本文中用夸克模型,Warke近似,并作为补偿,在夸克唯象势中加入中程势(-1)T+JKre(-r/a2),计算了π-N相互作用势,从此势计算了L2T,2J=S11,S31,P11,P31,P13和P33六种道的相移。在入射π介子动能Eπk(lab)=0—700MeV范围内,与由实验方法决定的相移进行了比较。
本文中用夸克模型,Warke近似,并作为补偿,在夸克唯象势中加入中程势(-1)T+JKre(-r/a2),计算了π-N相互作用势,从此势计算了L2T,2J=S11,S31,P11,P31,P13和P33六种道的相移。在入射π介子动能Eπk(lab)=0—700MeV范围内,与由实验方法决定的相移进行了比较。
我们对Al激光等离子体的空间分辨光谱进行了研究。在2300—4000?波段观察到属于AlⅠ,AlⅡ及AlⅢ的近30条发射谱线。这些谱线的线宽及线移量随等离子体离开靶面的距离而变。我们选了五条不同离化态的谱线,根据Griem的理论公式及一部分实验数据,用半经验的方式对靶面附近的电子密度进行了粗略测量。发现不同离化态的Al原子谱线展宽数据之间符合较好,可以用来估算1×1017—5×1018cm-3范围的等离子体电子密度。但有关线移的数据则符合得较差,特别是AlⅡ的3586?及AlⅢ的3610?。这有待进一步的研究。
我们对Al激光等离子体的空间分辨光谱进行了研究。在2300—4000?波段观察到属于AlⅠ,AlⅡ及AlⅢ的近30条发射谱线。这些谱线的线宽及线移量随等离子体离开靶面的距离而变。我们选了五条不同离化态的谱线,根据Griem的理论公式及一部分实验数据,用半经验的方式对靶面附近的电子密度进行了粗略测量。发现不同离化态的Al原子谱线展宽数据之间符合较好,可以用来估算1×1017—5×1018cm-3范围的等离子体电子密度。但有关线移的数据则符合得较差,特别是AlⅡ的3586?及AlⅢ的3610?。这有待进一步的研究。
本文中讨论了一个注入信号对自由电子激光的影响,找到了自由电子激光脉冲破裂的原因,和抑制脉冲破裂的方法。
本文中讨论了一个注入信号对自由电子激光的影响,找到了自由电子激光脉冲破裂的原因,和抑制脉冲破裂的方法。
我们着重研究了高压H2气Q(1)振动跃迁(4155cm-1)受激喇曼散射(SRS)中,参与非线性相互作用的几个参数(介质分子密度、跃迁线宽、泵浦光子密度以及非线性作用长度)对受激阈值与能量转换效率的影响。给出了自零到24atmH2气压范围内阈值随H2气压变化的实验结果,它与根据Dicke-Doppler展宽和碰撞展宽的联合效应的分析是一致的。讨论了由于受激喇曼过程(SRP)和四波混频参量过程(FWPP)共同影响下能量转换效率、压力-色散效应对高阶反斯托克斯的能量输出的重要影响。
我们着重研究了高压H2气Q(1)振动跃迁(4155cm-1)受激喇曼散射(SRS)中,参与非线性相互作用的几个参数(介质分子密度、跃迁线宽、泵浦光子密度以及非线性作用长度)对受激阈值与能量转换效率的影响。给出了自零到24atmH2气压范围内阈值随H2气压变化的实验结果,它与根据Dicke-Doppler展宽和碰撞展宽的联合效应的分析是一致的。讨论了由于受激喇曼过程(SRP)和四波混频参量过程(FWPP)共同影响下能量转换效率、压力-色散效应对高阶反斯托克斯的能量输出的重要影响。
对Si(111)解理清洁表面及其在氧吸附后测得的SiL2,3VV俄歇谱进行数字积分、背底扣除及退自卷积后,得到了解理清洁表面在氧吸附前后的部分跃迁态密度。分析这两者之间的差别,结合别人的实验及理论计算结果表明:氧同时以分子形式及原子形式进行吸附,在吸附过程中,还同时形成氧化硅的价态。
对Si(111)解理清洁表面及其在氧吸附后测得的SiL2,3VV俄歇谱进行数字积分、背底扣除及退自卷积后,得到了解理清洁表面在氧吸附前后的部分跃迁态密度。分析这两者之间的差别,结合别人的实验及理论计算结果表明:氧同时以分子形式及原子形式进行吸附,在吸附过程中,还同时形成氧化硅的价态。
对多晶Y3Fe3Fe5-xMnxO12(x=0.05和0.09),得到300K下的中子衍射曲线。发现当x=0.05时,Mn3+离子占据16a和24d位置的几率分别为0.72和0.28;当x=0.09时,Mn3+离子全部占据16a位置;还得到两种组分16a和24d位置各自的磁矩值。在外磁场(800—10KOe)下测量Y3Fe5-xMnxO12(x=0—0.11)的磁化曲线,温度范围是1.5—300K。得到饱和磁矩值;并利用趋近饱和定律确定1.5K下的磁晶各向异性常数k1值,发现|k1|值随含锰量增加而减小。
对多晶Y3Fe3Fe5-xMnxO12(x=0.05和0.09),得到300K下的中子衍射曲线。发现当x=0.05时,Mn3+离子占据16a和24d位置的几率分别为0.72和0.28;当x=0.09时,Mn3+离子全部占据16a位置;还得到两种组分16a和24d位置各自的磁矩值。在外磁场(800—10KOe)下测量Y3Fe5-xMnxO12(x=0—0.11)的磁化曲线,温度范围是1.5—300K。得到饱和磁矩值;并利用趋近饱和定律确定1.5K下的磁晶各向异性常数k1值,发现|k1|值随含锰量增加而减小。
本文研究了Ni83Cr7Fe3Si4B3非晶态合金在1bar及100kbar压力下的晶化过程,得到了“时间-温度-变态”图。其结果表明:经高压热处理后的非晶合金其晶化温度降低,fcc-Ni相区域加宽及亚稳Ⅱ相没有形成。另外,还分别计算了常压及100kbar压力下的晶化激活能。
本文研究了Ni83Cr7Fe3Si4B3非晶态合金在1bar及100kbar压力下的晶化过程,得到了“时间-温度-变态”图。其结果表明:经高压热处理后的非晶合金其晶化温度降低,fcc-Ni相区域加宽及亚稳Ⅱ相没有形成。另外,还分别计算了常压及100kbar压力下的晶化激活能。
在温度4.2—300K和波数15—450cm-1范围内研究了x=0.18到0.45的不同组份的CdxHg1-xTe样品的远红外反射光谱。实验观察到了类CdTe光学声子反射带的精细结构和低组份样品类HgTe反射带的复杂结构,研究了这些结构对组份和温度的关系,并用多振子模型讨论了反射光谱的这种精细结构。对实验反射光谱用经典的振子匹配方法进行了拟合计算,并从这种拟合运算获得了Cd(x-)Hg1-xTe的远红外介电函数谱及其它光学常数和频率的关系。
在温度4.2—300K和波数15—450cm-1范围内研究了x=0.18到0.45的不同组份的CdxHg1-xTe样品的远红外反射光谱。实验观察到了类CdTe光学声子反射带的精细结构和低组份样品类HgTe反射带的复杂结构,研究了这些结构对组份和温度的关系,并用多振子模型讨论了反射光谱的这种精细结构。对实验反射光谱用经典的振子匹配方法进行了拟合计算,并从这种拟合运算获得了Cd(x-)Hg1-xTe的远红外介电函数谱及其它光学常数和频率的关系。
本文用奇异扰动方法讨论了具有小Knudsen数的Boltzmann方程的正规解,证明把Hil-bert展开和Enskog展开加以改进可以消除久期项。
本文用奇异扰动方法讨论了具有小Knudsen数的Boltzmann方程的正规解,证明把Hil-bert展开和Enskog展开加以改进可以消除久期项。
求解小Knudsen数的Boltzmann方程时,本文改进了Grad展开,得到了没有久期项的初始层解,这个解反映出气体中可能存在高阶矩的声波。
求解小Knudsen数的Boltzmann方程时,本文改进了Grad展开,得到了没有久期项的初始层解,这个解反映出气体中可能存在高阶矩的声波。
本文指出,从液晶透射的偏振光(单色光和白光)干涉条纹时空分布可以得到多种可能的液晶指向角时空分布。考虑具体物理条件(如指向切流孤子方程,非线性波局域速度随时间变化等)可以消除上述不确定性。文中对向列相切流液晶孤子情形做了详细讨论。数值计算结果与有关实验的比较表明,如果指向切流孤子方程(一维)是该实验的合理描述,那么,文献中指向角空间分布曲线是与该实验观察到白光下三条黑线速度方向相同这一事实相抵触的。本文给出了与上述实验比较一致的指向角分布。
本文指出,从液晶透射的偏振光(单色光和白光)干涉条纹时空分布可以得到多种可能的液晶指向角时空分布。考虑具体物理条件(如指向切流孤子方程,非线性波局域速度随时间变化等)可以消除上述不确定性。文中对向列相切流液晶孤子情形做了详细讨论。数值计算结果与有关实验的比较表明,如果指向切流孤子方程(一维)是该实验的合理描述,那么,文献中指向角空间分布曲线是与该实验观察到白光下三条黑线速度方向相同这一事实相抵触的。本文给出了与上述实验比较一致的指向角分布。
本文讨论了具有-U中心的非简单金属薄膜与BCS超导体薄膜夹层邻近效应的传导电子能隙函数、态密度及超导转变温度Tc随各参量的变化规律。结果表明,-U中心的存在使激发谱“能隙”内出现很小值的态密度。在一定参数范围内,这种夹层系统的Tc是有可能高于大块BCS超导体的转变温度。
本文讨论了具有-U中心的非简单金属薄膜与BCS超导体薄膜夹层邻近效应的传导电子能隙函数、态密度及超导转变温度Tc随各参量的变化规律。结果表明,-U中心的存在使激发谱“能隙”内出现很小值的态密度。在一定参数范围内,这种夹层系统的Tc是有可能高于大块BCS超导体的转变温度。
本文从VonNeumanm方程出发,求出了热库中振子跃迁几率的精确解。在不作弱耦合近似情况下得到了平衡态分布的形式。
本文从VonNeumanm方程出发,求出了热库中振子跃迁几率的精确解。在不作弱耦合近似情况下得到了平衡态分布的形式。
本文用X射线光电子能谱(XPS)对室温下自然氧化和射频氧化的氮化铌薄膜表面进行了成分分析。指出:与在类似条件下纯铌膜的氧化不同,NbN膜的表面氧化物中不存在NbO和NbO2,而是以Nb2O3作为从NbN到Nb2O5-y的过渡相。氮化铌在氧化过程中表现出一种抑制Nb2O,NbO等低价传导性氧化物生成的能力,这对于用氧化物作势垒的超导隧道结的研制具有实际参考价值。
本文用X射线光电子能谱(XPS)对室温下自然氧化和射频氧化的氮化铌薄膜表面进行了成分分析。指出:与在类似条件下纯铌膜的氧化不同,NbN膜的表面氧化物中不存在NbO和NbO2,而是以Nb2O3作为从NbN到Nb2O5-y的过渡相。氮化铌在氧化过程中表现出一种抑制Nb2O,NbO等低价传导性氧化物生成的能力,这对于用氧化物作势垒的超导隧道结的研制具有实际参考价值。
本文研究了p型硅单晶用红宝石脉冲激光辐照之后向n型转化的效应。这个效应与补偿杂质有关。实验结果表明:脉冲激光辐照之后补偿杂质浓度增加,补偿杂质磷分布发生变化,杂质补偿度大于7％的样品在被激光辐照的区域较容易转变为n型导电。这个效应与硅单晶中氧含量、晶面和晶体生长方式无关。
本文研究了p型硅单晶用红宝石脉冲激光辐照之后向n型转化的效应。这个效应与补偿杂质有关。实验结果表明:脉冲激光辐照之后补偿杂质浓度增加,补偿杂质磷分布发生变化,杂质补偿度大于7％的样品在被激光辐照的区域较容易转变为n型导电。这个效应与硅单晶中氧含量、晶面和晶体生长方式无关。
测量了80?的Fe3O4颗粒和三种不同有机物包裹后的M?ssbauer谱;不同有机物包裹后M?ssbauer谱表现出不同程度的弥散,施加8kOe外磁场以后,所有样品的超顺磁谱均消失,并呈现六线谱。可以用有机物对Fe3O4表面Fe离子自旋产生钉扎作用来解释这些实验事实;从施加磁场前后M?ssbauer谱的变化对钉扎作用的深度进行了估算。
测量了80?的Fe3O4颗粒和三种不同有机物包裹后的M?ssbauer谱;不同有机物包裹后M?ssbauer谱表现出不同程度的弥散,施加8kOe外磁场以后,所有样品的超顺磁谱均消失,并呈现六线谱。可以用有机物对Fe3O4表面Fe离子自旋产生钉扎作用来解释这些实验事实;从施加磁场前后M?ssbauer谱的变化对钉扎作用的深度进行了估算。
在可见光范围测量了Bi4Ge3O12晶体磁光法拉第旋转的色散关系,也测量了从室温到液氮温度磁光旋转在633nm的变化。大的磁光旋转和很宽光波范围的高透过率表明晶体在磁光应用上也是很有价值的。扼要讨论了Bi离子在抗磁晶体中对磁光旋转的重要作用。
在可见光范围测量了Bi4Ge3O12晶体磁光法拉第旋转的色散关系,也测量了从室温到液氮温度磁光旋转在633nm的变化。大的磁光旋转和很宽光波范围的高透过率表明晶体在磁光应用上也是很有价值的。扼要讨论了Bi离子在抗磁晶体中对磁光旋转的重要作用。
测量了M型,W型和X型六角钡铁氧体的M?ssbauer谱,采用多组六线洛伦兹的叠加谱与实验谱逐步逼近的方法解出了M型和W型材料的M?ssbauer谱参量。从结晶学构造出发,X型可以视为M型和W型的叠加,由此解得了十一组六线次谱,并对实验数据取得较好的拟合。
测量了M型,W型和X型六角钡铁氧体的M?ssbauer谱,采用多组六线洛伦兹的叠加谱与实验谱逐步逼近的方法解出了M型和W型材料的M?ssbauer谱参量。从结晶学构造出发,X型可以视为M型和W型的叠加,由此解得了十一组六线次谱,并对实验数据取得较好的拟合。
测量了高强度钢的紧凑拉伸试样在疲劳过程中的10MHz超声衰减,研究了疲劳裂纹前端区域内的位错动态行为。
测量了高强度钢的紧凑拉伸试样在疲劳过程中的10MHz超声衰减,研究了疲劳裂纹前端区域内的位错动态行为。
本文首次介绍偏硼酸钡低温相β-BaB2O4晶体的电学性能。通过热释电系数、介电常数、损耗角、直流电阻率的实验研究,结合比热容和光透过率以及耐强辐照等测量,阐明此晶体在高功率红外探测器中应用的可能性。
本文首次介绍偏硼酸钡低温相β-BaB2O4晶体的电学性能。通过热释电系数、介电常数、损耗角、直流电阻率的实验研究,结合比热容和光透过率以及耐强辐照等测量,阐明此晶体在高功率红外探测器中应用的可能性。