本文叙述了一种在德拜-谢乐照相中测定流移常数的图解法,并讨论了测定点阵间隔的各种方法。用作者所建议的方法,点阵间隔测定的准确度可达五十万分之一。
本文叙述了一种在德拜-谢乐照相中测定流移常数的图解法,并讨论了测定点阵间隔的各种方法。用作者所建议的方法,点阵间隔测定的准确度可达五十万分之一。
本文描述硅光电池绝对单色灵敏度的校准方法,并用于测量0.4μm到1.1μm光谱范围内微小辐射功率、辐照度、辐射强度及发光器件外量子效率等辐射物理量。其灵敏度比热电堆高三个数量级。配合使用积分球装置,对光源的空间不均匀分布辐射功率的测定相当简便,测量范围从6.3nW到310mW。实验测定了最大光谱光效能Km值,并讨论辐射度学及光度学两种测量系统的准确性问题。最后对发光器件光学参数的测量结果进行校验。
本文描述硅光电池绝对单色灵敏度的校准方法,并用于测量0.4μm到1.1μm光谱范围内微小辐射功率、辐照度、辐射强度及发光器件外量子效率等辐射物理量。其灵敏度比热电堆高三个数量级。配合使用积分球装置,对光源的空间不均匀分布辐射功率的测定相当简便,测量范围从6.3nW到310mW。实验测定了最大光谱光效能Km值,并讨论辐射度学及光度学两种测量系统的准确性问题。最后对发光器件光学参数的测量结果进行校验。
本文分析了积分球出光窗上照度分布的均匀性,得到了由积分球几何参数所决定的分布函数,在此基础之上进而讨论了等照度圆的存在条件和盲区的计算等问题。
本文分析了积分球出光窗上照度分布的均匀性,得到了由积分球几何参数所决定的分布函数,在此基础之上进而讨论了等照度圆的存在条件和盲区的计算等问题。
本文报道在叶绿素溶液中用简并的四波混频得到位相复共轭后向反射波的首次实验。实验表明,转换效率在作用长度为5毫米时达22％,这是一种高效率的四能级系统。在泵浦波强度恒定的情况下,入射物波强度与复共轭反射波强度成线性关系。研究了后向反射波的位相复共轭特性。在有畸变(相位和振幅的)介质存在时,由于这种位相复共轭特性仍能获得金属丝网格高质量的再现象。
本文报道在叶绿素溶液中用简并的四波混频得到位相复共轭后向反射波的首次实验。实验表明,转换效率在作用长度为5毫米时达22％,这是一种高效率的四能级系统。在泵浦波强度恒定的情况下,入射物波强度与复共轭反射波强度成线性关系。研究了后向反射波的位相复共轭特性。在有畸变(相位和振幅的)介质存在时,由于这种位相复共轭特性仍能获得金属丝网格高质量的再现象。
根据等离子体动力论,分析了在磁化等离子体中逃逸电子的临界速度,并在托卡马克参数下作了数值计算。计算表明,有磁场时,逃逸电子所受到的摩擦力,在纵向速度较大时比无磁场时的为大,这相应于逃逸电子临界速度的提高,因而高能的逃逸电子也较难产生。当磁场增大时,摩擦力略有减小。在纵向速度较高时,逃逸电子的横向速度分量对临界速度的影响较明显,横向速度越大,临界速度也越大。
根据等离子体动力论,分析了在磁化等离子体中逃逸电子的临界速度,并在托卡马克参数下作了数值计算。计算表明,有磁场时,逃逸电子所受到的摩擦力,在纵向速度较大时比无磁场时的为大,这相应于逃逸电子临界速度的提高,因而高能的逃逸电子也较难产生。当磁场增大时,摩擦力略有减小。在纵向速度较高时,逃逸电子的横向速度分量对临界速度的影响较明显,横向速度越大,临界速度也越大。
本文讨论α粒子在聚变堆中的分布。将α粒子分为高能的和热化的两部分,并引用慢化密度概念,得到了α粒子分布函数所满足的慢化-扩散方程组。对于典型的托卡马克聚变堆参数,在简化的条件下解析地求解了方程组,得到了α粒子的分布和自加热率。最后,比较了用不同扩散系数的计算结果。
本文讨论α粒子在聚变堆中的分布。将α粒子分为高能的和热化的两部分,并引用慢化密度概念,得到了α粒子分布函数所满足的慢化-扩散方程组。对于典型的托卡马克聚变堆参数,在简化的条件下解析地求解了方程组,得到了α粒子的分布和自加热率。最后,比较了用不同扩散系数的计算结果。
本文讨论了由环形电场和非均匀磁场形成的重叠场的离子光学问题。运用变分原理(费马原理)给出离子轨迹方程,分析了这种普遍的重叠场作为质谱分析器的离子光学性质及其二级象差。本文的结果和公式对于文献上关于二级象差的理论作了进一步的概括与推广,因而具有普遍性。这对于设计与研究重叠场质谱分析器具有一定的意义。
本文讨论了由环形电场和非均匀磁场形成的重叠场的离子光学问题。运用变分原理(费马原理)给出离子轨迹方程,分析了这种普遍的重叠场作为质谱分析器的离子光学性质及其二级象差。本文的结果和公式对于文献上关于二级象差的理论作了进一步的概括与推广,因而具有普遍性。这对于设计与研究重叠场质谱分析器具有一定的意义。
利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。
利用X射线投影貌相术观察和分析了硅蹼中的位错和层错。在生长态硅蹼中,除观察到柏氏矢量为1/2的刃型、螺型与60°全位错以及柏氏矢量为1/6的Shockley刃型半位错外,还观察到平行于硅蹼表面的大面积层错和蹼中的60°,30°Shockley半位错。位错在热处理过程中运动并发生位错反应形成近六角形的位错网络。热处理改变生长态硅蹼中层错的组态和衬度,并由于杂质聚集破坏了Shockley半位错的消象法则。还观察到层错象中的位错。对所观察的结果都分别作了分析和简要的讨论。
在改装了的拉力试验机上测量了纯铁在范性形变过程中的内耗。研究了拉伸速率(在0.73×10-6-50×10-6/秒范围内)、测量频率(在0.3—3.6/秒范围内)、应变退火及含碳量等对纯铁范性形变过程中内耗的影响。所得结果表明,在屈服平台上,范性形变过程中内耗基本不变,且其值随范性形变速率的增加和测量频率倒数的增加而线性增加。将实验结果与范性形变过程内耗的位错动力学模型所得出的定量关系式进行了对比,得到了满意的符合。求得了退火纯铁在屈服平台上的位错动力学指数为10
在改装了的拉力试验机上测量了纯铁在范性形变过程中的内耗。研究了拉伸速率(在0.73×10-6-50×10-6/秒范围内)、测量频率(在0.3—3.6/秒范围内)、应变退火及含碳量等对纯铁范性形变过程中内耗的影响。所得结果表明,在屈服平台上,范性形变过程中内耗基本不变,且其值随范性形变速率的增加和测量频率倒数的增加而线性增加。将实验结果与范性形变过程内耗的位错动力学模型所得出的定量关系式进行了对比,得到了满意的符合。求得了退火纯铁在屈服平台上的位错动力学指数为10
本文探讨了现有量子场论和量子化复合场论之间的内在联系。发现在梯形近似下,它们是自洽并有内在联系的;但在更一般的非梯形近似的情况下,这种内在联系并未找到。
本文探讨了现有量子场论和量子化复合场论之间的内在联系。发现在梯形近似下,它们是自洽并有内在联系的;但在更一般的非梯形近似的情况下,这种内在联系并未找到。
用X射线透射扫描形貌方法观察了直拉法生长LiNbO3晶体中各种类型点阵缺陷,诸如铁电畴壁、生长层、位错、亚晶界和胞状组织等;用不同衍射矢量对[001]和[210]方向生长的晶体的形貌消象规律,结合X射线铁电异常散射效应和光学显微观察,讨论了晶体中180°铁电畴和生长层的衬度及其分布,并研究了LiNbO3晶体中180°畴壁形成及其相互关系。
用X射线透射扫描形貌方法观察了直拉法生长LiNbO3晶体中各种类型点阵缺陷,诸如铁电畴壁、生长层、位错、亚晶界和胞状组织等;用不同衍射矢量对[001]和[210]方向生长的晶体的形貌消象规律,结合X射线铁电异常散射效应和光学显微观察,讨论了晶体中180°铁电畴和生长层的衬度及其分布,并研究了LiNbO3晶体中180°畴壁形成及其相互关系。
用校正的Rensch差分法计算了Gerry的GDL器件中的场分布,结果与Rensch的计算很好地相符,并已将它用于较广的耦合度范围。因而,为什么不稳定腔输出功率只有稳定腔的一半的问题能更确切地解释为所用耦合度远大于最佳值。
用校正的Rensch差分法计算了Gerry的GDL器件中的场分布,结果与Rensch的计算很好地相符,并已将它用于较广的耦合度范围。因而,为什么不稳定腔输出功率只有稳定腔的一半的问题能更确切地解释为所用耦合度远大于最佳值。
实验证明,温度下降,受激发射阈值电流下降,进入一个饱和区。这与Hwang在300—10K间的观察结果一致。但尔后又继续上升。我们认为这起因于载流子的泄漏。当温度在6—2.8K间阈值电流、结电压、动态电阻呈现规律性的结构。如果假设发生了电子-空穴凝聚,可用朗道相图作定性说明,但也可能起因于杂质能带。
实验证明,温度下降,受激发射阈值电流下降,进入一个饱和区。这与Hwang在300—10K间的观察结果一致。但尔后又继续上升。我们认为这起因于载流子的泄漏。当温度在6—2.8K间阈值电流、结电压、动态电阻呈现规律性的结构。如果假设发生了电子-空穴凝聚,可用朗道相图作定性说明,但也可能起因于杂质能带。
用新的溶剂变更法生长TGS单晶,即在TGS水溶液中缓慢加入无水乙醇而使TGS结晶析出。测量了这种方法生长的单晶的电滞迴线、介电常数和热电系数。测量结果表明,与降温法生长的单晶的性能是相同的。
用新的溶剂变更法生长TGS单晶,即在TGS水溶液中缓慢加入无水乙醇而使TGS结晶析出。测量了这种方法生长的单晶的电滞迴线、介电常数和热电系数。测量结果表明,与降温法生长的单晶的性能是相同的。
原则上,激光腔中相干光的强度应由往返光束按场强叠加计算。本文比较按场强叠加和通常按光强叠加的计算,指出:腔中各处的饱和增益和光强确有可观的偏差,但场分布和输出功率很好地相符。
原则上,激光腔中相干光的强度应由往返光束按场强叠加计算。本文比较按场强叠加和通常按光强叠加的计算,指出:腔中各处的饱和增益和光强确有可观的偏差,但场分布和输出功率很好地相符。
在统一引力和电磁的五维U1主丛理论(它可视为Kaluza-Klein理论的一种新表述)中,闭合的且类空的第五维的半径被定出为Plank长度的2α-1/2倍(α为精细结构常数)。这解释了第五维为什么难以直接观测到。
在统一引力和电磁的五维U1主丛理论(它可视为Kaluza-Klein理论的一种新表述)中,闭合的且类空的第五维的半径被定出为Plank长度的2α-1/2倍(α为精细结构常数)。这解释了第五维为什么难以直接观测到。
本文从实验上验证了用热力学方法处理TGS晶体内偏置电场的正确性。分析了纯TGS晶体辐照改性与LATGS晶体的Eb-T关系有所区别的原因。文中还讨论了辐照改性的退化问题。
本文从实验上验证了用热力学方法处理TGS晶体内偏置电场的正确性。分析了纯TGS晶体辐照改性与LATGS晶体的Eb-T关系有所区别的原因。文中还讨论了辐照改性的退化问题。
用非共线自相关SHG方法测量了Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲宽度。非线性晶体ADP的取向是使仅在两束光都存在时才有位相匹配的SHG。两束寻常光之间的夹角在晶体中是20°50′。SHG出现在它们的角分线方向上;倍频输出是非寻常光。所测得的自相关函数的宽度对应着Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲宽度为24ps。
用非共线自相关SHG方法测量了Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲宽度。非线性晶体ADP的取向是使仅在两束光都存在时才有位相匹配的SHG。两束寻常光之间的夹角在晶体中是20°50′。SHG出现在它们的角分线方向上;倍频输出是非寻常光。所测得的自相关函数的宽度对应着Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲宽度为24ps。