本文介绍HT-6B托卡马克装置上的高灵敏软X射线起伏测量系统及其第一期测量结果在平均电子温度Te<100eV的条件下,观测到了各种典型软X射线起伏波形,破裂不稳定性,MHD扰动模式,以及一些有趣现象。

针对大量具有空间调制的无序系统,本文提出一种实空间重整化群变换方案。这个方案保证了在空间映象下相对的空间调制结构不变,因此可用以研究非均匀无序系统Anderson局域化的临界性质。在有限晶格近似下,我们对无序金属超晶格的一个简化模型求解了RG方程,得到不动点和临界指数的近似值,并发现空间调制在一定程度上引起无序系统电子局域化性质的改变。

本文利用泛函积分方法研究了超导金属微粒准粒子态密度的量子尺寸效应及随温度的变化。并研究了当超导微粒嵌入隧道结后对于Josephson效应的影响,发现在Josephson临界电流中出现反常现象。此外,我们还计算了准粒子隧道电流,结论与实验结果一致。

本文讨论用瞬态方法测量立方半导体缺陷能级应力移动和判别缺陷势对称性的有关问题。对于简并能级Es引入应力下分裂平均值Es,它具有原哈密顿群对称操作不变性,因此可以用群论方法得出应力系数间关系并用以判断缺陷势对称性。比如当缺陷势具有T群以上对称时,缺陷能级平均值ET相对导带底或价带顶单轴应力系数(?(Ec-ET))/(?F)或(?(ET-Ev))/(?F)与应力F方向无关且等于流体静压系数的1/3。也讨论了C3v对称缺陷势的情况。缺陷能级对导带的平均电子发射率en和俘获率cn满足简洁关系 en=gTgc-1cnN′ce(-(Ec-ET)/kT)。指出通过测量en的应力关系判断缺陷势对称性的各种方案比较。分析了用瞬态法测量en有关问题。当ET分裂但诸能级间允许跃迁时,瞬态讯号呈单指数衰减,时间常数为en-1。当ET分裂但诸能级间禁止跃迁时,瞬态讯号呈多指数衰减。用初始斜率可求得en。

在一个Si中掺Aup+n结的多子脉冲下深能级瞬态谱(DLTS)中,发现了一个少子峰信号。给出了这一现象的主要实验结果,并做了系统的物理分析。这是p+n结中高掺杂一侧的自由少数载流子尾在自建势所张开的空间电荷区中被少子陷阱俘获后,再发射的结果。

本文报道了用孤立实激发的方法,对Sr的5p1/2ns系列自电离谱的观察。测定了Sr的5p1/2ns系列八个态的能级、量子亏损和线宽。

本文报道4.2—300K和20—400cm-1范围内不同组份的Cd1-xMnxTe混晶远红外声子吸收光谱的研究结果。实验分辨了类CdTe,类MnTe剩余射线带及其TO-LO分裂,首次观察到位于混晶剩余射线吸收区内侧的低频吸收带、低x值情况下的准定域模吸收峰及其两侧的诸双声子吸收带。用缺陷晶格动力学理论估计了准定域模的出现及位置,讨论了其他吸收带的物理起源和判定。

测定了氟化物、氟磷酸盐和磷酸盐玻璃中Er3+离子的吸收、荧光和激发光谱,解释了基质玻璃对Er3+离子发光的影响。进一步研究了在这三种基质玻璃中Er3+离子发光的浓度效应和温度效应,讨论了Er3+离子内和离子间的能量转移过程。

继文献[1]之后,我们又研究了掺Fe浓度为0.07％的LiNbO3:Fe晶体的光折变对喇曼光谱的影响。发现在x(zx)z和y(zy)z配置下出现异常。这可以由异常声子的极化电场与光折变在晶体中形成的强空间电荷场的相互作用来解释。

在银胶体中进行了苯甲酸、邻羟基苯甲酸(又名水扬酸)和对羟基苯甲酸的表面增强喇曼散射。得到并分析了这三种分子的增强喇曼谱。这三个分子都含有ν(C—CO2-)伸缩振动。水扬酸和对羟基苯甲酸是同分异构体,都含有ν(C—OH)伸缩振动,但处于不同位置上。借此我们分析了相对于表面不同距离和不同取向下的增强因子变化,并与纯电磁理论的球形颗粒模型进行了比较。发现了明显的分歧,讨论了可能的原因。还讨论了凝聚对增强因子的影响,并提出了控制胶体凝聚的可能途径。

本文系统地报道单辊液淬方法制备FeTmB(Tm=Ti,V,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo,Ta,W)非晶态合金的磁性,讨论了3d,4d,5d元素的加入对非晶态FeB合金的磁矩和居里温度的影响。实验结果表明在非晶态FeTmB合金系中Fe原子磁矩都在2.0μB左右。Tm原子在非晶态Fe基合金中比在相应的晶态合金中显示更强的局域特性。Tm原子的磁矩与元素的外层电子数有关,IVB(Ti),VB(V),VIB(Cr),VIIB(Mn)族原子的磁矩分别约为4,5,4,3μB,Tm的磁矩与铁原子磁矩反平行耦合。合金磁矩随Tm含量的变化率dμ/dx与混合模型的计算值相符合。用虚拟束缚态讨论,得到IVB(Ti),VB(V)族元素的虚拟束缚态在费密面以上,VIB(Cr),VIIB(Mn)族元素的虚拟束缚态与费密面交迭。

用真空葛氏摆,研究了Fe-C+N-P合金系冷加工试样内耗。发现置换式固溶元素磷,强烈减低铁的S-K-K内耗(Q-1)、降低内耗峰温度(Tp)和明显减小其弛豫激活能(H)。在铁中磷的固溶限度以下,内耗峰高度(Qh-1)随合金中磷浓度的三分之二次方(即位错线上磷浓度平方)Cp2/3增加而线性减低。实验结果符合Schoeck理论。本文还讨论了内耗机制,认为它是非螺(包括刃)位错段拖曳Cottrell气团间隙溶质原子移动产生的。位错段运动以弯曲的方式进行。

对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。

用缓慢升温法在高压釜中生长了α-AlPO4单晶体;用传输法测量了室温下α-AlPO4单晶体的压电、弹性和介电常数,研究了晶体中缺陷对电性能的影响。

用高分辨电子显微镜观察了碲镉汞晶体中的缺陷。直接观察到晶体中存在的两类60°位错。在孪晶边界上,观察到孪晶位错。指出,孪晶位错是再结晶过程中,孪晶界面迁移的激活台阶。

本文研究了在激光诱导下Ba和Yb的两对非偶极允许能级间的碰撞能量转移,得到了转移截面与诱导激光波长的关系。观察到自旋相互作用对它的影响。

在重水反应堆旁利用中子飞行时间方法测量了5—22meV中子能区内Ge(111)Bragg反射束中的高次中子成分,并与理论计算进行了比较,两者符合甚好。结果表明,在20meV以下,Ge(111)反射束的级次污染较严重。

本文用中子飞行时间方法对C-15相的超导材料V2Hf,V2Ta和V2Hf0.8Ta0.2以及V2Zr0.5。Hf0.5和V2Zr0.5Hf0.33Ta0.17的热中子非弹性散射谱作了测量,并计算出相对的广义声子态密度。结果与早先发表的Nb对C-15相V2Zr和V2(Hf0.5Zr0.5)系列声子性能的影响一致:声子频率随超导转变温度Tc增加而软化,随Tc减小而硬化。这表明,对于此类材料弹性软化在一定程度上对提高Tc起了作用。结果还进一步表明V2Zr或V2Hf与V2(Zr0.5Hf0.5)之间有着质的差别,V2Hf加Ta后,Tc增加,声子频率软化,而V2(Zr0.5Hf0.5)加Ta后,Tc减小,声子频率则略有硬化。这与V2Zr和V2(Hf0.5Zr0.5)加Nb的结果是一致的。此结果可以用角动量分波表象的能带论方法分析电-声耦合相互作用得出的杂化理论来定性解释。

Darboux变换和一个积分变换用于变换Poschl-Teller势和改型Poschl-Teller势的薛定谔型方程,求得了两类双阱势可解模型。