法。作为例子,计算了不同配比和不同无序组态下的三元无序材料AxByCz (x+y+z=1)的电子态密度,计算结果十分敏感地依赖于原子间关联的程度。
用数值积分及二维叠代对含二次非线性项受迫振动系统x+kx+ω02x-dx2=μcosωt中的分岔与混沌现象进行了研究。控制参数μ的一系列临界值与α成反比。
用数值积分及二维叠代对含二次非线性项受迫振动系统x+kx+ω02x-dx2=μcosωt中的分岔与混沌现象进行了研究。控制参数μ的一系列临界值与α成反比。
本文通过同时测量金属玻璃Co65.2Fe4.2Ni3Nb1Al2Si9.8B14.8的同一样品在各种横磁张力退火后的磁各向异性、磁致伸缩和应变,对这些物理量的变化情况作了比较。应变感生各向异性和暂态蠕变的行为有某种相似性,但其间不存在对应或因果关系。磁化感生各向异性Kum,应变感生各向异性Kus,饱和磁致伸缩常
本文通过同时测量金属玻璃Co65.2Fe4.2Ni3Nb1Al2Si9.8B14.8的同一样品在各种横磁张力退火后的磁各向异性、磁致伸缩和应变,对这些物理量的变化情况作了比较。应变感生各向异性和暂态蠕变的行为有某种相似性,但其间不存在对应或因果关系。磁化感生各向异性Kum,应变感生各向异性Kus,饱和磁致伸缩常
用四个频率(f=31,50,72,93MHz)超声纵波测量了钼酸钆晶体铁弹铁电相变(Tc=160.90℃)引起的超声衰减(αs)峰。得到较准确的αs正比f2的关系,求得Tc以上αs的临界指数从1.52±0.12变到0.89±0.12。有渡越现象。用低频(f=1Hz和150kHz)测出了相变内耗峰,肯定其为相界面运动所引起。并求得界面运动的临界应力,从而确定了本文中测得的超声衰
用四个频率(f=31,50,72,93MHz)超声纵波测量了钼酸钆晶体铁弹铁电相变(Tc=160.90℃)引起的超声衰减(αs)峰。得到较准确的αs正比f2的关系,求得Tc以上αs的临界指数从1.52±0.12变到0.89±0.12。有渡越现象。用低频(f=1Hz和150kHz)测出了相变内耗峰,肯定其为相界面运动所引起。并求得界面运动的临界应力,从而确定了本文中测得的超声衰
本文用多时标微扰论方法分析非平衡电离问题。决定电子束缚态平均占据概率Pn的各物理过程通常具有很不相同的时间尺度。在本文中,两个相邻能级之间的跃迁过程被看作是快过程,其他过程(包括电离)则被看成是慢过程。这一理论特别适合于高Z元素的较低的束缚能级。理论给出了Pn作为自由电子数ne的近似解析表达式,结果代替求解dPn/dt方程组,只解ne的常微分方程就够了。这样,问题既得到简化又避免了dPn
本文用多时标微扰论方法分析非平衡电离问题。决定电子束缚态平均占据概率Pn的各物理过程通常具有很不相同的时间尺度。在本文中,两个相邻能级之间的跃迁过程被看作是快过程,其他过程(包括电离)则被看成是慢过程。这一理论特别适合于高Z元素的较低的束缚能级。理论给出了Pn作为自由电子数ne的近似解析表达式,结果代替求解dPn/dt方程组,只解ne的常微分方程就够了。这样,问题既得到简化又避免了dPn
测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobilitykiller)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。
测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobilitykiller)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。
用量子化学的半经验自洽场分子轨道方法CNDO/2研究硫属玻璃中的各种缺陷态,包括带正电荷、负电荷和中性的三配位硫原子簇的化学键。从原子簇能量、原子净电荷、键级函数(双原子能量)等方面作了比较,取得了与Kastner相一致的结果,验证了K-A-F的换价对(VAP)理论。探讨了孤对电子对于缺陷态化学键的影响,证实了孤对电子在硫属玻璃中的重要作用。
用量子化学的半经验自洽场分子轨道方法CNDO/2研究硫属玻璃中的各种缺陷态,包括带正电荷、负电荷和中性的三配位硫原子簇的化学键。从原子簇能量、原子净电荷、键级函数(双原子能量)等方面作了比较,取得了与Kastner相一致的结果,验证了K-A-F的换价对(VAP)理论。探讨了孤对电子对于缺陷态化学键的影响,证实了孤对电子在硫属玻璃中的重要作用。
在Koster-Slater格林函数以及中心原胞缺陷势近似的基础上第一次给出并讨论了Si,GaAs,GaP深能级波函数在Bloch空间的分布特征。并指出,对于一定能带数目的近似晶体模型,计算深能级波函数的收敛性比计算深能级能量的收敛性要快。
在Koster-Slater格林函数以及中心原胞缺陷势近似的基础上第一次给出并讨论了Si,GaAs,GaP深能级波函数在Bloch空间的分布特征。并指出,对于一定能带数目的近似晶体模型,计算深能级波函数的收敛性比计算深能级能量的收敛性要快。
利用多重散射Xα自洽场方法研究了H在Al(111)表面吸附的桥位和顶位模型。结果表明顶位吸附的结合能优于桥位。顶位吸附中H的1s电子与Al相互作用形成不同形式的σ键,本文分析了这些成键细节,并给出了顶位吸附的态密度。
利用多重散射Xα自洽场方法研究了H在Al(111)表面吸附的桥位和顶位模型。结果表明顶位吸附的结合能优于桥位。顶位吸附中H的1s电子与Al相互作用形成不同形式的σ键,本文分析了这些成键细节,并给出了顶位吸附的态密度。
采用文献的一组统一的doublezeta收缩高斯型函数为基函数,从头计算H2和第一列元素的同核双原子体系的电子波函数和轨道能量、总能量等物理量。电子态包括同核体系的基态A2,一些低激发态A2~*和正负离子态A2~±,A表示周期表中Li到F的各种元素。计算限于闭壳层电子组态或只带一个未填满的开壳层电子组态。作为例子,报道了H2和几种基态A2的电子波函数表。
采用文献的一组统一的doublezeta收缩高斯型函数为基函数,从头计算H2和第一列元素的同核双原子体系的电子波函数和轨道能量、总能量等物理量。电子态包括同核体系的基态A2,一些低激发态A2~*和正负离子态A2~±,A表示周期表中Li到F的各种元素。计算限于闭壳层电子组态或只带一个未填满的开壳层电子组态。作为例子,报道了H2和几种基态A2的电子波函数表。
用X射线衍射和差热分析方法研究了BaB2O4-K2O和BaB2O4-K2B2O4赝二元系的相平衡关系。BaB2O4-K2B2O4属共晶体系,共晶温度为850±3℃,共晶点成分为45mol％K2O。在Ba
用X射线衍射和差热分析方法研究了BaB2O4-K2O和BaB2O4-K2B2O4赝二元系的相平衡关系。BaB2O4-K2B2O4属共晶体系,共晶温度为850±3℃,共晶点成分为45mol％K2O。在Ba
求解低对称晶系晶胞参数的联立方程组的某些组合可使误差严重积累,构成病态方程组。本文提出一种用逆矩阵值对方程组的稳定性进行判别,选择非病态方程求解晶胞参数的方法。实例证明本方法简便可靠,结果满意。
求解低对称晶系晶胞参数的联立方程组的某些组合可使误差严重积累,构成病态方程组。本文提出一种用逆矩阵值对方程组的稳定性进行判别,选择非病态方程求解晶胞参数的方法。实例证明本方法简便可靠,结果满意。