本文在Koster-Slater格林函数方法和在位(onsite)势近似的基础上,提出了一个计算替代杂质对的完整方法,并成功地应用于GaP中O替代杂质对。第一次给出了O-Zn和O-Cd对的波函数。我们发现波函数主要集中在O周围4个格点并指向O的化学键上。然而在这4个键上,波函数的分量并不相等,在O—杂质键上的分量要比其它键上的值小。杂质的排斥势越大,则分量值的不平衡越明显。而波函数的其余部分较为平坦地分布在一相当大的空间内。
本文在Koster-Slater格林函数方法和在位(onsite)势近似的基础上,提出了一个计算替代杂质对的完整方法,并成功地应用于GaP中O替代杂质对。第一次给出了O-Zn和O-Cd对的波函数。我们发现波函数主要集中在O周围4个格点并指向O的化学键上。然而在这4个键上,波函数的分量并不相等,在O—杂质键上的分量要比其它键上的值小。杂质的排斥势越大,则分量值的不平衡越明显。而波函数的其余部分较为平坦地分布在一相当大的空间内。
非晶Ti80Si20合金在高压下加热时,不发生多相分解,并直接转变为bcc-Ti(Si)过饱和固溶体,这可能与Ti有较大的压缩率及固溶所造成的弹性能比较小等因素有关。
非晶Ti80Si20合金在高压下加热时,不发生多相分解,并直接转变为bcc-Ti(Si)过饱和固溶体,这可能与Ti有较大的压缩率及固溶所造成的弹性能比较小等因素有关。
本文研究常压至770kbar压力范围内,非晶Co80B20合金所形成的结晶相的结构,并与Fc-B非晶合金进行比较。
本文研究常压至770kbar压力范围内,非晶Co80B20合金所形成的结晶相的结构,并与Fc-B非晶合金进行比较。
本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述了硅氢键断裂与氢致缺陷形成过程。
本文应用X射线透射截面形貌技术研究了氢气区熔硅单晶中氢致缺陷与热处理温度的关系。根据早期氢致缺陷的X射线形貌图衍衬分析,指出氢沉淀周围晶格受到压缩性应变,并简单阐述了硅氢键断裂与氢致缺陷形成过程。
我们研究了多普勒增宽的二能级系统中,简并四波混频的饱和效应。推导出一组适合数字分析的递推公式。利用此公式,计算了近饱和区,简并四波混频信号的线形。计算结果表明,随着光强的增加,谱线中心将分裂成双峰。
我们研究了多普勒增宽的二能级系统中,简并四波混频的饱和效应。推导出一组适合数字分析的递推公式。利用此公式,计算了近饱和区,简并四波混频信号的线形。计算结果表明,随着光强的增加,谱线中心将分裂成双峰。
本文用自由电子激光器经典理论的数值解法,给出一组稳定脉冲解。计算表明,这种解只能在特定条件下获得,只要满足这些条件,解的形状与初始脉冲形状无关,对于微小扰动是稳定的,并保持传播不变。
本文用自由电子激光器经典理论的数值解法,给出一组稳定脉冲解。计算表明,这种解只能在特定条件下获得,只要满足这些条件,解的形状与初始脉冲形状无关,对于微小扰动是稳定的,并保持传播不变。
本文对非晶态快离子导体的B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl的电导率与外电场频率的关系进行了研究。结果表明:在较宽的频率范围内,样品的体电导约等于总电导;电导率频谱在中频段有一平台,在高频段上升,而且温度越高,开始上升的频率也越高。这一结果使电导率的测定有可能简化,即可以采用交流电桥法或在某一合适频率下采用交流伏安法直接测量样品的总电导或总导纳的模值作为体电导的值,从而求得电导率。本文考虑到非晶态结构的长程无序对离子迁移的影响,从局域极
本文对非晶态快离子导体的B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl的电导率与外电场频率的关系进行了研究。结果表明:在较宽的频率范围内,样品的体电导约等于总电导;电导率频谱在中频段有一平台,在高频段上升,而且温度越高,开始上升的频率也越高。这一结果使电导率的测定有可能简化,即可以采用交流电桥法或在某一合适频率下采用交流伏安法直接测量样品的总电导或总导纳的模值作为体电导的值,从而求得电导率。本文考虑到非晶态结构的长程无序对离子迁移的影响,从局域极
本文理论计算了恒流源的RSJ模型下超导弱连接的量子衍射及其相应双结SQUID的量子干涉。对双结SQUID给出了电压直流分量随磁场等幅振荡的解析关系。
本文理论计算了恒流源的RSJ模型下超导弱连接的量子衍射及其相应双结SQUID的量子干涉。对双结SQUID给出了电压直流分量随磁场等幅振荡的解析关系。
本文研究了恒流源RSJ模型下,置于谐振腔中的超导弱连接和其双结SQUID激励腔反馈辐照对其伏安曲线的影响。在反馈强度较弱的条件下,得到解析解,给出伏安曲线的变化与谐振腔反馈作用强度的关系。理论结果表明:反馈辐照改变了(H)的振幅和波形,但不改变(H)的周期。
本文研究了恒流源RSJ模型下,置于谐振腔中的超导弱连接和其双结SQUID激励腔反馈辐照对其伏安曲线的影响。在反馈强度较弱的条件下,得到解析解,给出伏安曲线的变化与谐振腔反馈作用强度的关系。理论结果表明:反馈辐照改变了(H)的振幅和波形,但不改变(H)的周期。
本文推广了McMillan隧道模型,并应用于厚度小于超导相干长度的超导和正常膜组成的N-S多层薄膜结构。计算了它的序参量和超导临界温度。由于界面区域电声子作用的修正以及不同原子的掺杂所引起的Tc增强的可能性也作了讨论。
本文推广了McMillan隧道模型,并应用于厚度小于超导相干长度的超导和正常膜组成的N-S多层薄膜结构。计算了它的序参量和超导临界温度。由于界面区域电声子作用的修正以及不同原子的掺杂所引起的Tc增强的可能性也作了讨论。
本文在Einstein谱情形,从Eliashberg方程导出了一个超导临界温度公式。在μ*=0时,把它和Eliashberg方程的数值解进行了比较。在λ<Λ区域,它们符合得相当好。
本文在Einstein谱情形,从Eliashberg方程导出了一个超导临界温度公式。在μ*=0时,把它和Eliashberg方程的数值解进行了比较。在λ<Λ区域,它们符合得相当好。
对于在周期分布的运动内应力源作用下,面心立方晶体中Zener对和不对称点缺陷对的微扩散方程采用有限傅氏级数和拉氏变换求解。得出弯结刚性和阻尼系数的有限求和表达式。给出了有关数值计算结果。对于刃型位错与不对称点缺陷对的滞弹性交互作用得出了简单解析结果,与以前用别的方法所得结果相符。讨论了点缺陷内耗的位错增强效应。
对于在周期分布的运动内应力源作用下,面心立方晶体中Zener对和不对称点缺陷对的微扩散方程采用有限傅氏级数和拉氏变换求解。得出弯结刚性和阻尼系数的有限求和表达式。给出了有关数值计算结果。对于刃型位错与不对称点缺陷对的滞弹性交互作用得出了简单解析结果,与以前用别的方法所得结果相符。讨论了点缺陷内耗的位错增强效应。
本文应用先前得到的序参量——统计格林函数耦合方程组,对于原子核多费密子体系,系统地导出了它的平均场近似,Hartree-Fock近似和无规相位近似。并求出了相应近似下系统热力学势的明显表达式。本文的讨论也适用于处于平衡或非平衡定常态的其他多体系统。
本文应用先前得到的序参量——统计格林函数耦合方程组,对于原子核多费密子体系,系统地导出了它的平均场近似,Hartree-Fock近似和无规相位近似。并求出了相应近似下系统热力学势的明显表达式。本文的讨论也适用于处于平衡或非平衡定常态的其他多体系统。
本文用细致的数值研究证实,沿参数空间中某些方向,强迫布鲁塞尔振子周期解的出现顺序与一维单峰映象的普适序列(U序列)一致。我们给出了周期解与两个字母的符号动力学对应的简单方法,说明了此类研究中为看到分岔和混沌“谱”的整体结构,必须适当扩大参数空间。
本文用细致的数值研究证实,沿参数空间中某些方向,强迫布鲁塞尔振子周期解的出现顺序与一维单峰映象的普适序列(U序列)一致。我们给出了周期解与两个字母的符号动力学对应的简单方法,说明了此类研究中为看到分岔和混沌“谱”的整体结构,必须适当扩大参数空间。
首次观察到下列LiYF4:Nd3+的光谱:用波长λ为4880?的Ar+激光激发的4I11/2能级所属斯塔克子能级Y1—Y6的电子和电-声子喇曼散射谱;用波长λ为6943?的红宝石激光激发的双光子荧光和电-声子荧光谱。
首次观察到下列LiYF4:Nd3+的光谱:用波长λ为4880?的Ar+激光激发的4I11/2能级所属斯塔克子能级Y1—Y6的电子和电-声子喇曼散射谱;用波长λ为6943?的红宝石激光激发的双光子荧光和电-声子荧光谱。
本文报道在tR>>τ(tR为反馈系统延迟时间,τ为液晶的弛豫时间)条件下,液晶混合光学双稳装置中,随着系统参数的改变,自脉冲经倍周期分叉发展到混沌的过程。计算了分叉图,通过频谱和相空间图能清晰地分析系统的动态行为。实验结果与Ikeda理论进行了比较。
本文报道在tR>>τ(tR为反馈系统延迟时间,τ为液晶的弛豫时间)条件下,液晶混合光学双稳装置中,随着系统参数的改变,自脉冲经倍周期分叉发展到混沌的过程。计算了分叉图,通过频谱和相空间图能清晰地分析系统的动态行为。实验结果与Ikeda理论进行了比较。
我们用布喇格散射法测定了混合液晶MBBA:CC=22.7:77.3(重量比)在不同温度下的螺距。从测得的结果,结合文献中对其它材料所测的数据,我们提出一个螺距p随温度T变化的经验公式:p=p0-b/(T-T0)对左旋材料螺距p0。除接近相变温度或旋向翻转温度附近外,公式不但适用于单体螺旋状液晶也适用于混合液晶。对一些材料,从实验数据中定出了与它们相对应的常数p0,b和T0。
我们用布喇格散射法测定了混合液晶MBBA:CC=22.7:77.3(重量比)在不同温度下的螺距。从测得的结果,结合文献中对其它材料所测的数据,我们提出一个螺距p随温度T变化的经验公式:p=p0-b/(T-T0)对左旋材料螺距p0。除接近相变温度或旋向翻转温度附近外,公式不但适用于单体螺旋状液晶也适用于混合液晶。对一些材料,从实验数据中定出了与它们相对应的常数p0,b和T0。
利用电子显微镜旋转晶体法发现了非晶Ni-P合金晶化过程中生成的另外两个新的六角亚稳相(α2相与α3相)。它们与文献[3]报道的六角亚稳相(α1)具有相同的α值(6.73?),但c值分别为α1的3/2倍与4倍,表明这些相属于长周期多型体结构,α2相具有六角密堆结构的消光规律。此外,还证实了α1中的面心立方亚点阵(α=5.50?)实际上是一个单独的面心立方亚稳相,这些六角亚稳相就
利用电子显微镜旋转晶体法发现了非晶Ni-P合金晶化过程中生成的另外两个新的六角亚稳相(α2相与α3相)。它们与文献[3]报道的六角亚稳相(α1)具有相同的α值(6.73?),但c值分别为α1的3/2倍与4倍,表明这些相属于长周期多型体结构,α2相具有六角密堆结构的消光规律。此外,还证实了α1中的面心立方亚点阵(α=5.50?)实际上是一个单独的面心立方亚稳相,这些六角亚稳相就
用电子衍射和点阵象方法观察到Co-Al合金发生马氏体相变时产生大量层错,其中有局部的短程有序21R排列。实验表明光学衍射法对分析点阵象中的局部短程有序是一种有效的方法。
用电子衍射和点阵象方法观察到Co-Al合金发生马氏体相变时产生大量层错,其中有局部的短程有序21R排列。实验表明光学衍射法对分析点阵象中的局部短程有序是一种有效的方法。
本文假设N=8扩充超引力能形成复合超多重态,并探讨了{3/2,8}N=8SU(8)和{2,28}N=8SU(8)两种复合超多重态容纳SU(5)超对称大统一理论的可能性。在较为苛刻的假设下,能由{3/2,8}N=8SU(8)方案得到三代轻子夸克和较满意的SU(5)超对称大统一粒子谱。在较为合理的假设下,能由{2,28}N=8SU(8)
本文假设N=8扩充超引力能形成复合超多重态,并探讨了{3/2,8}N=8SU(8)和{2,28}N=8SU(8)两种复合超多重态容纳SU(5)超对称大统一理论的可能性。在较为苛刻的假设下,能由{3/2,8}N=8SU(8)方案得到三代轻子夸克和较满意的SU(5)超对称大统一粒子谱。在较为合理的假设下,能由{2,28}N=8SU(8)
本文从弱相对论各向异性麦克斯韦分布的介电张量的普遍表达式出发,得到了在垂直入射情形下寻常模和异常模局域阻尼率的解析表达式,并讨论了分布函数的各向异性和损失锥型分布函数对局域阻尼率的影响。
本文从弱相对论各向异性麦克斯韦分布的介电张量的普遍表达式出发,得到了在垂直入射情形下寻常模和异常模局域阻尼率的解析表达式,并讨论了分布函数的各向异性和损失锥型分布函数对局域阻尼率的影响。
遵循关于金属超晶格导电行为的解释,我们计算了声在金属超晶格中的衰减,着重在研究衰减与调制周期的关系。声学实验将有助于验证金属超晶格中输运过程的物理机制。
遵循关于金属超晶格导电行为的解释,我们计算了声在金属超晶格中的衰减,着重在研究衰减与调制周期的关系。声学实验将有助于验证金属超晶格中输运过程的物理机制。
本文报道反应扩散法制备Chevrel相PbMo6S8超导带材的过程以及带材的超导特性。Mo带与H2S气体反应生成单相的Mo-S化合物(MoS2或Mo2S3,根据反应温度而定),再与Pb的蒸汽反应生成单相的PbMo6S8薄层。PbMo6S8超导层的临界温度Tc=13.0
本文报道反应扩散法制备Chevrel相PbMo6S8超导带材的过程以及带材的超导特性。Mo带与H2S气体反应生成单相的Mo-S化合物(MoS2或Mo2S3,根据反应温度而定),再与Pb的蒸汽反应生成单相的PbMo6S8薄层。PbMo6S8超导层的临界温度Tc=13.0