本文从稳定的位错组态的能量最低原理出发,分析了六角结构金属中能够出现的特殊位错组态,这些位错组态由两组分别位于间距很小的两个滑移面上的位错列阵组成,用透射电子显微镜观察时,它们呈现为有规则的位错“网络”。
本文从稳定的位错组态的能量最低原理出发,分析了六角结构金属中能够出现的特殊位错组态,这些位错组态由两组分别位于间距很小的两个滑移面上的位错列阵组成,用透射电子显微镜观察时,它们呈现为有规则的位错“网络”。
利用化学腐蚀和X射线投影貌相方法研究了含氢气氛下区熔无位错硅单晶中的缺陷,发现异常腐蚀现象、缺陷密度与气氛中氢含量紧密相关,观测了纯氢气氛下无位错硅单晶退火后的缺陷,找到了貌相与蚀象的对应关系,还观察了二次退火效应,最后,综合所观测到的结果,讨论了氢在硅单晶中的集聚、沉淀和位错环列的发射、运动及交互作用。
利用化学腐蚀和X射线投影貌相方法研究了含氢气氛下区熔无位错硅单晶中的缺陷,发现异常腐蚀现象、缺陷密度与气氛中氢含量紧密相关,观测了纯氢气氛下无位错硅单晶退火后的缺陷,找到了貌相与蚀象的对应关系,还观察了二次退火效应,最后,综合所观测到的结果,讨论了氢在硅单晶中的集聚、沉淀和位错环列的发射、运动及交互作用。
本文用Matsubara和Toyozawa的locator展开方法重新推导单粒子和双粒子格林函数的相干势近似(CPA)方程,文中不采用对累积量做自洽处理的方法来考虑原子之间的体积排斥效应,而采用Yonezawa早先提出的一种图形法,本文的重点是提出一个可以用来生成单格点图形自洽方程的系统方法,并用在处理双粒子平均格林函数上,这种处理方法可以推广到处理包括液态金属或非晶态金属等具有短程序系统电导率的CPA方程。
本文用Matsubara和Toyozawa的locator展开方法重新推导单粒子和双粒子格林函数的相干势近似(CPA)方程,文中不采用对累积量做自洽处理的方法来考虑原子之间的体积排斥效应,而采用Yonezawa早先提出的一种图形法,本文的重点是提出一个可以用来生成单格点图形自洽方程的系统方法,并用在处理双粒子平均格林函数上,这种处理方法可以推广到处理包括液态金属或非晶态金属等具有短程序系统电导率的CPA方程。
本文在紧束缚模型内得到了液态金属和非晶态中电子电导率的相干势近似(CPA)结果,用文献[4]提出的处理单格点图形的系统方法可以得到平均双粒子格林函数的近似方程,这里采用具有短程序的点阵-气体模型,液态金属和非晶态金属相对应的CPA方程可以从点阵-气体模型的极限求得,这样得到的目洽方程包括所有的单格点图形,具有CPA的所有性质。
本文在紧束缚模型内得到了液态金属和非晶态中电子电导率的相干势近似(CPA)结果,用文献[4]提出的处理单格点图形的系统方法可以得到平均双粒子格林函数的近似方程,这里采用具有短程序的点阵-气体模型,液态金属和非晶态金属相对应的CPA方程可以从点阵-气体模型的极限求得,这样得到的目洽方程包括所有的单格点图形,具有CPA的所有性质。
本文讨论在Kerr度规中带质量和无质量Bose子的束缚态,结果指出:1)无质量Bose子不能形成Kerr黑洞束缚态,在极端黑洞情形和角量子数l很大的条件下,这与deFelic的结论相符,但我们将他的结论推广到任意l及非极端Kerr黑洞的情形。2)对于有质量Bose子,若满足束缚态条件,则可能和极端Kerr黑洞组成束缚态。本文给出了束缚态的能量模式,波函数和束缚态条件。
本文讨论在Kerr度规中带质量和无质量Bose子的束缚态,结果指出:1)无质量Bose子不能形成Kerr黑洞束缚态,在极端黑洞情形和角量子数l很大的条件下,这与deFelic的结论相符,但我们将他的结论推广到任意l及非极端Kerr黑洞的情形。2)对于有质量Bose子,若满足束缚态条件,则可能和极端Kerr黑洞组成束缚态。本文给出了束缚态的能量模式,波函数和束缚态条件。
本文运用半经典理论处理分布反馈染料激光器,得出非线性耦合波方程以及相应的解析解和阈值关系,对空间烧孔效应和模式竞争等物理问题作了分析。
本文运用半经典理论处理分布反馈染料激光器,得出非线性耦合波方程以及相应的解析解和阈值关系,对空间烧孔效应和模式竞争等物理问题作了分析。
本文报道了利用YAG激光系统CARS装置研究方解石的高阶相干喇曼散射(CRS)的实验结果,观察到1—6阶相干反斯托克斯喇曼散射谱(CARS)和1—2阶的相干斯托克斯喇曼散射谱(CSRS),讨论了影响高阶CRS产生的因素及有关的问题。
本文报道了利用YAG激光系统CARS装置研究方解石的高阶相干喇曼散射(CRS)的实验结果,观察到1—6阶相干反斯托克斯喇曼散射谱(CARS)和1—2阶的相干斯托克斯喇曼散射谱(CSRS),讨论了影响高阶CRS产生的因素及有关的问题。
本文用动量和位置的线性组合作为算符,计算了极性晶体的表面或界面极化子的基态能量,结果表明,线性组合算符对于研究极性晶体的表面或界面极化子的性质也是适用的。
本文用动量和位置的线性组合作为算符,计算了极性晶体的表面或界面极化子的基态能量,结果表明,线性组合算符对于研究极性晶体的表面或界面极化子的性质也是适用的。
本文应用Hartree-Fock-Slater势能代替Thomas-Fermi势能,得出电子阻止本领Se(E)的归一化关系式;同时,结合有效原子序数概念,得出能量对Se(E)影响的关系式,利用前一关系式,定量计算了Se(E)随离子和靶原子的原子序数z变化的振荡关系,计算结果与实验值相当符合,利用后一关系式,定量计算了多种离子-靶体系的Se(E),与文献[1]的关系式比较,本文结果更好地符合实验值,而且有更广的能量适用范
本文应用Hartree-Fock-Slater势能代替Thomas-Fermi势能,得出电子阻止本领Se(E)的归一化关系式;同时,结合有效原子序数概念,得出能量对Se(E)影响的关系式,利用前一关系式,定量计算了Se(E)随离子和靶原子的原子序数z变化的振荡关系,计算结果与实验值相当符合,利用后一关系式,定量计算了多种离子-靶体系的Se(E),与文献[1]的关系式比较,本文结果更好地符合实验值,而且有更广的能量适用范
本文着重分析了如何描述化学反应体系中密度涨落的空间关联,对照反应扩散方程,我们在密度涨落分布函数所满足的Master方程中引入了扩散项或压力项,对无限介质,解Master方程,得到了一系列波,第一支波是与反应扩散方程的解一致,描述了平均密度起伏在空间的传播,在气体中就是声波,其它各支波,则描述了局部密度涨落高阶矩的变化在空间的传播(平均密度不改变),其实就是局部机率分布函数畸变后的传播过程,我们称之为涨落波,文中还讨论了如何求解线性初值问题。
本文着重分析了如何描述化学反应体系中密度涨落的空间关联,对照反应扩散方程,我们在密度涨落分布函数所满足的Master方程中引入了扩散项或压力项,对无限介质,解Master方程,得到了一系列波,第一支波是与反应扩散方程的解一致,描述了平均密度起伏在空间的传播,在气体中就是声波,其它各支波,则描述了局部密度涨落高阶矩的变化在空间的传播(平均密度不改变),其实就是局部机率分布函数畸变后的传播过程,我们称之为涨落波,文中还讨论了如何求解线性初值问题。
根据文献[4]所发展的理论,讨论了涨落波对非线性化学反应体系临界行为的影响,本文进一步发展了一般的分支理论,使之能应用于涨落波,并能利用涨落波展开来消除临界点上某些系数发散的问题,作为具体对象,仔细讨论了三分子反应模型均匀定态的稳定性(包括考虑压力效应),并在一种简单情况下讨论了密度及其涨落出现空间结构的可能性。还指出,在考虑涨落波后,有可能出现这种情况,即虽然平均密度出现结构,但由于涨落太大,实际上观测不到,仍是无序的。
根据文献[4]所发展的理论,讨论了涨落波对非线性化学反应体系临界行为的影响,本文进一步发展了一般的分支理论,使之能应用于涨落波,并能利用涨落波展开来消除临界点上某些系数发散的问题,作为具体对象,仔细讨论了三分子反应模型均匀定态的稳定性(包括考虑压力效应),并在一种简单情况下讨论了密度及其涨落出现空间结构的可能性。还指出,在考虑涨落波后,有可能出现这种情况,即虽然平均密度出现结构,但由于涨落太大,实际上观测不到,仍是无序的。
本文提出了用多次曝光全息方法制作单片掩膜板以实现一类幺正变换的方案,从统计观点分析了这种掩膜板所施行变换的信噪比,并给出了对复位精度的要求。
本文提出了用多次曝光全息方法制作单片掩膜板以实现一类幺正变换的方案,从统计观点分析了这种掩膜板所施行变换的信噪比,并给出了对复位精度的要求。
本文把文献[1]中提出的振幅和位相恢复问题的一般表述用于处理空间关联函数位相的恢复问题,类似于文献[1],得到了一组确定位相的方程,用该方程组和迭代求解法,可以求解空间关联函数的位相,但本文不假定传输矩阵R是幺正的。可以证明,如果R是幺正矩阵,在相干极限下,本文的方程组回到文献[1]中的相应方程。
本文把文献[1]中提出的振幅和位相恢复问题的一般表述用于处理空间关联函数位相的恢复问题,类似于文献[1],得到了一组确定位相的方程,用该方程组和迭代求解法,可以求解空间关联函数的位相,但本文不假定传输矩阵R是幺正的。可以证明,如果R是幺正矩阵,在相干极限下,本文的方程组回到文献[1]中的相应方程。
在强激光对靶材的作用中,以连续及脉冲CO2激光为主光源,首先研究了发生于靶前区的现象,用高速干涉摄影术来诊断,判别出连续激光引起烧坑形成的时间及蒸汽羽喷向的扭转过程,并观察了脉冲激光引起等离子体的发展、空气击穿及产生冲击波运动和蒸汽羽等非自发光现象,使用了脉冲He-Ne激光高速干涉摄影装置。
在强激光对靶材的作用中,以连续及脉冲CO2激光为主光源,首先研究了发生于靶前区的现象,用高速干涉摄影术来诊断,判别出连续激光引起烧坑形成的时间及蒸汽羽喷向的扭转过程,并观察了脉冲激光引起等离子体的发展、空气击穿及产生冲击波运动和蒸汽羽等非自发光现象,使用了脉冲He-Ne激光高速干涉摄影装置。
本文研究了磷酸盐、氟磷酸盐和氟化物玻璃中Cr3+的顺磁共振(以下简称ESR),从自旋哈密顿出发计算了Cr3+的有效g因子,指出低场谱线主要起源于两个Kramers双重态之间的跃迁,确定了自旋哈密顿参数:D=0.15—0.4cm-1,E/D=0.15—0.3,零场分裂为0.3—0.8cm-1,本文还报道了磷酸盐玻璃中Mo3+的ESR。
本文研究了磷酸盐、氟磷酸盐和氟化物玻璃中Cr3+的顺磁共振(以下简称ESR),从自旋哈密顿出发计算了Cr3+的有效g因子,指出低场谱线主要起源于两个Kramers双重态之间的跃迁,确定了自旋哈密顿参数:D=0.15—0.4cm-1,E/D=0.15—0.3,零场分裂为0.3—0.8cm-1,本文还报道了磷酸盐玻璃中Mo3+的ESR。
低温77K下,在三种玻璃中都观察到了Co2+的ESR信号,认为Co2+是处干四面体格位,从实验所得的有效g值,判别出中心离子与配位体间化学键的性质变化,本文还研究了氟磷酸盐玻璃中Ni2+ESR,辨认了Ni2+的谱线,用自旋哈密顿作了比较详细的分析计算,并解释了一般氧化物玻璃中很难观察到Ni2+的ESR的原因。
低温77K下,在三种玻璃中都观察到了Co2+的ESR信号,认为Co2+是处干四面体格位,从实验所得的有效g值,判别出中心离子与配位体间化学键的性质变化,本文还研究了氟磷酸盐玻璃中Ni2+ESR,辨认了Ni2+的谱线,用自旋哈密顿作了比较详细的分析计算,并解释了一般氧化物玻璃中很难观察到Ni2+的ESR的原因。
通过光双折射貌相法研究了YAG单晶体中位错、包裹物以及生长层间的关系,结果表明,包裹物优先吸附于固液界面上的位错露头点,而包裹物的大小与该处生长台阶的大小有关。
通过光双折射貌相法研究了YAG单晶体中位错、包裹物以及生长层间的关系,结果表明,包裹物优先吸附于固液界面上的位错露头点,而包裹物的大小与该处生长台阶的大小有关。