本文将赝原子轨道的线性组合方法应用于计算半导体表面电子结构。除了赝势的形状因子以外,不引入任何可调参量。用这方法计算了Si和GaAs(111)理想表面和弛豫表面的电子态和波函数。Si的结果与Appelbaum和Hamann的自洽计算结果在表面能级位置和表面电荷分布两方面都符合得比较好。计算结果表明,当表面Si或Ga原子向内位移时,表面能级向上移动;表面As原子向外位移时,表面能级向下移动。同时,表面态波函数的性质往往也发生较大的变化。
本文将赝原子轨道的线性组合方法应用于计算半导体表面电子结构。除了赝势的形状因子以外,不引入任何可调参量。用这方法计算了Si和GaAs(111)理想表面和弛豫表面的电子态和波函数。Si的结果与Appelbaum和Hamann的自洽计算结果在表面能级位置和表面电荷分布两方面都符合得比较好。计算结果表明,当表面Si或Ga原子向内位移时,表面能级向上移动;表面As原子向外位移时,表面能级向下移动。同时,表面态波函数的性质往往也发生较大的变化。
深度非弹味单态结构函数能比非单态结构函数给出QCD更好的检验。我们用QCD分析了轻子核子深度非弹散射过程,借助于雅可比多项式,给出了味单态核子结构函数的解析式。这解析式包括四至五个参数,较好地表示了单态结构函数随x和Q2的变化。在QCD的领头阶,所得的结果与实验相符合。
深度非弹味单态结构函数能比非单态结构函数给出QCD更好的检验。我们用QCD分析了轻子核子深度非弹散射过程,借助于雅可比多项式,给出了味单态核子结构函数的解析式。这解析式包括四至五个参数,较好地表示了单态结构函数随x和Q2的变化。在QCD的领头阶,所得的结果与实验相符合。
本文首次给出了切变流动下(包括存在外电场或外磁场的情况)向列相液晶中与指向运动有关的孤子传播性质的详细计算。在波速较大条件下方程有解析解。本文还对孤子解的性质、孤子的能量以及偏振光(单色光和复色光)下孤子运动所引起的干涉条纹等做了计算和讨论。对实验的分析表明:文献[12]和[13]MBBA液晶中观察到的黑线实际上就是本文所述的A型孤子。
本文首次给出了切变流动下(包括存在外电场或外磁场的情况)向列相液晶中与指向运动有关的孤子传播性质的详细计算。在波速较大条件下方程有解析解。本文还对孤子解的性质、孤子的能量以及偏振光(单色光和复色光)下孤子运动所引起的干涉条纹等做了计算和讨论。对实验的分析表明:文献[12]和[13]MBBA液晶中观察到的黑线实际上就是本文所述的A型孤子。
本文应用TFD方法计算了电子的密度分布,应用维里定律计算了压力,指出固体中原子边界上对一个电子所受的位能不应该是零,严格推导证明,此值约接近于-e2/r0,相当于电子的自能。考虑这一项后,计算出的压力值比以前大大改善,特别是低压部分明显下降。根据这一考虑,本文计算了U,Pb,Au,Ag,Cu,Fe,Al,K,Na,Li等元素压缩度从1到10的冷压状态方程。所得结果,其高压部分和一般的TFD给出的接近;低压部分与实测值符合较好。如对U和Ag,其理论值与实测值相当一致,得到了P(v0)≈0的理想结果。对低Z元素,能带理论与TF模型有较大差别,这个差别主要是由于周期场对靠近边界的电子的作用引起的,把这个作用称为赝势。由于赝势的引入,计算结果十分理想,与实测值的误差均在10％左右。在数值计算方法上也作了改进,由于采用了新的变量替换,变换后的TFD方程所具有的两个边界条件在数值积分中很容易满足,其计算精度比以往提高三个量级。
本文应用TFD方法计算了电子的密度分布,应用维里定律计算了压力,指出固体中原子边界上对一个电子所受的位能不应该是零,严格推导证明,此值约接近于-e2/r0,相当于电子的自能。考虑这一项后,计算出的压力值比以前大大改善,特别是低压部分明显下降。根据这一考虑,本文计算了U,Pb,Au,Ag,Cu,Fe,Al,K,Na,Li等元素压缩度从1到10的冷压状态方程。所得结果,其高压部分和一般的TFD给出的接近;低压部分与实测值符合较好。如对U和Ag,其理论值与实测值相当一致,得到了P(v0)≈0的理想结果。对低Z元素,能带理论与TF模型有较大差别,这个差别主要是由于周期场对靠近边界的电子的作用引起的,把这个作用称为赝势。由于赝势的引入,计算结果十分理想,与实测值的误差均在10％左右。在数值计算方法上也作了改进,由于采用了新的变量替换,变换后的TFD方程所具有的两个边界条件在数值积分中很容易满足,其计算精度比以往提高三个量级。
本文用格林函数方法研究由两个链段A与B组成的一维晶体A-B的红外光谱。首先根据链段的格林函数推导晶体的T矩阵及格林函数,然后用格林函数方法研究态密度、本征频率、振幅、红外吸收强度与峰宽,最后讨论吸收峰形与谱图问题。
本文用格林函数方法研究由两个链段A与B组成的一维晶体A-B的红外光谱。首先根据链段的格林函数推导晶体的T矩阵及格林函数,然后用格林函数方法研究态密度、本征频率、振幅、红外吸收强度与峰宽,最后讨论吸收峰形与谱图问题。
借助于应变晶体的弹性偶极子模型,把二元晶体中的每一个原子都视为一弹性偶极子。它们有不同的等效偶极矩,在晶体内其他强内应力源,如位错、包裹物等所产生的应力场中受到不同的作用力,因而产生不同的位移,形成了不同形状的畴。它决定于永久偶极矩及感生偶极矩的相对大小和内应力源所产生的应力场的分布。本文分别给出了二元晶体中在刃位错、螺位错、包裹物和挤列等的应力场作用下出现的畴图样。它们呈各种形式排列的花瓣状图形。在适当的条件下,它们可以被观察到。结果还表明了压力对相变的影响。
借助于应变晶体的弹性偶极子模型,把二元晶体中的每一个原子都视为一弹性偶极子。它们有不同的等效偶极矩,在晶体内其他强内应力源,如位错、包裹物等所产生的应力场中受到不同的作用力,因而产生不同的位移,形成了不同形状的畴。它决定于永久偶极矩及感生偶极矩的相对大小和内应力源所产生的应力场的分布。本文分别给出了二元晶体中在刃位错、螺位错、包裹物和挤列等的应力场作用下出现的畴图样。它们呈各种形式排列的花瓣状图形。在适当的条件下,它们可以被观察到。结果还表明了压力对相变的影响。
本文分析了放置于高Q谐振腔中的Josephson结、双结SQUID和单结超导环,当其Josephson频率ω=2eV0/h和腔的本征频率相等时,Josephson电流在一个磁通量子内可以产生多次阶梯或振荡的物理本质。指出对于Josephson结或双结SQUID,当ω=ωr时,被激发起的腔的本征振荡将反馈辐照结或SQUID,反馈场的频率作用使Josephson电流产生一般地感应台阶;而反馈场的振幅是受到外磁场调制的,当这种调制作用使反馈场振幅的空间部分与辐射场的空间部分匹配时,则引起电流在一个磁通量子内产生一系列的新的阶跃。对单结超导环,当nω=ωr时,被激发起的腔的振荡反馈辐照作用将迫使其超流电流产生周期小于φ0的振荡。
本文分析了放置于高Q谐振腔中的Josephson结、双结SQUID和单结超导环,当其Josephson频率ω=2eV0/h和腔的本征频率相等时,Josephson电流在一个磁通量子内可以产生多次阶梯或振荡的物理本质。指出对于Josephson结或双结SQUID,当ω=ωr时,被激发起的腔的本征振荡将反馈辐照结或SQUID,反馈场的频率作用使Josephson电流产生一般地感应台阶;而反馈场的振幅是受到外磁场调制的,当这种调制作用使反馈场振幅的空间部分与辐射场的空间部分匹配时,则引起电流在一个磁通量子内产生一系列的新的阶跃。对单结超导环,当nω=ωr时,被激发起的腔的振荡反馈辐照作用将迫使其超流电流产生周期小于φ0的振荡。
用交流电桥法研究了Bi2O3-Y2O3体系含22.5—30mol％Y2O3烧结试样在po2值由1至10-21atm范围内氧离子的电导率,实验证明该种材料的氧离子电导率比同温度下ZrO2基固体电解质高若干倍;用这种材料作为固体电解质组成氧浓差电池,电池电动势和理论电动势的比值E/E0等于1或接近1,说明这种材料几乎为纯氧离子导体,p型电子空穴导电性很小;用库伦滴定抽氧法测定了含Y2O3 27.5mol％样品的电子导电特征氧分压,其值为lgpe＇=(-767000/T)+655,电子导电性极小。可期望为一种新型氧离子导体材料。
用交流电桥法研究了Bi2O3-Y2O3体系含22.5—30mol％Y2O3烧结试样在po2值由1至10-21atm范围内氧离子的电导率,实验证明该种材料的氧离子电导率比同温度下ZrO2基固体电解质高若干倍;用这种材料作为固体电解质组成氧浓差电池,电池电动势和理论电动势的比值E/E0等于1或接近1,说明这种材料几乎为纯氧离子导体,p型电子空穴导电性很小;用库伦滴定抽氧法测定了含Y2O3 27.5mol％样品的电子导电特征氧分压,其值为lgpe＇=(-767000/T)+655,电子导电性极小。可期望为一种新型氧离子导体材料。
从实验中观察到,低能离子轰击后的铌酸锂晶体表面层在3500—6500?之间出现至少两个光吸收峰,表面的相对暗电导率增加两个数量级。这表明离子轰击后的铌酸锂中产生了附加的光吸收和电导激活中心。在离子轰击过程中,由于某些原子基团和原子的优先溅射,在表面层中造成相当大的化学计量比偏离,它直接影响晶体的光学和电学性质。XPS(X射线电子能谱)测试结果证实,这一表面层的构成符合铌酸锂缺陷结构的空位模型。讨论了附加激活中心的成因,并据此解释了Ar+/O+混合离子轰击铌酸锂晶体所得到的结果。
从实验中观察到,低能离子轰击后的铌酸锂晶体表面层在3500—6500?之间出现至少两个光吸收峰,表面的相对暗电导率增加两个数量级。这表明离子轰击后的铌酸锂中产生了附加的光吸收和电导激活中心。在离子轰击过程中,由于某些原子基团和原子的优先溅射,在表面层中造成相当大的化学计量比偏离,它直接影响晶体的光学和电学性质。XPS(X射线电子能谱)测试结果证实,这一表面层的构成符合铌酸锂缺陷结构的空位模型。讨论了附加激活中心的成因,并据此解释了Ar+/O+混合离子轰击铌酸锂晶体所得到的结果。
本文用多晶X射线衍射配合差热分析的方法研究了LiKSO4室温以上的相变。发现当温度在熔点以下到675℃之间,晶体结沟与α-K2SO4的高温相同构,α相最可能的空间群为P63/mmc.在Ti=675℃以下出现调制结构,类似K2WO4,K2MoO4等的无公度相;参数κ的值由0.492(640℃)而随温度变化。在470℃出现整合相变κ=0.500,整合后的结构为室温相的超点阵。然后在439℃转变为室温相(空间群为P63)。
本文用多晶X射线衍射配合差热分析的方法研究了LiKSO4室温以上的相变。发现当温度在熔点以下到675℃之间,晶体结沟与α-K2SO4的高温相同构,α相最可能的空间群为P63/mmc.在Ti=675℃以下出现调制结构,类似K2WO4,K2MoO4等的无公度相;参数κ的值由0.492(640℃)而随温度变化。在470℃出现整合相变κ=0.500,整合后的结构为室温相的超点阵。然后在439℃转变为室温相(空间群为P63)。
本文提出了用颗粒大截面与Gauss分布电子束相截来计算颗粒X射线强度的方法。电子能量为20keV,25keV时,对Al,Cu,Au等元素的球体、长方体、椭柱体、椭球体等规则颗粒计算了特征X射线强度。电子散射的Monte Carlo计算是用文献[1]的模型进行的。
本文提出了用颗粒大截面与Gauss分布电子束相截来计算颗粒X射线强度的方法。电子能量为20keV,25keV时,对Al,Cu,Au等元素的球体、长方体、椭柱体、椭球体等规则颗粒计算了特征X射线强度。电子散射的Monte Carlo计算是用文献[1]的模型进行的。
本文考虑了快放电的特点,用积分方法解轴对称自由界面平衡方程。并与解迴路方程相结合,求出等离子体与外迴路有较强耦合情况下的平衡位形及位形随时间的演化。
本文考虑了快放电的特点,用积分方法解轴对称自由界面平衡方程。并与解迴路方程相结合,求出等离子体与外迴路有较强耦合情况下的平衡位形及位形随时间的演化。
本文指出,非线性(演化)系统的广义Lax表示所取值的代数,即延拓代数y×D(λ),实质上是Kac-Moody代数。这里,y是一有限维李代数,D(λ)是谱参数λ的值域。本文并利用Dolan关于主手征模型Kac-Moody代数的实现,给出了一类1+1维非线性(演化)系统的Kac-Moody代数的实现。
本文指出,非线性(演化)系统的广义Lax表示所取值的代数,即延拓代数y×D(λ),实质上是Kac-Moody代数。这里,y是一有限维李代数,D(λ)是谱参数λ的值域。本文并利用Dolan关于主手征模型Kac-Moody代数的实现,给出了一类1+1维非线性(演化)系统的Kac-Moody代数的实现。
考虑晶体CsMnBr3中Mn2+离子所处的低对称畸变晶场——D3d对称,用赵等人提出的络合物中Mn2+的SCF d-轨道,研究了MnBr64-中Mn2+的d电子结构以及吸收光谱和晶体结构之间的关系,CsMnBr3晶体吸收光谱在18280cm-1,2170Ocm-1,26300cm-1和29650cm-1等处的分裂得到了理论解释,理论和实验符合很好。
考虑晶体CsMnBr3中Mn2+离子所处的低对称畸变晶场——D3d对称,用赵等人提出的络合物中Mn2+的SCF d-轨道,研究了MnBr64-中Mn2+的d电子结构以及吸收光谱和晶体结构之间的关系,CsMnBr3晶体吸收光谱在18280cm-1,2170Ocm-1,26300cm-1和29650cm-1等处的分裂得到了理论解释,理论和实验符合很好。
本文研究强交换场中线性化的Eliashberg能隙方程。采用一个叠代方法考虑了能隙函数φ(ω)对±ω的不对称性。在叠代的最低阶给出了近似的解。所得的结果表明:对中等耦合强度以上(λ≥0.5)的电声子系统,能隙函数的不对称效应会显著影响临界交换场的数值。
本文研究强交换场中线性化的Eliashberg能隙方程。采用一个叠代方法考虑了能隙函数φ(ω)对±ω的不对称性。在叠代的最低阶给出了近似的解。所得的结果表明:对中等耦合强度以上(λ≥0.5)的电声子系统,能隙函数的不对称效应会显著影响临界交换场的数值。
应用微扰理论计算了双极化子和自由极化子的能带,以能带结构讨论了单重态和三重态双极化子的稳定性。通过对比热和磁化率的分析,显示出必须考虑三重态才能正确地解释有关的实验现象。
应用微扰理论计算了双极化子和自由极化子的能带,以能带结构讨论了单重态和三重态双极化子的稳定性。通过对比热和磁化率的分析,显示出必须考虑三重态才能正确地解释有关的实验现象。
从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的Tc公式。
从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的Tc公式。
在Scalapino-Huberman的μ*模型基础上,本文论证了在强准粒子注入下的超导薄膜中出现时间周期振荡结构的可能性,给出了可能存在这种结构的参数范围。
在Scalapino-Huberman的μ*模型基础上,本文论证了在强准粒子注入下的超导薄膜中出现时间周期振荡结构的可能性,给出了可能存在这种结构的参数范围。