本文用矩阵及数论分析方法给出了重位点阵的两种新的解法。在此基础上对相重阵点判别式进行归并,使有重位点阵关系两相复合点阵问题的处理大为简化。证明了整个立方晶系的自重合问题,绝大多数非立方晶系的自重合问题以及一部分互重合问题,都可以通过判别式的归并得以简化。
本文用矩阵及数论分析方法给出了重位点阵的两种新的解法。在此基础上对相重阵点判别式进行归并,使有重位点阵关系两相复合点阵问题的处理大为简化。证明了整个立方晶系的自重合问题,绝大多数非立方晶系的自重合问题以及一部分互重合问题,都可以通过判别式的归并得以简化。
本文用数论分析方法,给出有重位点阵关系两相空间点阵及其点阵平面重合系数求法的普遍而简便的公式。空间点阵的重合系数α2(3)=1/|C(1)|,点阵平面的重合系数α2(h)= (H(2)C(1)/|C(1)|, C(1)为重位点阵基矢对应矩阵,H(2)=[h1(2)h2(2)h3(2)].在C(1)未知的情况下,空间点阵及其点阵平面的重合系数可以通过两相基矢有理对应矩阵φ及重合系数矩阵C来求,这时α2(3)= k1(2)k2(2)/d3, α2(h)=(CH(2),dk1(2))/d2.求矩阵C比求矩阵C(1)要方便得多。
本文用数论分析方法,给出有重位点阵关系两相空间点阵及其点阵平面重合系数求法的普遍而简便的公式。空间点阵的重合系数α2(3)=1/|C(1)|,点阵平面的重合系数α2(h)= (H(2)C(1)/|C(1)|, C(1)为重位点阵基矢对应矩阵,H(2)=[h1(2)h2(2)h3(2)].在C(1)未知的情况下,空间点阵及其点阵平面的重合系数可以通过两相基矢有理对应矩阵φ及重合系数矩阵C来求,这时α2(3)= k1(2)k2(2)/d3, α2(h)=(CH(2),dk1(2))/d2.求矩阵C比求矩阵C(1)要方便得多。
本文测出了金镉(Au-Cd)合金在正反马氏体相变过程的低频内耗峰,内耗极大值与变温速率有线性关系,但比Fe-Mn等非热弹性马氏体相变内耗的速率依赖要小得多,稳定内耗峰(变温速率为零)在每一温度的内耗值与频率无关,是静滞型损耗。内耗峰高与马氏体晶粒尺寸有关。等温转变过程也出现一个内耗-时间峰。根据以上诸实验事实,我们认为,低频马氏体相变内耗是由那些在振动应力作用下可以运动的相界面所引起的。
本文测出了金镉(Au-Cd)合金在正反马氏体相变过程的低频内耗峰,内耗极大值与变温速率有线性关系,但比Fe-Mn等非热弹性马氏体相变内耗的速率依赖要小得多,稳定内耗峰(变温速率为零)在每一温度的内耗值与频率无关,是静滞型损耗。内耗峰高与马氏体晶粒尺寸有关。等温转变过程也出现一个内耗-时间峰。根据以上诸实验事实,我们认为,低频马氏体相变内耗是由那些在振动应力作用下可以运动的相界面所引起的。
铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ2, γ′, δ, ζ1, ζ2, η2, θ, θ′,α铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ1, α+ γ2, α + γ′, γ2 + γ′, γ′+ ζ1, γ2+δ, γ′+δ,δ +ζ2, ζ2+η2, η2+θ,η2+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ1, α+ γ2+ γ′, γ2+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ2+θ′, ζ2 + η2 + θ′, η2+ θ′ + 镓, η2 +θ + 镓和θ +镓+ α铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。
铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ2, γ′, δ, ζ1, ζ2, η2, θ, θ′,α铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ1, α+ γ2, α + γ′, γ2 + γ′, γ′+ ζ1, γ2+δ, γ′+δ,δ +ζ2, ζ2+η2, η2+θ,η2+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ1, α+ γ2+ γ′, γ2+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ2+θ′, ζ2 + η2 + θ′, η2+ θ′ + 镓, η2 +θ + 镓和θ +镓+ α铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。
本文叙述了标定德拜-谢乐照相指数的一个新图解法。利用三条低角度衍射线的sin2θ值和该晶体的密度,在A-C空间画一系列条件直线及等原子曲线。三条条件直线和一条等原子曲线的交点直接决定了晶胞的大小和晶胞内所含的原子数或位形单位数。这个方法可应用于四方晶系和六角晶系。
本文叙述了标定德拜-谢乐照相指数的一个新图解法。利用三条低角度衍射线的sin2θ值和该晶体的密度,在A-C空间画一系列条件直线及等原子曲线。三条条件直线和一条等原子曲线的交点直接决定了晶胞的大小和晶胞内所含的原子数或位形单位数。这个方法可应用于四方晶系和六角晶系。
本文讨论了Y2O3-Fe2O3-Bi2O3-PbO·0.2B2O3赝四元系相图的得出与运用;用Bi2O3-PbO-B2O3做助熔剂,获得了磁性石榴石Y3-xBixFe5O12单晶(0≤x≤1.2);还论述了Bi-YIG晶体内Bi含量与助熔剂熔液成份的关系。
本文讨论了Y2O3-Fe2O3-Bi2O3-PbO·0.2B2O3赝四元系相图的得出与运用;用Bi2O3-PbO-B2O3做助熔剂,获得了磁性石榴石Y3-xBixFe5O12单晶(0≤x≤1.2);还论述了Bi-YIG晶体内Bi含量与助熔剂熔液成份的关系。
本文进一步分析了Q近似的物理内容和它所反映的格点L封闭图形数目。用反倒(“蚊香”图)说明三维情况下不存在足以正确反映图形数目的转角映象。
本文进一步分析了Q近似的物理内容和它所反映的格点L封闭图形数目。用反倒(“蚊香”图)说明三维情况下不存在足以正确反映图形数目的转角映象。
首先在前文的基础上,对于用激光根据“光核、光带比”(D2/D1)来测定磨削工件表面光洁度的原理加以系统总结,然后按照经验关系Rx=5Ra(对于▽7以上光洁度),确定了表面随机高度的概率密度函数中的衰减系数。对于有限负指数型函数P1(h)={e(-b(|h|/hm)) 当|h|≤hm; 0 当|h|>hm, 定出b=1.23,对于正则型函数P2(h)=e(-a2(h/hm)2) 定出a2=2.分别讨论了以上两种函数中hm的物理意义(皆对应于1/2Rz)将前文中公式加以精确改进后,对P1(h)和P2(h)分别计算了D2/D1与Rx的关系曲线,即绝对定标曲线。最后还计算了衍射图样半强度宽与Rx的关系曲线。
首先在前文的基础上,对于用激光根据“光核、光带比”(D2/D1)来测定磨削工件表面光洁度的原理加以系统总结,然后按照经验关系Rx=5Ra(对于▽7以上光洁度),确定了表面随机高度的概率密度函数中的衰减系数。对于有限负指数型函数P1(h)={e(-b(|h|/hm)) 当|h|≤hm; 0 当|h|>hm, 定出b=1.23,对于正则型函数P2(h)=e(-a2(h/hm)2) 定出a2=2.分别讨论了以上两种函数中hm的物理意义(皆对应于1/2Rz)将前文中公式加以精确改进后,对P1(h)和P2(h)分别计算了D2/D1与Rx的关系曲线,即绝对定标曲线。最后还计算了衍射图样半强度宽与Rx的关系曲线。
本文提出在金属-非线性晶体界面上实现表面波差频产生远红外辐射的方案。具体地计算了在非共线匹配情况下Al-GaAs界面上远红外辐射的功率。计算中考虑了各介电常数的虚部。
本文提出在金属-非线性晶体界面上实现表面波差频产生远红外辐射的方案。具体地计算了在非共线匹配情况下Al-GaAs界面上远红外辐射的功率。计算中考虑了各介电常数的虚部。
本文提出一种新型的高效激光调频方法——自注入调频放大原理。可将调频元件对激光输出功率的影响降到最小,即可能使调频效率接近于1。提供了用一台激光振荡器同时获得高功率、窄带宽输出的可能性。并给出了理论和实验结果。
本文提出一种新型的高效激光调频方法——自注入调频放大原理。可将调频元件对激光输出功率的影响降到最小,即可能使调频效率接近于1。提供了用一台激光振荡器同时获得高功率、窄带宽输出的可能性。并给出了理论和实验结果。
考虑了Si(111)和Ge(111)面吸附Cl的几何构形,本文采用集团模型,用电荷自洽的EHMO方法,对Si(111)和Ge(111)面,分别用能量极小的原则,确定了Cl的化学吸附位置。计算结果表明,对于Si(111)面,Cl是在顶位被吸附,形成共价结合,与实验结果一致。对于Ge(111)面,计算表明在顶位和三度开位上都能吸附Cl,与以前结论有一些不同,但本文认为偏振光电子谱的实验结果并不能完全排除Cl在Ge(111)面上顶位吸附的可能性。希望有其他实验能对Cl在Ge(111)面上的吸附作进一步的观察。此外,还计算了Cl在Si(111)面顶位上的吸附和它在Ge(111)面三度开位上的吸附时的状态密度,和实验结果进行了比较,相符甚好。
考虑了Si(111)和Ge(111)面吸附Cl的几何构形,本文采用集团模型,用电荷自洽的EHMO方法,对Si(111)和Ge(111)面,分别用能量极小的原则,确定了Cl的化学吸附位置。计算结果表明,对于Si(111)面,Cl是在顶位被吸附,形成共价结合,与实验结果一致。对于Ge(111)面,计算表明在顶位和三度开位上都能吸附Cl,与以前结论有一些不同,但本文认为偏振光电子谱的实验结果并不能完全排除Cl在Ge(111)面上顶位吸附的可能性。希望有其他实验能对Cl在Ge(111)面上的吸附作进一步的观察。此外,还计算了Cl在Si(111)面顶位上的吸附和它在Ge(111)面三度开位上的吸附时的状态密度,和实验结果进行了比较,相符甚好。
本文用OS模型研究了当组成Josephson隧道结的一个超导膜处于非平衡态时,Josephson电流的Harris奇点的变化。
本文用OS模型研究了当组成Josephson隧道结的一个超导膜处于非平衡态时,Josephson电流的Harris奇点的变化。
本文从波动光学出发,利用菲涅耳-基尔霍夫衍射公式研究了文献[1]中所描述的干涉现象,并导出了干涉图样的强度分布,得到了条纹极大值的位置,对干涉现象的物理图象作了说明。
本文从波动光学出发,利用菲涅耳-基尔霍夫衍射公式研究了文献[1]中所描述的干涉现象,并导出了干涉图样的强度分布,得到了条纹极大值的位置,对干涉现象的物理图象作了说明。
用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。
用电荷自洽的EHMO方法研究了Al在GaAs(110)面上的吸附问题。比较了两种吸附构型,从能量极小的观点定出了稳定的吸附应为Al取代表面Ga原子,使Ga落在表面As的悬挂键上。还计算了电荷转移、成键情况和状态密度。
在Kerr背景时空中求解Dirac方程是一个长期没有解决的问题。1976年Chandrasekhar成功地找到了Kerr背景时空中静止质量不为零的Dirac方程的退耦和分离变量的量子方程。本文在此基础上,在近似极端Kerr黑洞的事件视界附近找到了静止质量不为零的Dirac方程的解,并成功地导出了Hawking热谱公式,从而解决了Dirac粒子在Kerr黑洞的Hawking蒸发问题。
在Kerr背景时空中求解Dirac方程是一个长期没有解决的问题。1976年Chandrasekhar成功地找到了Kerr背景时空中静止质量不为零的Dirac方程的退耦和分离变量的量子方程。本文在此基础上,在近似极端Kerr黑洞的事件视界附近找到了静止质量不为零的Dirac方程的解,并成功地导出了Hawking热谱公式,从而解决了Dirac粒子在Kerr黑洞的Hawking蒸发问题。
基于本文作者在文献[1]中所导出的冷压Px,利用德拜固体模型并考虑电子的热压,得到了金属的高温高压状态方程。在与Hugoniot方程联立后,就能算出Hugoniot曲线。本文计算了五种简单金属的Hugoniot曲线。结果表明,在现有实验数据所能达到的范围内,理论计算与实验符合都比较好。
基于本文作者在文献[1]中所导出的冷压Px,利用德拜固体模型并考虑电子的热压,得到了金属的高温高压状态方程。在与Hugoniot方程联立后,就能算出Hugoniot曲线。本文计算了五种简单金属的Hugoniot曲线。结果表明,在现有实验数据所能达到的范围内,理论计算与实验符合都比较好。
本文研究用声光调Q-YAG激光器作为基波光源,测量了LiNbO3及BNN晶体中倍频光强-温度曲线。在生长层区,倍频曲线上往往出现双峰,同时有一一对应的NPM双光环出现。LiNbO3的双峰之一在极化处理后消失,本文对此峰的产生进行了分析。LiNbO3多畴层带区倍频光强比单畴区大10倍左右,实验表明此乃层带区180°畴的形成导致应力松弛的结果。
本文研究用声光调Q-YAG激光器作为基波光源,测量了LiNbO3及BNN晶体中倍频光强-温度曲线。在生长层区,倍频曲线上往往出现双峰,同时有一一对应的NPM双光环出现。LiNbO3的双峰之一在极化处理后消失,本文对此峰的产生进行了分析。LiNbO3多畴层带区倍频光强比单畴区大10倍左右,实验表明此乃层带区180°畴的形成导致应力松弛的结果。
本文对具有强旋光晶体锗酸铋(Bi12GeO20)进行了光双折射貌相的研究,发现采用反射偏光显微镜可以完全抵消晶体的自然旋光性并获得良好效果。观察了锗酸铋晶体中位错及亚晶界的双折射象。确定了位错的柏格斯矢量为1/2〈111〉,〈100〉及〈110〉。
本文对具有强旋光晶体锗酸铋(Bi12GeO20)进行了光双折射貌相的研究,发现采用反射偏光显微镜可以完全抵消晶体的自然旋光性并获得良好效果。观察了锗酸铋晶体中位错及亚晶界的双折射象。确定了位错的柏格斯矢量为1/2〈111〉,〈100〉及〈110〉。
本文提出了层状结构铁电陶瓷经热压后材料择优取向度的定义和X射线测定方法。只需测定任一或数条(00l)衍射线加压前后衍射强度比值,即可求出取向度。用含铋层优化合物pbBi4Ti4O15作为测定实例,证明了这一方法的适用性。
本文提出了层状结构铁电陶瓷经热压后材料择优取向度的定义和X射线测定方法。只需测定任一或数条(00l)衍射线加压前后衍射强度比值,即可求出取向度。用含铋层优化合物pbBi4Ti4O15作为测定实例,证明了这一方法的适用性。
沿α-LiIO3单晶z轴向施加静电场。当沿z轴方向通光时,几乎观察不出晶体透射像的变化;当偏离z轴方向通光时,透射像上显现出一些花纹。本文还作了空间频谱分析,显微观察和光衍射。
沿α-LiIO3单晶z轴向施加静电场。当沿z轴方向通光时,几乎观察不出晶体透射像的变化;当偏离z轴方向通光时,透射像上显现出一些花纹。本文还作了空间频谱分析,显微观察和光衍射。