从包括能量方程的Braginskii方程出发,讨论了低频模对电磁波的受激散射问题。求得了阈值和增率。除了多一个热模散射之外,发现布里渊散射也与过去的理论结果不同。
从包括能量方程的Braginskii方程出发,讨论了低频模对电磁波的受激散射问题。求得了阈值和增率。除了多一个热模散射之外,发现布里渊散射也与过去的理论结果不同。
铁磁金属中自旋向上电子与自旋向下电子的能量由于磁化而造成的分裂,在低温下对自旋波散射引起的电阻率(磁电阻率)有重要的影响。由于这个分裂,单带情况下低温磁电阻率总是衰减的;但两带情况下则有可能增强。考虑到自旋波谱中的能隙用单带模型所得的磁电阻率表达式与Tb和Dy的实验资料比较表明:不但低温电阻率的温度依赖性符合,数值上也与高温磁电阻测量结果一致。
铁磁金属中自旋向上电子与自旋向下电子的能量由于磁化而造成的分裂,在低温下对自旋波散射引起的电阻率(磁电阻率)有重要的影响。由于这个分裂,单带情况下低温磁电阻率总是衰减的;但两带情况下则有可能增强。考虑到自旋波谱中的能隙用单带模型所得的磁电阻率表达式与Tb和Dy的实验资料比较表明:不但低温电阻率的温度依赖性符合,数值上也与高温磁电阻测量结果一致。
本文用傅里叶光学的观点,对任意限制孔径下虹全息成象过程中的(单色)点扩散函数及传递函数进行了系统的分析,揭示出它们与限制孔径的本质联系,建立起与一般光学成象系统可以类比的统一理论,为极限分辨率和截止频率的计算提供了形式简单、意义明确的数学依据。
本文用傅里叶光学的观点,对任意限制孔径下虹全息成象过程中的(单色)点扩散函数及传递函数进行了系统的分析,揭示出它们与限制孔径的本质联系,建立起与一般光学成象系统可以类比的统一理论,为极限分辨率和截止频率的计算提供了形式简单、意义明确的数学依据。
Allender,Bray和Bardeen建议的激子超导体是由金属和半导体构成的一种多层超薄共格结构(LUCS)。我们曾经在紧束缚近似下,用格林函数技术,研究了金属-金属LUCS的电子结构。本文是按相似的方法对于金属-半导体LUCS进行的计算和结果。所获得的电子结构可有助于详细地研究ABB模型的超导体。
Allender,Bray和Bardeen建议的激子超导体是由金属和半导体构成的一种多层超薄共格结构(LUCS)。我们曾经在紧束缚近似下,用格林函数技术,研究了金属-金属LUCS的电子结构。本文是按相似的方法对于金属-半导体LUCS进行的计算和结果。所获得的电子结构可有助于详细地研究ABB模型的超导体。
本文主要研究连续CO2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO2激光照射半导体有如下特点:CO2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。
本文主要研究连续CO2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO2激光照射半导体有如下特点:CO2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。
在忽略电子-声子相互作用的基础上,本文探讨了从能带波函数出发计算AB型晶体倍频系数的可能性。采用计算AB型晶体能带的近似方法——等价轨道法。计算了k=0点的倍频系数,然后通过带宽的修正,使k=0点的倍频系数近似地表为不同k点倍频系数的平均,这一平均值乘以第一布里渊区内k点的总数就是晶体的宏观倍频系数。计算了十七种闪锌矿型和纤维锌矿型晶体的倍频系数,计算值和实验值的吻合相当满意。从中得出几点有用的结论:(1)倍频系数的双能级跃迁模型对闪锌矿型结构是适用的;但对纤维锌矿型结构并不适用。(2)纤维锌矿型晶体的X3332ω系数可表示成两项之和:单重态(Γ1,Γ3)的贡献和双重态(Γ5,Γ6)的贡献。其中单重态对倍频系数贡献正值,双重态贡献负值。(3)使用Pauling的离子性标度fi来表征A—B键的离子性是适宜的。
在忽略电子-声子相互作用的基础上,本文探讨了从能带波函数出发计算AB型晶体倍频系数的可能性。采用计算AB型晶体能带的近似方法——等价轨道法。计算了k=0点的倍频系数,然后通过带宽的修正,使k=0点的倍频系数近似地表为不同k点倍频系数的平均,这一平均值乘以第一布里渊区内k点的总数就是晶体的宏观倍频系数。计算了十七种闪锌矿型和纤维锌矿型晶体的倍频系数,计算值和实验值的吻合相当满意。从中得出几点有用的结论:(1)倍频系数的双能级跃迁模型对闪锌矿型结构是适用的;但对纤维锌矿型结构并不适用。(2)纤维锌矿型晶体的X3332ω系数可表示成两项之和:单重态(Γ1,Γ3)的贡献和双重态(Γ5,Γ6)的贡献。其中单重态对倍频系数贡献正值,双重态贡献负值。(3)使用Pauling的离子性标度fi来表征A—B键的离子性是适宜的。
应用直接法程序系统MULTAN-78或者MULTAN-80解晶体结构,通常是在直接法找到部分原子位置后,用加权Fourier综合逼近,获得余下的原子位置。本文通过两个实例证明,当大部份原子已知时,尤其是结构含有重原子时,用不加权Fourier逼近比使用加权Fourier逼近更为有效。作者修改了MULTAN-80程序,使之增加了不加权Fourier综合的功能。
应用直接法程序系统MULTAN-78或者MULTAN-80解晶体结构,通常是在直接法找到部分原子位置后,用加权Fourier综合逼近,获得余下的原子位置。本文通过两个实例证明,当大部份原子已知时,尤其是结构含有重原子时,用不加权Fourier逼近比使用加权Fourier逼近更为有效。作者修改了MULTAN-80程序,使之增加了不加权Fourier综合的功能。
苦玄参甙元(I)为植物苦玄参的有效成分之一。乙酰苦玄参甙元(I)(k×k)为其乙酰化合物,分子式为C34H48O7,属正交晶系,空间群为D24-P21 21 21,晶胞参数为a=22.357(10)?,b=15.277(8)?,c=9.089(4)?。晶胞内分子数z=4。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立衍射点为2234个。用直接法(MULTAN-78)测定晶体结构。结构参数的修正采用全矩阵最小二乘法,R=0.1099,由差值Fourier综合得到氢原子位置。
苦玄参甙元(I)为植物苦玄参的有效成分之一。乙酰苦玄参甙元(I)(k×k)为其乙酰化合物,分子式为C34H48O7,属正交晶系,空间群为D24-P21 21 21,晶胞参数为a=22.357(10)?,b=15.277(8)?,c=9.089(4)?。晶胞内分子数z=4。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立衍射点为2234个。用直接法(MULTAN-78)测定晶体结构。结构参数的修正采用全矩阵最小二乘法,R=0.1099,由差值Fourier综合得到氢原子位置。
我们证实了KLiSO4为Li离子导体。通过测定样品中的电位分布,确定其载流子为间隙Li离子和Li空位。其电流弛豫在一定时域内遵从负幂次衰减规律。与之对应,在一定频域内存在与频率成负幂次关系的介电色散。在相变温度附近,本底电流、直流电导率和表观介电常数除发生跃变外还出现一个尖锐的小峰。此峰只有在变温速率较慢时才能观察到,表明该相变具有弛豫过程。
我们证实了KLiSO4为Li离子导体。通过测定样品中的电位分布,确定其载流子为间隙Li离子和Li空位。其电流弛豫在一定时域内遵从负幂次衰减规律。与之对应,在一定频域内存在与频率成负幂次关系的介电色散。在相变温度附近,本底电流、直流电导率和表观介电常数除发生跃变外还出现一个尖锐的小峰。此峰只有在变温速率较慢时才能观察到,表明该相变具有弛豫过程。
本文用高温X射线粉末衍射法研究了成分为(重量百分比)62Fe-23Cr-15Co的可加工永磁合金热处理条件与晶体结构的关系。对高温淬火后只经过时效的样品,以及经过淬火、磁场热处理和时效的样品摄取了高温德拜·谢乐相,观察了高温相变的差异,测量了时效样品点阵常数随温度的变化。我们发现:只经过淬火和时效的样品在610℃左右出现一新的过渡相(X相)。
本文用高温X射线粉末衍射法研究了成分为(重量百分比)62Fe-23Cr-15Co的可加工永磁合金热处理条件与晶体结构的关系。对高温淬火后只经过时效的样品,以及经过淬火、磁场热处理和时效的样品摄取了高温德拜·谢乐相,观察了高温相变的差异,测量了时效样品点阵常数随温度的变化。我们发现:只经过淬火和时效的样品在610℃左右出现一新的过渡相(X相)。
本文以具普遍意义的CCMCC结构作为基本研究对象,提出了通过过渡金属原子和石墨网面间建立类似σ—π电子授受配键的外层电子间联系,形成作为金刚石结晶基元的双层椅子形网面组,从而实现石墨-金刚石结构转化的微观模型。
本文以具普遍意义的CCMCC结构作为基本研究对象,提出了通过过渡金属原子和石墨网面间建立类似σ—π电子授受配键的外层电子间联系,形成作为金刚石结晶基元的双层椅子形网面组,从而实现石墨-金刚石结构转化的微观模型。
本文基于溶剂-催化剂作用下金刚石合成中的胶体观点和结构转化模型,提出了作为金刚石结晶基元的双层椅子形网面组的相互聚结是金刚石成核的主要方式的观点。由实验得到金刚石成核数与温度的定性关系曲线以及金刚石成核与压力的关系,并据此讨论了所述成核理论对金刚石合成实践的指导作用。
本文基于溶剂-催化剂作用下金刚石合成中的胶体观点和结构转化模型,提出了作为金刚石结晶基元的双层椅子形网面组的相互聚结是金刚石成核的主要方式的观点。由实验得到金刚石成核数与温度的定性关系曲线以及金刚石成核与压力的关系,并据此讨论了所述成核理论对金刚石合成实践的指导作用。
本文提出并计算了一种接收Vela星引力辐射的集中质量音叉式机械谐振型低频天线。指出,由于Vela星引力波信号的连续性和单色性,可以采用信号积累方法提高接收灵敏度。最后给出了灵敏度可以达到目前理论估计的Vela星引力辐射强度的天线参数。此种天线也适用于其他低频引力波探测。
本文提出并计算了一种接收Vela星引力辐射的集中质量音叉式机械谐振型低频天线。指出,由于Vela星引力波信号的连续性和单色性,可以采用信号积累方法提高接收灵敏度。最后给出了灵敏度可以达到目前理论估计的Vela星引力辐射强度的天线参数。此种天线也适用于其他低频引力波探测。
我们用缀饰模型研究强近共振激光脉冲驱动下二能级系统与弱试探脉冲的相互作用。当试探脉冲的频率ω2调到共振频率ω2=ω1±21D>时,试探脉冲呈现吸收或放大效应。还得到非线性混频效应的瞬态过程。共振增强存在于此非线性混频过程中。
我们用缀饰模型研究强近共振激光脉冲驱动下二能级系统与弱试探脉冲的相互作用。当试探脉冲的频率ω2调到共振频率ω2=ω1±21D>时,试探脉冲呈现吸收或放大效应。还得到非线性混频效应的瞬态过程。共振增强存在于此非线性混频过程中。
本文讨论了磁场中简并四波混频的偏振旋转效应。计算了Jg=0→Je=1跃迁的三阶非线性极化率Xyxx(3)。它包括两个部分:一部分是由于布居差的饱和效应产生的;另一部分是由于原子与光场的相互作用中,感生出来的塞曼相干所造成的。
本文讨论了磁场中简并四波混频的偏振旋转效应。计算了Jg=0→Je=1跃迁的三阶非线性极化率Xyxx(3)。它包括两个部分:一部分是由于布居差的饱和效应产生的;另一部分是由于原子与光场的相互作用中,感生出来的塞曼相干所造成的。
用X射线衍射方法测定了K0.5Bi0.5TiO3—Na0.5Bi0.5TiO3系统不同组分试样的点阵常数和相变温度,确定了四方-三方相界组成。给出了K0.5Bi0.5TiO3和Na0.5Bi0.5TiO3的多晶X射线衍射数据。
用X射线衍射方法测定了K0.5Bi0.5TiO3—Na0.5Bi0.5TiO3系统不同组分试样的点阵常数和相变温度,确定了四方-三方相界组成。给出了K0.5Bi0.5TiO3和Na0.5Bi0.5TiO3的多晶X射线衍射数据。
本文对为什么在托卡马克输运中电子表现为反常而离子表现为经典提出了一种解释。
本文对为什么在托卡马克输运中电子表现为反常而离子表现为经典提出了一种解释。
管惟炎等人观察到的Al-Si急冷合金的负磁阻效应,实际上就是以R-He曲线的形式表示出来的第二类超导膜的纵场峰值效应。在磁通线切割模型基础上,对这个效应提出了一个可能的解释。
管惟炎等人观察到的Al-Si急冷合金的负磁阻效应,实际上就是以R-He曲线的形式表示出来的第二类超导膜的纵场峰值效应。在磁通线切割模型基础上,对这个效应提出了一个可能的解释。
在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的声子谱参数λ,和2>与霍耳系数R_H之间存在着一个经验关系:在RH=-3.5—-4.0×10-11m3/As之间存在着λ,和2>的最大值。上述声子谱参数与相应的液态金属的霍耳系数RHL之间也存在着一个和上述类似的经验关系。最后讨论了非晶态超导体的转变温度Tc的提高问题。
在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的声子谱参数λ,和2>与霍耳系数R_H之间存在着一个经验关系:在RH=-3.5—-4.0×10-11m3/As之间存在着λ,和2>的最大值。上述声子谱参数与相应的液态金属的霍耳系数RHL之间也存在着一个和上述类似的经验关系。最后讨论了非晶态超导体的转变温度Tc的提高问题。
模拟计算指出,在孪生取向的面心立方双晶中,二者如无整体位移,除了共格孪晶界面以外,所有的非共格孪晶界面两边最近邻的阵点间距仅为0.408a(a为点阵常数)。而原子半径r=0.707a,故有0.299a的部分相叠加。通过两部分晶体的整体位移可以使界面能显著降低。实验测定了(111),(122),(121)及(765)四个非共格孪晶界面的位移矢量,它们分别是0.254a,0.300a,0.204a及0.126a。
模拟计算指出,在孪生取向的面心立方双晶中,二者如无整体位移,除了共格孪晶界面以外,所有的非共格孪晶界面两边最近邻的阵点间距仅为0.408a(a为点阵常数)。而原子半径r=0.707a,故有0.299a的部分相叠加。通过两部分晶体的整体位移可以使界面能显著降低。实验测定了(111),(122),(121)及(765)四个非共格孪晶界面的位移矢量,它们分别是0.254a,0.300a,0.204a及0.126a。