本文讨论了具有简单结构磁层顶中的低混杂漂移不稳定性,假定在磁层顶中磁场方向是相互平行的,电子与离子的密度处处相等,总压力为一常数,采用1971年Alpers建立的分布函数做为零级分布,计算了下混杂漂移不稳定性的增长率和饱和时相应的反常电阻,计算表明,当磁层顶厚度接近两个质子迴旋半径时,低混杂漂移不稳定性的增长率约为0.26ωLH(ωLH为低混杂频率),反常电阻率为10-5sec,随着磁层顶厚度成倍增加,反常电阻率以指数形式下降。
本文讨论了具有简单结构磁层顶中的低混杂漂移不稳定性,假定在磁层顶中磁场方向是相互平行的,电子与离子的密度处处相等,总压力为一常数,采用1971年Alpers建立的分布函数做为零级分布,计算了下混杂漂移不稳定性的增长率和饱和时相应的反常电阻,计算表明,当磁层顶厚度接近两个质子迴旋半径时,低混杂漂移不稳定性的增长率约为0.26ωLH(ωLH为低混杂频率),反常电阻率为10-5sec,随着磁层顶厚度成倍增加,反常电阻率以指数形式下降。
本文用解析方法分别研究了在平板和环形模型中离子温度梯度不稳定性的阈值和等离子体温度参数的关系,发现当离子温度远大于电子温度时,阈值会有明显的升高;而且在两种几何模型中阈值随离子温度变化的趋势是相同的,这一结论与PLT的实验结果是符合的,解析结果与数值计算结果也符合得很好。
本文用解析方法分别研究了在平板和环形模型中离子温度梯度不稳定性的阈值和等离子体温度参数的关系,发现当离子温度远大于电子温度时,阈值会有明显的升高;而且在两种几何模型中阈值随离子温度变化的趋势是相同的,这一结论与PLT的实验结果是符合的,解析结果与数值计算结果也符合得很好。
本文提出一个直接利用薄膜和衬底的X射线能谱来同时测定薄膜的成分和厚度的新方法,利用薄膜发出的各元素的标识X射线强度比确定其成分,利用NaCl衬底的Nakα和Clkα标识X射线的强度随膜厚增大而衰减的定量关系确定膜厚,本方法不需要纯元素的块状标样,对在NaCl衬底上沉积的Cu-Si合金薄膜的成分和厚度,在各种实验条件下进行了测定,得到了较为满意的结果。
本文提出一个直接利用薄膜和衬底的X射线能谱来同时测定薄膜的成分和厚度的新方法,利用薄膜发出的各元素的标识X射线强度比确定其成分,利用NaCl衬底的Nakα和Clkα标识X射线的强度随膜厚增大而衰减的定量关系确定膜厚,本方法不需要纯元素的块状标样,对在NaCl衬底上沉积的Cu-Si合金薄膜的成分和厚度,在各种实验条件下进行了测定,得到了较为满意的结果。
本文利用单参数Heine-Abarenkov模型势及Hubbard-Sham介电函数计算了七种简单金属(Li,Na,K,Rb,Cs,Al和Pb)的二阶与三阶弹性常数,两个可调参数用零温零压下晶体的弹性常数C44与晶格常数的实验值来确定,计算结果与实验值或其他作者的理论计算值符合得比较好,尤其是Al的三阶弹性常数,本文的计算结果比其他作者的计算结果更接近于实验值。
本文利用单参数Heine-Abarenkov模型势及Hubbard-Sham介电函数计算了七种简单金属(Li,Na,K,Rb,Cs,Al和Pb)的二阶与三阶弹性常数,两个可调参数用零温零压下晶体的弹性常数C44与晶格常数的实验值来确定,计算结果与实验值或其他作者的理论计算值符合得比较好,尤其是Al的三阶弹性常数,本文的计算结果比其他作者的计算结果更接近于实验值。
本文用Master方程导出的带有扩散涨落项的福克-普朗克方程讨论了三个化学模型在不同情况下的涨落问题,文章指出:平衡态附近的无空间关联的涨落,偏离平衡时涨落的关联性,Schlogl三分子模型县有非经典的临界指数,而Schligl双分子模型具有经典的临界指数等多样的情况是由系统的本身性质决定的,用本文的方法能统一地处理这些问题,并且因而澄清了文献[6]中提出的关于临界指数的疑点。
本文用Master方程导出的带有扩散涨落项的福克-普朗克方程讨论了三个化学模型在不同情况下的涨落问题,文章指出:平衡态附近的无空间关联的涨落,偏离平衡时涨落的关联性,Schlogl三分子模型县有非经典的临界指数,而Schligl双分子模型具有经典的临界指数等多样的情况是由系统的本身性质决定的,用本文的方法能统一地处理这些问题,并且因而澄清了文献[6]中提出的关于临界指数的疑点。
本文讨论了无回波室中,吸收材料对电磁波吸收和反射、极化偏转、多波干涉以及由于干涉而形成复杂的驻波分布,文中以直射波为参考波束,只考虑在直射波极化方向上各反射波的场分量,从而给出了多波干涉情况下的场强、反射电平、交叉极化特性、通路损耗均匀性的表示式以及用于工程设计的固有反射电平计算曲线,最后,给出了部分典型实验结果。
本文讨论了无回波室中,吸收材料对电磁波吸收和反射、极化偏转、多波干涉以及由于干涉而形成复杂的驻波分布,文中以直射波为参考波束,只考虑在直射波极化方向上各反射波的场分量,从而给出了多波干涉情况下的场强、反射电平、交叉极化特性、通路损耗均匀性的表示式以及用于工程设计的固有反射电平计算曲线,最后,给出了部分典型实验结果。
本文研究了半绝缘砷化镓中硅离子的注入,在对衬底材料进行挑选和注意离子源工作物质纯度的基础上,进行了28Si+注入,用无包封法退火,然后对注入层作了电学性质、背散射和光致发光谱测定,结合选择离子注硅的UHF应用的低噪声GaAs双栅MESFET的结果,1GHz下NF0.9dB和Ga10dB,对实验结果进行了讨论。
本文研究了半绝缘砷化镓中硅离子的注入,在对衬底材料进行挑选和注意离子源工作物质纯度的基础上,进行了28Si+注入,用无包封法退火,然后对注入层作了电学性质、背散射和光致发光谱测定,结合选择离子注硅的UHF应用的低噪声GaAs双栅MESFET的结果,1GHz下NF0.9dB和Ga10dB,对实验结果进行了讨论。
介绍了稳定自然对流下的温度梯度液相外延,稳定自然对流由加在溶液上的水平温差产生,用简化模式计算了该生长的生长速率,计算给出:该生长的生长速率与水平温差的平方根成比例;具体对Ga0.85Al0.15AS生长,在本工作给定的条件下,生长速率为稳态扩散理论预示生长速率的1124倍,在大部份生长面积内,外延层的厚度变化小于平均厚度的±10％,设计了稳定自然对流下的温度梯度液相外延装置,用该装置生长了厚Ga1-xAlxAs层,实
介绍了稳定自然对流下的温度梯度液相外延,稳定自然对流由加在溶液上的水平温差产生,用简化模式计算了该生长的生长速率,计算给出:该生长的生长速率与水平温差的平方根成比例;具体对Ga0.85Al0.15AS生长,在本工作给定的条件下,生长速率为稳态扩散理论预示生长速率的1124倍,在大部份生长面积内,外延层的厚度变化小于平均厚度的±10％,设计了稳定自然对流下的温度梯度液相外延装置,用该装置生长了厚Ga1-xAlxAs层,实
对于低级晶系,由一套等效重原子的赝对称性引起的轻原子位置的多解数目最多为八重解形式,在测定TIP晶体结构时,出现了轻原子位置的八重解问题,本文详述了应用多解型分量关系式解决此类问题的方法与步骤。
对于低级晶系,由一套等效重原子的赝对称性引起的轻原子位置的多解数目最多为八重解形式,在测定TIP晶体结构时,出现了轻原子位置的八重解问题,本文详述了应用多解型分量关系式解决此类问题的方法与步骤。
变价稀土元素的4f电子占有数可以随不同的温度、压力或者组成(为化合物时)而作“连续”或不连续的变化,对于不同的4f电子占有数,其内壳层电子的束缚能量也将有所不同,本文应用相对论性原子自洽场理论计算由“变价”而引起的束缚能移动。
变价稀土元素的4f电子占有数可以随不同的温度、压力或者组成(为化合物时)而作“连续”或不连续的变化,对于不同的4f电子占有数,其内壳层电子的束缚能量也将有所不同,本文应用相对论性原子自洽场理论计算由“变价”而引起的束缚能移动。
对应于旋转条纹和功率条纹,观测到晶体中铁电畴组态的相应变化,确定了旋转条纹与铁电畴组态间的一一对应关系,利用扫描电子显微镜中的X射线能谱分析测定了旋转条纹中的溶质浓度分布,得到了溶质浓度梯度决定了铁电畴组态的结论,自发极化与溶质浓度梯度间的耦合首次得到了实验证实。
对应于旋转条纹和功率条纹,观测到晶体中铁电畴组态的相应变化,确定了旋转条纹与铁电畴组态间的一一对应关系,利用扫描电子显微镜中的X射线能谱分析测定了旋转条纹中的溶质浓度分布,得到了溶质浓度梯度决定了铁电畴组态的结论,自发极化与溶质浓度梯度间的耦合首次得到了实验证实。
对于一个围绕强引力场物体(例如黑洞)作开普勒运动的环状发光物,它所发射的光线要受多普勒频移,引力红移和光线偏折等效应的作用,这种作用决定了远处观察者所看到的谱线轮廓,本文利用光子输运方程方法,求出在Schwarzschild度规中的开普勒环所发射的谱线的轮廓的精确解。
对于一个围绕强引力场物体(例如黑洞)作开普勒运动的环状发光物,它所发射的光线要受多普勒频移,引力红移和光线偏折等效应的作用,这种作用决定了远处观察者所看到的谱线轮廓,本文利用光子输运方程方法,求出在Schwarzschild度规中的开普勒环所发射的谱线的轮廓的精确解。
本文用Monte Carlo模拟计算了孤立薄膜和同一材料厚样中同样厚度表层的X射线强度分布函数,然后提出一简单关系式确定有衬底薄膜的X射线出射强度,以校正膜厚测定中Z.A.P.影响,使膜厚测定的准确度比前人有所提高。对GaAS,Si衬底上的Ta2O5膜、ZrO2膜的测厚结果与椭圆术测定结果一致。
本文用Monte Carlo模拟计算了孤立薄膜和同一材料厚样中同样厚度表层的X射线强度分布函数,然后提出一简单关系式确定有衬底薄膜的X射线出射强度,以校正膜厚测定中Z.A.P.影响,使膜厚测定的准确度比前人有所提高。对GaAS,Si衬底上的Ta2O5膜、ZrO2膜的测厚结果与椭圆术测定结果一致。
用差热分析法、X射线衍射法和金相显微镜观察法研究了Gd-In二元系合金相图,实验证实了有六个中间相:Gd3In,Gd2In,Gd5In3,Gdln,Gd2In3和Gdln3,有五个共晶转变,分别与～12at％In(共晶温度988℃),～30.5at％In(1151℃),～38.5at％In(1114℃),～64.5at％In(1010℃)以及100at％
用差热分析法、X射线衍射法和金相显微镜观察法研究了Gd-In二元系合金相图,实验证实了有六个中间相:Gd3In,Gd2In,Gd5In3,Gdln,Gd2In3和Gdln3,有五个共晶转变,分别与～12at％In(共晶温度988℃),～30.5at％In(1151℃),～38.5at％In(1114℃),～64.5at％In(1010℃)以及100at％
本文介绍应用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究60％形变铁等时退火各阶段中缺陷的恢复行为,实验结果说明正电子湮没平均寿命τ及多普勒加宽的S参数都是退火温度的函数,完整晶体中湮没寿命τf=111±lPS,缺陷中湮没寿命τd=162±lps,本文还根据捕获模型计算了正电子的捕获速率及τ1,结果证明与理论预期的完全一致,经计算得出捕获正电于的相对缺陷浓度的范围为10-7-10-4数量级。
本文介绍应用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究60％形变铁等时退火各阶段中缺陷的恢复行为,实验结果说明正电子湮没平均寿命τ及多普勒加宽的S参数都是退火温度的函数,完整晶体中湮没寿命τf=111±lPS,缺陷中湮没寿命τd=162±lps,本文还根据捕获模型计算了正电子的捕获速率及τ1,结果证明与理论预期的完全一致,经计算得出捕获正电于的相对缺陷浓度的范围为10-7-10-4数量级。
对于含有重原子的晶体,如果重原子具有赝对称性,这将导致轻原子位置的多重解,本文针对中心对称情况,分析了由重原子引起的多重解问题,为阐明多解型分量关系式解决多解问题的能力,我们选择了一已知结构的四解问题。结果表明:多解型分量关系式是解决多重解问题的一种行之有效的方法。
对于含有重原子的晶体,如果重原子具有赝对称性,这将导致轻原子位置的多重解,本文针对中心对称情况,分析了由重原子引起的多重解问题,为阐明多解型分量关系式解决多解问题的能力,我们选择了一已知结构的四解问题。结果表明:多解型分量关系式是解决多重解问题的一种行之有效的方法。
由测量自然晶面的反射率,提出钇铁石榴石单晶折射率色散数据,使用Sellimeier三振子和幂级数表达式分析了实验结果,在0.5至5.5μm波长范围内,测量值与计算值的偏差约为3×10-3。
由测量自然晶面的反射率,提出钇铁石榴石单晶折射率色散数据,使用Sellimeier三振子和幂级数表达式分析了实验结果,在0.5至5.5μm波长范围内,测量值与计算值的偏差约为3×10-3。