本文讨论了由物表面变形所引起的空间散斑的运动。从Fresnel-Kirchhoff积分出发,导出了受物表面变形影响的散斑运动必须遵从的基本方程组,并对它们的物理意义进行了讨论。把物表面刚体运动和变形影响下的基本方程组综合起来,导出了物表面发生一般运动和变形时,空间散斑运动的公式。实验结果与公式一致。
本文讨论了由物表面变形所引起的空间散斑的运动。从Fresnel-Kirchhoff积分出发,导出了受物表面变形影响的散斑运动必须遵从的基本方程组,并对它们的物理意义进行了讨论。把物表面刚体运动和变形影响下的基本方程组综合起来,导出了物表面发生一般运动和变形时,空间散斑运动的公式。实验结果与公式一致。
用傅氏积分解出在完整晶体下波动方程的Green函数,通过Green公式求出透射X射线波场Dh,D0的表达式,并在入射波为平面波和球面波时,将得到的Dh,D0值与其它作者的结果作了比较,也讨论了样品厚度与Dh,D0的关系。
用傅氏积分解出在完整晶体下波动方程的Green函数,通过Green公式求出透射X射线波场Dh,D0的表达式,并在入射波为平面波和球面波时,将得到的Dh,D0值与其它作者的结果作了比较,也讨论了样品厚度与Dh,D0的关系。
本文讨论了文献中提出的根据标量光波传播矩阵理论的光学无源谐振腔自洽场矩阵方程。提出了对自洽场性质的新认识、元模转换概念和自洽场元模结构分析方法。在普遍情况下,严格证明了上述矩阵方程可截取为有穷阶以求近似解。给出了确定上述有穷阶矩阵方程本征值误差上限的严格公式。还给出了估算由该方程导出的所有结果的计算误差上限的较为方便的公式与方法。本文提出的光学无源谐振腔的矩阵理论较方便于各阶横模,包括那些模损耗相当近于1的高阶横模的计算。作者认为这个理论还应该较适合于复杂谐振腔的分析和计算。由于所用坐标系的关系,本文所提出的理论仅适用于理想轴对称性系统。
本文讨论了文献中提出的根据标量光波传播矩阵理论的光学无源谐振腔自洽场矩阵方程。提出了对自洽场性质的新认识、元模转换概念和自洽场元模结构分析方法。在普遍情况下,严格证明了上述矩阵方程可截取为有穷阶以求近似解。给出了确定上述有穷阶矩阵方程本征值误差上限的严格公式。还给出了估算由该方程导出的所有结果的计算误差上限的较为方便的公式与方法。本文提出的光学无源谐振腔的矩阵理论较方便于各阶横模,包括那些模损耗相当近于1的高阶横模的计算。作者认为这个理论还应该较适合于复杂谐振腔的分析和计算。由于所用坐标系的关系,本文所提出的理论仅适用于理想轴对称性系统。
本文的目的是探讨应用文献[1]中提出的光学无源谐振腔的矩阵方程,解决腔中振荡横模的具体计算方法问题,并讨论其精度。为了便于与已有公式较可靠的结果相比,我们挑选了由两面对称的球面反射镜组成的、菲涅耳数N≤1的各种稳定腔作为计算对象;还分别用数学试验法和文献[1]中得出的误差上限公式,求出所得结果的误差。结果表明:对于基横模,所得结果与文献[3,6]的结果在报道的精度内很好地符合;对于包括高阶模在内的各阶横模,文献[1]中所得公式的误差上限都是正确的,但往往大大偏高。计算结果实际上往往具有高得多的精度。文中对g=0,0.5,0.8,0.9,0.95,菲涅耳数N=1的稳定腔,列出了l=0,p=0,1,2,3,4,5的各阶横模的本征值;绘出了l=0,1,2,p=0,1,2各阶横模场的相对振幅与位相分布曲线。还绘出了上述诸类稳定腔中N=1/π时TEM00,TEM01模的场分布曲线。从所得结果中得出了一些新的规律,并进行了某些讨论。本文结果表明:用这种矩阵理论,确实可以较为方便地一次求得模损耗不极近于1的、角模数l任意给定而径模数p不同的、所有各阶横模的性质,并能给出所得结果的误差上限,保证其具有相当高的精度。由于所用坐标系关系,本方法仅适用于具有理想轴对称性的谐振腔。
本文的目的是探讨应用文献[1]中提出的光学无源谐振腔的矩阵方程,解决腔中振荡横模的具体计算方法问题,并讨论其精度。为了便于与已有公式较可靠的结果相比,我们挑选了由两面对称的球面反射镜组成的、菲涅耳数N≤1的各种稳定腔作为计算对象;还分别用数学试验法和文献[1]中得出的误差上限公式,求出所得结果的误差。结果表明:对于基横模,所得结果与文献[3,6]的结果在报道的精度内很好地符合;对于包括高阶模在内的各阶横模,文献[1]中所得公式的误差上限都是正确的,但往往大大偏高。计算结果实际上往往具有高得多的精度。文中对g=0,0.5,0.8,0.9,0.95,菲涅耳数N=1的稳定腔,列出了l=0,p=0,1,2,3,4,5的各阶横模的本征值;绘出了l=0,1,2,p=0,1,2各阶横模场的相对振幅与位相分布曲线。还绘出了上述诸类稳定腔中N=1/π时TEM00,TEM01模的场分布曲线。从所得结果中得出了一些新的规律,并进行了某些讨论。本文结果表明:用这种矩阵理论,确实可以较为方便地一次求得模损耗不极近于1的、角模数l任意给定而径模数p不同的、所有各阶横模的性质,并能给出所得结果的误差上限,保证其具有相当高的精度。由于所用坐标系关系,本方法仅适用于具有理想轴对称性的谐振腔。
本文讨论了氦膜上自旋极化氢(H↓)气体超流吸附膜中声模式,与由于膜厚变化引起的氦膜第三声不同,它主要是气膜可压缩性引起的二维第四声。
本文讨论了氦膜上自旋极化氢(H↓)气体超流吸附膜中声模式,与由于膜厚变化引起的氦膜第三声不同,它主要是气膜可压缩性引起的二维第四声。
本文基于Misguich和Balescu提出的轨道的随机处理发展了漂移波湍流中“clumps”的一种理论。指出clump效应不仅存在于非磁化湍性等离子体中也存在于磁化湍性等离子体中。它的存在使得实际横越磁场的扩散比Dupree理论预言的要小得多。导出了clumps寿命的一个明晰的表达式,它正比于横越磁场扩散的特征时间并对数地依赖于粒子的初始相对位置。
本文基于Misguich和Balescu提出的轨道的随机处理发展了漂移波湍流中“clumps”的一种理论。指出clump效应不仅存在于非磁化湍性等离子体中也存在于磁化湍性等离子体中。它的存在使得实际横越磁场的扩散比Dupree理论预言的要小得多。导出了clumps寿命的一个明晰的表达式,它正比于横越磁场扩散的特征时间并对数地依赖于粒子的初始相对位置。
本文讨论了球对称激光等离子体中的自生磁场,导出了由TE波引起的自生磁场的表示式。这个解与平面等离子体中S偏振波的结果作了对比。按照我们的理论结果,可以解释近来实验上所观察到的自生磁场的行为。
本文讨论了球对称激光等离子体中的自生磁场,导出了由TE波引起的自生磁场的表示式。这个解与平面等离子体中S偏振波的结果作了对比。按照我们的理论结果,可以解释近来实验上所观察到的自生磁场的行为。
本文研究了在某些摄象器件、存贮器件或电光显示器件中介质靶诸因素对分辨率的影响。在考虑各向异性介质靶的普遍情况下,推导了由表面电荷光栅图象到电位图象或光象的介质靶的光学传递函数。定量地分析了它的分辨率极限;较详细地讨论了表面漏电和靶而其他介质膜层的引入对分辨率的影响。作为例子,利用TQ-16型计算机计算了摄象管中的硅靶、录象磁带中的聚苯乙烯靶和大屏幕投影电视中的DKDP晶体各向异性介质靶的MTF曲线,从而求得了它们的分辨率,所得结果与国外资料报道的实验曲线和数据很好地吻合。最后,用DKDP晶体所做的实验进一步证实了计算的结果。
本文研究了在某些摄象器件、存贮器件或电光显示器件中介质靶诸因素对分辨率的影响。在考虑各向异性介质靶的普遍情况下,推导了由表面电荷光栅图象到电位图象或光象的介质靶的光学传递函数。定量地分析了它的分辨率极限;较详细地讨论了表面漏电和靶而其他介质膜层的引入对分辨率的影响。作为例子,利用TQ-16型计算机计算了摄象管中的硅靶、录象磁带中的聚苯乙烯靶和大屏幕投影电视中的DKDP晶体各向异性介质靶的MTF曲线,从而求得了它们的分辨率,所得结果与国外资料报道的实验曲线和数据很好地吻合。最后,用DKDP晶体所做的实验进一步证实了计算的结果。
对于提拉法合成的BiVO4单晶进行了X射线衍射分析。室温下该晶体属于单斜晶系,空间群为B2/b,z=4,晶胞参数为:a=7.247?,b=5.096?,c=11.702?,γ=134.18°。进行了二维、三维帕特逊分析和三维电子密度计算。全矩阵最小二乘法修正给出335个独立反射的R=0.067,Rw=0.058。经吸收和次级消光校正后,R=0.058。Bi和V原子各占据一套4e特殊点系,O原子占据两套一般点系。V3+是四配位,形成规则的VO4四面体。Bi3+是八配位,形成畸变Bi-O十二面体。BiVO4在Tc温度上下空间群各为I41/a和I2/b(或B2/b)。由四方到单斜相变没有正交中间变体。相变显然是由Bi-O多面体孤对畸变所驱动。Bi3+和V5+沿c轴上下交替位移,这就显示单斜BiVO4具有层状结构的特征。这一特征由光学观察得到证实。该晶体在垂直干c轴的方向极易开裂而产生平坦的解理面。选取具有胞状结构圆盘形晶体、自然解理晶片和粉末晶粒三种试样进行了光学观察,并研究了晶体透过率与波长关系。
对于提拉法合成的BiVO4单晶进行了X射线衍射分析。室温下该晶体属于单斜晶系,空间群为B2/b,z=4,晶胞参数为:a=7.247?,b=5.096?,c=11.702?,γ=134.18°。进行了二维、三维帕特逊分析和三维电子密度计算。全矩阵最小二乘法修正给出335个独立反射的R=0.067,Rw=0.058。经吸收和次级消光校正后,R=0.058。Bi和V原子各占据一套4e特殊点系,O原子占据两套一般点系。V3+是四配位,形成规则的VO4四面体。Bi3+是八配位,形成畸变Bi-O十二面体。BiVO4在Tc温度上下空间群各为I41/a和I2/b(或B2/b)。由四方到单斜相变没有正交中间变体。相变显然是由Bi-O多面体孤对畸变所驱动。Bi3+和V5+沿c轴上下交替位移,这就显示单斜BiVO4具有层状结构的特征。这一特征由光学观察得到证实。该晶体在垂直干c轴的方向极易开裂而产生平坦的解理面。选取具有胞状结构圆盘形晶体、自然解理晶片和粉末晶粒三种试样进行了光学观察,并研究了晶体透过率与波长关系。
本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li3VO4,Li4SiO4的相变过程,Li3VO4-Li4SiO4,Li3O4-Li-4GeO4赝二元系相图以及Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li3VO4-Li4SiO4,Li3VO4-Li4GeO4赝二元系中,由于Li4SiO4或Li4GeO4的加入而使Li3VO4的高温γII相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。
本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li3VO4,Li4SiO4的相变过程,Li3VO4-Li4SiO4,Li3O4-Li-4GeO4赝二元系相图以及Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li3VO4-Li4SiO4,Li3VO4-Li4GeO4赝二元系中,由于Li4SiO4或Li4GeO4的加入而使Li3VO4的高温γII相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。
本文测量了Pb-I-Pb-I-Pb双隧道结检测结准粒子电流It随注入电流Ii的变化。双能隙出现前It与Ii近似有抛物线关系,双能隙出现后It很快增加。出现双能隙时的lt与平衡态的It0之差△It在我们的测量温度区间随温度降低而减小。
本文测量了Pb-I-Pb-I-Pb双隧道结检测结准粒子电流It随注入电流Ii的变化。双能隙出现前It与Ii近似有抛物线关系,双能隙出现后It很快增加。出现双能隙时的lt与平衡态的It0之差△It在我们的测量温度区间随温度降低而减小。
本文用一简化的Thomas-Fermi方程,计算了组分调制结构中偏离局域电中性的电子分布及由此而引起的附加能量,从而导出了双轴模量随调制周期变化的关系。所得结果至少可以定性地解释在这类结构中实验发现的超模量效应。
本文用一简化的Thomas-Fermi方程,计算了组分调制结构中偏离局域电中性的电子分布及由此而引起的附加能量,从而导出了双轴模量随调制周期变化的关系。所得结果至少可以定性地解释在这类结构中实验发现的超模量效应。
在大块合金(急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金薄带)的超导转变区的I-V特性曲线上,观察到电压阶跃及回滞现象。
在大块合金(急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金薄带)的超导转变区的I-V特性曲线上,观察到电压阶跃及回滞现象。
在4.2K到300K之间,在大块晶态Fe-25Mn-5Al-0.2C合金中观察到了反常的电阻负温度系数行为,在50K以下,电阻率大体和lnT成正比,可能起源于磁性的机制。
在4.2K到300K之间,在大块晶态Fe-25Mn-5Al-0.2C合金中观察到了反常的电阻负温度系数行为,在50K以下,电阻率大体和lnT成正比,可能起源于磁性的机制。
本文导出了一个新的熔化方程。在此基础上,借助Lindeman方程,又得到了一个Grüneisen系数计算公式和等温状态方程。通过与其它计算的和实验的结果进行比较表明,新方程是合理的。
本文导出了一个新的熔化方程。在此基础上,借助Lindeman方程,又得到了一个Grüneisen系数计算公式和等温状态方程。通过与其它计算的和实验的结果进行比较表明,新方程是合理的。
在SYNTEX四圆衍射仪上收集到2788个独立的衍射点。晶体属单斜晶系,空间群为C2h5-P21/a,a=12.006(2)?,b=8.398(2)?,c=14.261(5)?,β=93.98(2)°,Z=2。铂放在对称中心的特殊位置上,然后用差值Fourier法得到两套非氢原子坐标位置,这是由于铂参数特殊化所致。首先我们运用结构化学的键长、键角知识,选择了两个氯原子合理的坐标参数,而将其余成对的非氢原子坐标参数都输入,令其坐标参数固定,而将占有率各给0.5,并同各向同性热参数一起参与最小二乘修正,结果两套坐标的原子占有率明显分化,其中一套占有率上升接近于1,而另一套占有率下降,通过这一筛选,确定了结构的初始模型,用块矩阵最小二乘法修正,最后的R因子为0.038。结构测定表明铂采用dsp2杂化轨道成键,取四配位的正方形构型。在晶体中有机部分和[PtCl4]2-络离子是靠氮原子和氯原子之间形成氢键而联系起来的,因此此化合物是苯丙氨酸乙酯和四氯合铂离子的加合物。
在SYNTEX四圆衍射仪上收集到2788个独立的衍射点。晶体属单斜晶系,空间群为C2h5-P21/a,a=12.006(2)?,b=8.398(2)?,c=14.261(5)?,β=93.98(2)°,Z=2。铂放在对称中心的特殊位置上,然后用差值Fourier法得到两套非氢原子坐标位置,这是由于铂参数特殊化所致。首先我们运用结构化学的键长、键角知识,选择了两个氯原子合理的坐标参数,而将其余成对的非氢原子坐标参数都输入,令其坐标参数固定,而将占有率各给0.5,并同各向同性热参数一起参与最小二乘修正,结果两套坐标的原子占有率明显分化,其中一套占有率上升接近于1,而另一套占有率下降,通过这一筛选,确定了结构的初始模型,用块矩阵最小二乘法修正,最后的R因子为0.038。结构测定表明铂采用dsp2杂化轨道成键,取四配位的正方形构型。在晶体中有机部分和[PtCl4]2-络离子是靠氮原子和氯原子之间形成氢键而联系起来的,因此此化合物是苯丙氨酸乙酯和四氯合铂离子的加合物。
本文测定了LiNb3O8晶体的透光曲线,肯定了晶体发黑的主要原因是氧空位,以及通过退火消除的方法;确定了晶体中氢键形成的原因是大气中水蒸汽和熔体起反应的结果,真空退火是消除氢键的方法;提出了在纯氧气氛下生长LiNb3O8晶体的建议;测定了LiNb3O8晶体的光性方位和主折射率,并和LiNbO3晶体作了比较;讨论了LiNb3O8晶体的光性方位和它的结构关系。
本文测定了LiNb3O8晶体的透光曲线,肯定了晶体发黑的主要原因是氧空位,以及通过退火消除的方法;确定了晶体中氢键形成的原因是大气中水蒸汽和熔体起反应的结果,真空退火是消除氢键的方法;提出了在纯氧气氛下生长LiNb3O8晶体的建议;测定了LiNb3O8晶体的光性方位和主折射率,并和LiNbO3晶体作了比较;讨论了LiNb3O8晶体的光性方位和它的结构关系。
本文报道了非晶态离子导体Li2B2O4的7Li核磁共振研究。测量了7Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li2B2O4的晶态、非晶态和部分晶化样品的7Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的7Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al2O3)的7Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl进行了7Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。
本文报道了非晶态离子导体Li2B2O4的7Li核磁共振研究。测量了7Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li2B2O4的晶态、非晶态和部分晶化样品的7Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的7Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al2O3)的7Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl进行了7Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。