应用Patterson法求解含有重原子的晶体结构时,时常由于重原子具有了高于整个结构的赝对称性而导致轻原子位置的多解(双解、四解乃至八解)。而轻原子位置的多解,在衍射空间中则表现为一定数量的衍射结构振幅分量符号的不确定问题。本文分析了低级晶系(三斜、单斜与正交晶系)所属的74个空间群,对于一个结构不对称单位中含有一个重原子的情况,获得了导致轻原子多解的重原子可能位置、赝对称性、轻原子多解形式、衍射结构振幅分量的分布规律以及应用直接法解决这类问题的具体途径。
应用Patterson法求解含有重原子的晶体结构时,时常由于重原子具有了高于整个结构的赝对称性而导致轻原子位置的多解(双解、四解乃至八解)。而轻原子位置的多解,在衍射空间中则表现为一定数量的衍射结构振幅分量符号的不确定问题。本文分析了低级晶系(三斜、单斜与正交晶系)所属的74个空间群,对于一个结构不对称单位中含有一个重原子的情况,获得了导致轻原子多解的重原子可能位置、赝对称性、轻原子多解形式、衍射结构振幅分量的分布规律以及应用直接法解决这类问题的具体途径。
本文主要用X射线粉末衍射法,配合着差热分析,研究了Co-Ga二元系的平衡关系。这个系统在室温除Ga与γ-Co外,存在着α′,β和φ三个相。α′相是以面心立方为基的超结构相,可以看作是Ga溶于α-Co中,而使α-Co得在常温稳定存在的相。α′相在室温的均匀范围为2.4—10.7at.％Ga。β相于1177℃由α′+Lβ包晶反应所形成,是CsCI型结构,在常温的均匀范围为36.3—59.8at.％Ga。单相区内点阵常数随成份的变迁在47.5at.％Ga处有一最大值,这与Al-Ni二元系中的β相很相似,在这个最大值左边的富Co区域是替代式固溶体,而在最大值右边的富Ga区域,则是缺陷式固溶体。ψ相的均匀范围很窄,仅存在于75at.％Ga附近。它属于四方晶系,空间群为D4h14-P42/mnm,晶胞内含4个化合式量CoGa3,在20℃和75.4at.％Ga处的点阵常数为:a=6.2365?,c=6.4347?,c/a=1.0318。它是由包晶反应β+L←→ψ所形成的,反应温度为833℃。无论Ga在γ-Co中,或Co在Ga中都不存在可以观察得到的固溶度。从CoGa3到Ga,存在着一条27℃的共晶等温线,共晶点非常接近纯Ga。
本文主要用X射线粉末衍射法,配合着差热分析,研究了Co-Ga二元系的平衡关系。这个系统在室温除Ga与γ-Co外,存在着α′,β和φ三个相。α′相是以面心立方为基的超结构相,可以看作是Ga溶于α-Co中,而使α-Co得在常温稳定存在的相。α′相在室温的均匀范围为2.4—10.7at.％Ga。β相于1177℃由α′+Lβ包晶反应所形成,是CsCI型结构,在常温的均匀范围为36.3—59.8at.％Ga。单相区内点阵常数随成份的变迁在47.5at.％Ga处有一最大值,这与Al-Ni二元系中的β相很相似,在这个最大值左边的富Co区域是替代式固溶体,而在最大值右边的富Ga区域,则是缺陷式固溶体。ψ相的均匀范围很窄,仅存在于75at.％Ga附近。它属于四方晶系,空间群为D4h14-P42/mnm,晶胞内含4个化合式量CoGa3,在20℃和75.4at.％Ga处的点阵常数为:a=6.2365?,c=6.4347?,c/a=1.0318。它是由包晶反应β+L←→ψ所形成的,反应温度为833℃。无论Ga在γ-Co中,或Co在Ga中都不存在可以观察得到的固溶度。从CoGa3到Ga,存在着一条27℃的共晶等温线,共晶点非常接近纯Ga。
本文提出了一个杂质沉淀引起位错生成、位错-杂质相互作用、杂质原子沿晶粒间界快速扩散的模型,用以解释高剂量离子注入形成的非晶层在重新结晶的退火过程中杂质外扩散和缺陷运动现象。给出了在位错的合应力场的影响下杂质的扩散方程。以能量为80keV,剂量为1016cm-2的Pb+注入Si(111)面为例,对扩散方程进行了数学物理处理,从而给出了根据实验测量推演表观扩散系数随时间变化及位错的合应力场对杂质的作用力的纵向分布的方法。实验测得的位错合应力场对杂质的作用系数α≈8.4×10-28dyn·cm3,退火时间在5×103sec至8.25×103sec内,表观扩散系数D随时间的变化为一指数关系。
本文提出了一个杂质沉淀引起位错生成、位错-杂质相互作用、杂质原子沿晶粒间界快速扩散的模型,用以解释高剂量离子注入形成的非晶层在重新结晶的退火过程中杂质外扩散和缺陷运动现象。给出了在位错的合应力场的影响下杂质的扩散方程。以能量为80keV,剂量为1016cm-2的Pb+注入Si(111)面为例,对扩散方程进行了数学物理处理,从而给出了根据实验测量推演表观扩散系数随时间变化及位错的合应力场对杂质的作用力的纵向分布的方法。实验测得的位错合应力场对杂质的作用系数α≈8.4×10-28dyn·cm3,退火时间在5×103sec至8.25×103sec内,表观扩散系数D随时间的变化为一指数关系。
托卡马克是一种产生高温环形等离子体的聚变实验装置,也是一类复杂的现代化的电物理装备。CT-6是我国首先投入运行的小型托卡马克装置,其主要参数为:大半径45cm;小半径9.2cm;环向磁场2TL;等离子电流30kA;经过调试阶段,达到了预期目标,产生了平衡、稳定的电子温度为250eV左右的环形高温等离子体。CT-6由电磁系统(包括环向场、涡旋场、平衡场)、超高真空系统(包括环形真空室和抽气机组)、电源控制系统和诊断测量系统等部份组成,它是由中国科学院物理研究所、电工研究所及其他许多单位协作研制成功的。本文描述CT-6装置的设计、结构、工程研制和调试过程,以及有关的试验结果。
托卡马克是一种产生高温环形等离子体的聚变实验装置,也是一类复杂的现代化的电物理装备。CT-6是我国首先投入运行的小型托卡马克装置,其主要参数为:大半径45cm;小半径9.2cm;环向磁场2TL;等离子电流30kA;经过调试阶段,达到了预期目标,产生了平衡、稳定的电子温度为250eV左右的环形高温等离子体。CT-6由电磁系统(包括环向场、涡旋场、平衡场)、超高真空系统(包括环形真空室和抽气机组)、电源控制系统和诊断测量系统等部份组成,它是由中国科学院物理研究所、电工研究所及其他许多单位协作研制成功的。本文描述CT-6装置的设计、结构、工程研制和调试过程,以及有关的试验结果。
本文报道在有机溶液(CH3)2SO中,用宽带5314埃激光泵浦,得到强6296埃斯托克斯相干受激喇曼辐射的实验。在中等泵浦功率密度下,受激喇曼斯托克斯辐射前向波能量转换效率达38％,观察到了后向斯托克斯受激辐射,后向波强度是前向散射波强度的80％,测量了前向散射的增益为2.5×10-3厘米/兆瓦,测量了前向、后向散射光束的空间分布。论证了后向散射光束方向性的改善。
本文报道在有机溶液(CH3)2SO中,用宽带5314埃激光泵浦,得到强6296埃斯托克斯相干受激喇曼辐射的实验。在中等泵浦功率密度下,受激喇曼斯托克斯辐射前向波能量转换效率达38％,观察到了后向斯托克斯受激辐射,后向波强度是前向散射波强度的80％,测量了前向散射的增益为2.5×10-3厘米/兆瓦,测量了前向、后向散射光束的空间分布。论证了后向散射光束方向性的改善。
本文对几种常用棒轴的热致双折射和传输系数进行了理论计算,并用实验测定了传输系数与偏振器角度的关系以及偏振器与输出功率的关系。理论与实验相符。结果表明,在采用上述几种石榴石棒时,只要依据我们所给出的取向关系并适当放置偏振器,就可以获得最佳的偏振输出。
本文对几种常用棒轴的热致双折射和传输系数进行了理论计算,并用实验测定了传输系数与偏振器角度的关系以及偏振器与输出功率的关系。理论与实验相符。结果表明,在采用上述几种石榴石棒时,只要依据我们所给出的取向关系并适当放置偏振器,就可以获得最佳的偏振输出。
在光谱的可见和近红外区域内系统地研究了无水NdCl3和无水PrCl3(含0.1％NdCl3)单晶体中Nd3+的吸收光谱。其吸收光谱线群的结构与含2％NdCl3的无水LaCl3单晶体中的Nd3+的吸收光谱一样,只是所有相应的吸收光谱线群有一个向光谱长波端的整体移位。相应上子能级间的移位(相对于基态)与单晶体原胞长度c0成正比(见图3)。
在光谱的可见和近红外区域内系统地研究了无水NdCl3和无水PrCl3(含0.1％NdCl3)单晶体中Nd3+的吸收光谱。其吸收光谱线群的结构与含2％NdCl3的无水LaCl3单晶体中的Nd3+的吸收光谱一样,只是所有相应的吸收光谱线群有一个向光谱长波端的整体移位。相应上子能级间的移位(相对于基态)与单晶体原胞长度c0成正比(见图3)。
本文计及离子晶格的原子结构,用紧束缚法导出了极化子的自陷能和有效质量,给出了有效质量与温度的关系。
本文计及离子晶格的原子结构,用紧束缚法导出了极化子的自陷能和有效质量,给出了有效质量与温度的关系。
在有时空结构的非平衡定常态上,由于对称性的自发破缺,形成非零能、带耗散的Goldstone模。本文以么模激光的饱和状态为例,从普遍的相位对称性出发,应用闭路格林函数中的Ward-Takahashi恒等式,具体地导出了这种带耗散的推广的Goldstone定理的一个形式,讨论了相应的Goldstone模式的物理意义。求得了饱和状态光量子态的分裂。具体给出了状态从相位有序→相位无序的转化规律,从而给自发破缺的对称性的恢复一个具体的描述。
在有时空结构的非平衡定常态上,由于对称性的自发破缺,形成非零能、带耗散的Goldstone模。本文以么模激光的饱和状态为例,从普遍的相位对称性出发,应用闭路格林函数中的Ward-Takahashi恒等式,具体地导出了这种带耗散的推广的Goldstone定理的一个形式,讨论了相应的Goldstone模式的物理意义。求得了饱和状态光量子态的分裂。具体给出了状态从相位有序→相位无序的转化规律,从而给自发破缺的对称性的恢复一个具体的描述。
本文讨论具有四次幂交换作用的Heisenberg铁磁体,用Малеев玻色变换,在低温区建立〈Siz〉的严格展式,正确地包括了动力学相互作用和运动学相互作用,得到自旋波谱和自发磁化的正确温度依赖关系。
本文讨论具有四次幂交换作用的Heisenberg铁磁体,用Малеев玻色变换,在低温区建立〈Siz〉的严格展式,正确地包括了动力学相互作用和运动学相互作用,得到自旋波谱和自发磁化的正确温度依赖关系。
本文提出一种能用同一样品测定共振区和非共振区的微波张量磁化率和有效线宽的方法。在此方法中,将外加稳恒磁场旋转,与微波磁场形成一定的夹角,以调整被测样品对谐振腔的影响。同时将Patton采用的计算有效线宽的迭代法,推广用来计算微波张量磁化率各组元Xe,Xαe和正。负圆偏振标量磁化率X±e等。本文还介绍了测量装置和测量结果。
本文提出一种能用同一样品测定共振区和非共振区的微波张量磁化率和有效线宽的方法。在此方法中,将外加稳恒磁场旋转,与微波磁场形成一定的夹角,以调整被测样品对谐振腔的影响。同时将Patton采用的计算有效线宽的迭代法,推广用来计算微波张量磁化率各组元Xe,Xαe和正。负圆偏振标量磁化率X±e等。本文还介绍了测量装置和测量结果。
应用50％HCl作为浸蚀剂,对助熔法生长的PbFe12O19单晶体的(0001)解理面进行了浸蚀,以显示位错蚀斑。根据蚀斑所具有的形态,将其进行了分类,并确定了各自对应的位错类型。应用Mathews等人提出的机制,解释了在(0001)基面上所观察到的位错蚀斑阵列。
应用50％HCl作为浸蚀剂,对助熔法生长的PbFe12O19单晶体的(0001)解理面进行了浸蚀,以显示位错蚀斑。根据蚀斑所具有的形态,将其进行了分类,并确定了各自对应的位错类型。应用Mathews等人提出的机制,解释了在(0001)基面上所观察到的位错蚀斑阵列。
本文严格证明了各向同性高次幂海森堡模型在一维和二维的情况下不出现长程序。
本文严格证明了各向同性高次幂海森堡模型在一维和二维的情况下不出现长程序。
本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li+离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σb≤σa≤σc≤σ[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×10-2Ω-1·cm-1增加到1.25×10-1Ω-1·cm-1,logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在～80℃,～140℃和～300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(～80—140℃),0.64eV(～140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。
本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li+离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σb≤σa≤σc≤σ[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×10-2Ω-1·cm-1增加到1.25×10-1Ω-1·cm-1,logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在～80℃,～140℃和～300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(～80—140℃),0.64eV(～140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。
本文在文献[1,3]讨论荷电静态和球对称度规下的引力质量亏损的基础上进一步讨论电荷守恒的情况。并计算了亏损以后的质量M随初始质量M0、荷质比α和半径γ的各种变化曲线。
本文在文献[1,3]讨论荷电静态和球对称度规下的引力质量亏损的基础上进一步讨论电荷守恒的情况。并计算了亏损以后的质量M随初始质量M0、荷质比α和半径γ的各种变化曲线。
我们建立了椭圆偏振光谱仪装置,提出一种较简便的测定方法(测Imax,Imin,θmin,算(ψ,Δ)-λ),并对具有不同厚度氧化硅膜的硅样品进行了测量。还在理论上计算了光谱曲线,与实验结果基本相符。最后,对比了测定膜厚的偏振光谱法与消光法。
我们建立了椭圆偏振光谱仪装置,提出一种较简便的测定方法(测Imax,Imin,θmin,算(ψ,Δ)-λ),并对具有不同厚度氧化硅膜的硅样品进行了测量。还在理论上计算了光谱曲线,与实验结果基本相符。最后,对比了测定膜厚的偏振光谱法与消光法。