本文研究了磁泡石榴石外延膜磁参数漂移的起因和抑制方法。我们认为石榴石外延膜磁参数漂移的主要起因是过饱和熔体的非自发成核和长大,并利用熔体营养料的有效浓度Reff=R4-Rn-Re予以解释。外延过程熔体营养料浓度的消耗是Rn+Re,而且Rn比Re对石榴石外延膜磁参数的影响大得多。在回温控制过程中Rn=0,其熔体是相对稳定的。衬底的搅拌可加速熔体的非自发成核和长大。

我们测量了分子式为{Bi3-2xCa2x}[Fc2-yIny](Fe(3x)Vx)O12的铁石榴石单晶(简记为代In的BCVIG)在0.45—0.80μm内的饱和极向磁光克尔旋转谱。在0.47μm附近观察到一个强的旋转峰值。通过改变In,V(Bi)的替代量获得了室温下磁矩抵消点附近0.47μm磁光旋转值与成份的关系。发现当替代量的变化通过磁矩抵消点时,克尔旋转的符号突然由正变负,但其绝对值并不依替代量趋近磁矩抵消点(总4πMs下降)而逐渐下降。还发现In的代入使磁光旋转有所增强,在y≈0.15时增强最大。借助总磁光旋转为Bi增强了的次点阵磁光旋转迭加的模型解释了代In引起的旋转增强。按此拟合实验结果导出了0.47μm下四、八面体次晶格旋转系数之比为α4/α8≈1.5即单位Fe3+在四面体比在八面体对磁光旋转的贡献大。实验结果还表明,在xs,高的居里点和相当大的磁光旋转,该配方区的代In的BCVIG在磁光各种应用中将是强有力的竞争者。

本文中分析了从高温合金熔体快速淬火形成非晶态合金带的固化过程。指出非晶态合金带的不同部位在固化过程中,具有不同的固化推进方式,从而形成不同的区域应力场。从理论上计算了非晶态薄带中不同区域的内应力场和应力磁各向导性。计算的结果及其推论能很好地解释观察到的非晶态铁滋合金带的磁畴结构和实验现象。

本文研究了由非线性引起的Brillouin散射致稳效应。我们主要兴趣是Landau阻尼对非线性致稳的影响。我们求解了时间、空间和时-空有关的方程,得到了场能密度、场幅、饱和时间和空间大小等随物理参量变化的近似解析表达式。

在本文中讨论了调相聚焦激光加速器的调相模拟实验方案,给出了调相板的具体设计方法,制作了调相板,并进行了调相实验。实验结果与理论设计相符合。

用不可约张量方法,利用由广义Winier-Eckart定理得出的两个推论及有关结果,对三角畸变立方晶场中的d2离子,考虑到Vc及(Vt+Hs)产生的所有可能的相互作用,并用缩小因子来计入共价键与J-T效应,通过逐级微扰求得基态波函数,从而导出了g∥, g⊥与D的公式。应用于钒刚玉,通过全面拟合光谱与g∥, g⊥,D实验值,得到的结果与实验值较好的符合。对所用模型、方法、结果与考虑所有相互作用的重要性等问题作了讨论。

本文从修改了的Kobayashi-McMillan哈密顿量出发,(1)在平均场近似下计算了长棒形液晶分子的相图;(2)计算了取向关联函数;(3)对Muta等的同系物液晶磁双折射实验结果做了分析处理,并首次给出了同系物液晶磁双折射实验的定性解释;(4)计算表观指数Δ,得到Δ=1.40;(5)提出了一种与Marcelja关于液晶奇偶效应理论不同的新解释,并首次计算了过冷温度T*的奇偶效应。

采用逐级校正法数值求解LSS方程,计算了Be+,N+,Ne+,Mg+,Si+,Ar+,Cr+共七种离子注入到砷化镓靶中的射程统计参数Rp,△Rp,R⊥提出了计算Rp,△Rp,R⊥时简单的初值计算公式,既可避免能量零点发散,并有足够的计算精度。所提出的β积分表式,可大大节省机器计算时间。所使用的数值方法和计算程序也适用于其它离子注入到其它靶材料的计算。

本文指出处在高Q值谐振腔中的单结超导环,当Josephson电流的n次倍频与外腔发生谐振时,由于在腔内形成的驻波电磁场对单结超导环自身的反馈作用,将导致在原来的以φ0为周期的超流电流锯齿波振荡上迭加一个周期为φ0/n,振幅为锯齿波振幅的2/nπ的正弦形小振荡。

为了讨论固体和液体的性质,Kawamura曾利用Collins模型,在忽略4-原子和引力势的情况下,研究了二维硬盘系统的相变。本文进一步考虑4-原子和引力势的存在,计算了二维系统的热力学函数,研究了4-原子所占百分数对相变点的影响,讨论了物态方程和定压热容量。

用Ge(Li)探测器测量正电子在两种不同来源的铝样品中的湮没辐射,以181Hf的482keVγ,峰做为基准,重复测定湮没峰与基准峰的相对位置,精密度达到±6eV。结果表明,在两种铝样品中的电子静止质量在10eV水平上是一致的。

本文报道了新型信频材料——偏硼酸钡[Ba3(B3O6)2]低温相的晶体结构。晶体属三方晶系,空间群为C34-R3,取六方坐标系,晶胞参数为a=b=12.532?,c=12.717?,z=6。在PhilipsPW-1100四圆衍射仪上收集到独立衍射693个。采用重原子法通过三维帕特逊和三维傅里叶合成测定结构,并用对角矩阵最小二乘法修正至R=0.046。该晶体是一个由Ba2+和(B3O6)3-环交错组成的层状阶梯式结构。其阴离子(B3O6)3-环基本上是平面状的。基团平面垂直于三次轴;Ba2+近邻有7个氧原子。将此结构与偏硼酸钡高温相比较表明,由于钡阳离子的非中心对称分布改变了阴离子硼氧环共轭基团的电子云密度,这一结构上的变化对该晶体的倍频效应做了主要贡献。

二苯并-18-冠-6硫氰酸钇晶体为冠醚与硫氰酸钇的络合物。其分子式为C23H24O6N3S3Y。属正交晶系,空间群为D2h-Pmcn(标准型为Pnma)。晶胞参数a=19.885(9)?,b=17.283(8)?,C=7.942(3)?三个NCS-的氮原子形成9配位多面体,络合物分子属Cs点群。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立衍射点为2859个。用Patterson法测定晶体结构,结构参数的修正采用准对角矩阵最小二乘法,R=0.071,由差值Fourier综合得到氢原子位置。

失碳倍半萜内酯的分子式为C14H20O3,属正交晶系,空间群为D24-P21 21 21。晶胞参数为α=7.526(3)?,b=24.642(10)?,c=6.887(2)?。晶胞内分子数z=4,计算密度Dx=1.23(g·cm-3。用RASA-IIS四圆衍射仪收集衍射强度数据。用直接法(MULTAN-80)测定晶体结构时曾遭遇失败,改善了起始套衍射点的指标分布后,才获得正确结构解。用准对角矩阵最小二乘法修正了结构参数,对全部独立可观察点,R=0.059。由差值Fouruer综合获得了全部氢原子坐标。最后就原起始套失败的原因和新选起始套的依据作了必要的分析。

本文用一个比较复杂的、含重原子的晶体结构试验了人工相位退化法,获得了满意的结果。

本文提出了一种在粗略晶胞参数已知的情形下对化合物多晶衍射图进行指标化的叠代逼近法。当原始粗略晶胞参数误差不太大(
. 1982 31(7): 972-976. 刊出日期: 2005-07-27 ]]>

本文提出了一种在粗略晶胞参数已知的情形下对化合物多晶衍射图进行指标化的叠代逼近法。当原始粗略晶胞参数误差不太大(
. 1982 31(7): 972-976. Published 2005-07-27 ]]> 1982-04-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1982 31(7): 972-976. article doi:10.7498/aps.31.972 10.7498/aps.31.972 31 7 2005-07-27 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.31.972 972-976 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.31.977

用电子计算机标定倾转晶体电子衍射斑点指数的计算公式如下:[hkl]=[xy0]Γ(θ)Γ(ω0-ω)Γ(θ0)P-1H,其中θ,ω为倾转角,θ0,ω0为初始倾转角。一个适合于任意晶系的计算机程序已经编写出来。与极图法比较起来,用计算机标定既简便又迅速。

用电子计算机标定菊池线的困难在于实验误差。误差的来源有二:一是菊池线位置测量的误差;二是仪器常数的误差。本文用最小二乘法拟合菊池线及自动校正仪器常数的办法减少了实验误差,并用点阵平面几何学的方法进行标定,大大地提高了标定的可靠性。本方法具有普遍的适用性,但更适合于超高压电镜中菊池线的标定。

本文利用透射电镜中的双倾台绕c*轴旋转晶体,唯一地确定了Ni-P非晶膜晶化后生成成分约为Ni2.2P的针状亚稳相具有六角点阵,a=6.73?,c=9.42?。堆垛类型为AA…。(001)平面的高分辨点阵象以及衍射斑点沿c*方向拉长成条纹均表明晶体存在一维无序错排。

对于中子辐照的n-FZSi(H2),利用红外吸收光谱研究了由于辐照所产生的各种与氢有关的缺陷态。在未辐照的样品和辐照的样品中分别发现了未曾报道的1992cm-1和1857cm-1吸收峰。对于在n-FZSi(H2)所引起的本征吸收峰和辐照损伤吸收峰,进行了讨论和指派。2150cm-1吸收峰则被认为是由于氢施主所引起的。