本文分析随机磁场对低频漂移波本征模的影响。计算表明,存在随机磁场可影响电子对波的响应,改变电子色散函数,在有理磁面附近(k‖≈0处),这种变化尤大,随机场可使电子色散函数变得相当平缓,这对漂移波本征模的稳定性有很大影响。本文证明了,在足够强的(但仍是实验允许范围内的)随机磁场下,漂移波普适模可成为绝对不稳定的。
本文分析随机磁场对低频漂移波本征模的影响。计算表明,存在随机磁场可影响电子对波的响应,改变电子色散函数,在有理磁面附近(k‖≈0处),这种变化尤大,随机场可使电子色散函数变得相当平缓,这对漂移波本征模的稳定性有很大影响。本文证明了,在足够强的(但仍是实验允许范围内的)随机磁场下,漂移波普适模可成为绝对不稳定的。
本文处理了锐边界椭圆截面等离子体柱的扭曲不稳定性,给出了用椭圆特征函数表示的色散关系的一般形式,对单模和两模扰动,给出了精确到椭圆率ε二级的结果。在任意椭圆率下进行了数值计算。结果表明,模数之间的耦合起解稳作用。当椭圆率增大时,稳定性所需的qΣ值迅速增加,在无导体壳和a/b>2时,近似地有qΣ-1∝(a/b)2。对于有限长度的系统,波长等于系统长度的扰动是最危险的。在小椭圆率情况下,对此种扰动而言,当系统的长度缩短(相应于环径比减小)时,对应的系统稳定性qΣ值仅稍为增大一点。导体壳有一定的稳定作用。但当变形足够大时,扰动的有限波长和导体壳的存在对系统稳定性qΣ值几乎没有多少影响。
本文处理了锐边界椭圆截面等离子体柱的扭曲不稳定性,给出了用椭圆特征函数表示的色散关系的一般形式,对单模和两模扰动,给出了精确到椭圆率ε二级的结果。在任意椭圆率下进行了数值计算。结果表明,模数之间的耦合起解稳作用。当椭圆率增大时,稳定性所需的qΣ值迅速增加,在无导体壳和a/b>2时,近似地有qΣ-1∝(a/b)2。对于有限长度的系统,波长等于系统长度的扰动是最危险的。在小椭圆率情况下,对此种扰动而言,当系统的长度缩短(相应于环径比减小)时,对应的系统稳定性qΣ值仅稍为增大一点。导体壳有一定的稳定作用。但当变形足够大时,扰动的有限波长和导体壳的存在对系统稳定性qΣ值几乎没有多少影响。
本文分析了随机磁场和静电湍流引起的反常耗散效应对耗散俘获粒子模的影响。结果表明,这种反常耗散效应可以抑制耗散俘获电子不稳定性和耗散俘获离子不稳定性。这为PLT的实验结果提供了一种可能的解释。
本文分析了随机磁场和静电湍流引起的反常耗散效应对耗散俘获粒子模的影响。结果表明,这种反常耗散效应可以抑制耗散俘获电子不稳定性和耗散俘获离子不稳定性。这为PLT的实验结果提供了一种可能的解释。
基于Baym原则,将Ziman型液态金属电阻理论推广到晶态金属及替代式的无序合金系统,给出了电阻率的一般表达式,讨论了它们的低温和高温行为。低温下用德拜晶格振动模型,无序晶态系统的电阻率可表为ρ=ρ0+ρd(T/Θ)2+ρi(T/Θ)5,与实验一致。高温下,考虑到Debye-Waller因子及多声子效应,电阻率趋向饱和。用独立原子振动近似得到的简单公式与实验资料的比较表明:类似Nb这种电阻率的高温非线性偏离可以在本文的模型中自然地得到说明。
基于Baym原则,将Ziman型液态金属电阻理论推广到晶态金属及替代式的无序合金系统,给出了电阻率的一般表达式,讨论了它们的低温和高温行为。低温下用德拜晶格振动模型,无序晶态系统的电阻率可表为ρ=ρ0+ρd(T/Θ)2+ρi(T/Θ)5,与实验一致。高温下,考虑到Debye-Waller因子及多声子效应,电阻率趋向饱和。用独立原子振动近似得到的简单公式与实验资料的比较表明:类似Nb这种电阻率的高温非线性偏离可以在本文的模型中自然地得到说明。
本文将文献[1]的无序晶态合金电阻率理论推广到包含长程有序的系统,从而建立了适用于晶态金属,无序及有序替代式合金的Ziman型电阻率理论。根据这个理论我们详细讨论了这类系统电阻率的温度依赖性。文中着重指出:合金系统结构因子的超结构峰对电阻率有重要贡献。这个贡献在低温下是一个T2项,它比电子-电子散射引起的T2项大得多,因而合金系统电阻率在T0+ρa(T/Θ)2+ρi(T/Θ)5的形式。据此,许多A-15化合物正常态电阻率在低温下的反常行为很容易解释。作为例子,我们将低温电阻率的理论表达式与V3Si的测量值作了比较,符合得很好。
本文将文献[1]的无序晶态合金电阻率理论推广到包含长程有序的系统,从而建立了适用于晶态金属,无序及有序替代式合金的Ziman型电阻率理论。根据这个理论我们详细讨论了这类系统电阻率的温度依赖性。文中着重指出:合金系统结构因子的超结构峰对电阻率有重要贡献。这个贡献在低温下是一个T2项,它比电子-电子散射引起的T2项大得多,因而合金系统电阻率在T0+ρa(T/Θ)2+ρi(T/Θ)5的形式。据此,许多A-15化合物正常态电阻率在低温下的反常行为很容易解释。作为例子,我们将低温电阻率的理论表达式与V3Si的测量值作了比较,符合得很好。
本文给出了确定任意纵剖面形状的缓变波导开放谐振腔内各模式谐振频率的普遍关系式。探讨了腔内各谐振模式场的纵向分布函数的求解方法。具体地分析了鼓形腔和双圆锥腔,分别推导了这两种开放腔各模式的固有谐振频率公式以及场的纵向分布函数。理论分析与实验结果甚为一致。
本文给出了确定任意纵剖面形状的缓变波导开放谐振腔内各模式谐振频率的普遍关系式。探讨了腔内各谐振模式场的纵向分布函数的求解方法。具体地分析了鼓形腔和双圆锥腔,分别推导了这两种开放腔各模式的固有谐振频率公式以及场的纵向分布函数。理论分析与实验结果甚为一致。
本文将磁偏转三级象差的工作推广,使适用于电子束入射处就有磁场的情况,导出一个能在任意平面上求三级偏转象差的公式,并经过数学处理,使公式简洁、换算方便。最后运用这套象差系数就水平一列式电子枪(PI枪)经偏转后所产生的光栅图形进行了分析和探讨。
本文将磁偏转三级象差的工作推广,使适用于电子束入射处就有磁场的情况,导出一个能在任意平面上求三级偏转象差的公式,并经过数学处理,使公式简洁、换算方便。最后运用这套象差系数就水平一列式电子枪(PI枪)经偏转后所产生的光栅图形进行了分析和探讨。
本文对一类相变的Landau-deGennes模型(以下简称L-deG模型)进行了高斯近似和平均场近似计算,获得一些“临界指数”的数值。例如,在高斯近似下,α=0.5≠α＇,γ=1≠γ＇,ν=0.5≠ν＇等等。我们计算了比热,并与液晶MBBA的实验进行了比较,讨论了向列相-各向同性液相相变与三重临界点的关系。文中特别着重讨论了一类与二类相变临界行为的异同。我们认为,二类相变的标度律结果不能简单地挪用到一类相变的情况。
本文对一类相变的Landau-deGennes模型(以下简称L-deG模型)进行了高斯近似和平均场近似计算,获得一些“临界指数”的数值。例如,在高斯近似下,α=0.5≠α＇,γ=1≠γ＇,ν=0.5≠ν＇等等。我们计算了比热,并与液晶MBBA的实验进行了比较,讨论了向列相-各向同性液相相变与三重临界点的关系。文中特别着重讨论了一类与二类相变临界行为的异同。我们认为,二类相变的标度律结果不能简单地挪用到一类相变的情况。
本文考虑在N→SA相变中,当T→Tc+(相交点)时,声在液晶中传播引起的压力效应。使用模-模耦合方法计算了声的衰减和色散,得到在高频区间,声的衰减有反常发散行为,在低频极限声衰减的临界指数为2.5.当T→Tc+时,本文的理论曲线大体上与实验结果相一致。
本文考虑在N→SA相变中,当T→Tc+(相交点)时,声在液晶中传播引起的压力效应。使用模-模耦合方法计算了声的衰减和色散,得到在高频区间,声的衰减有反常发散行为,在低频极限声衰减的临界指数为2.5.当T→Tc+时,本文的理论曲线大体上与实验结果相一致。
本文用一维热扩散模型推出了体吸收、悬空型、边电极热电探测器响应率的表达式,并计算了SBN热电探测器的响应率和NEP与材料的吸收系数、器件厚度、工作频率以及前置放大器输入电容之间的关系。本文认为:1.体吸收、悬空型、边电极热电探测器具有最佳响应率厚度和最佳NEP厚度。两种最佳厚度可以根据本文导出的响应率公式和已知的噪声公式计算出来。2.在某些波段,如果能把材料的吸收系数提高到5×104cm-1以上,就可以研制性能优良的体吸收薄膜器件。
本文用一维热扩散模型推出了体吸收、悬空型、边电极热电探测器响应率的表达式,并计算了SBN热电探测器的响应率和NEP与材料的吸收系数、器件厚度、工作频率以及前置放大器输入电容之间的关系。本文认为:1.体吸收、悬空型、边电极热电探测器具有最佳响应率厚度和最佳NEP厚度。两种最佳厚度可以根据本文导出的响应率公式和已知的噪声公式计算出来。2.在某些波段,如果能把材料的吸收系数提高到5×104cm-1以上,就可以研制性能优良的体吸收薄膜器件。
本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E1/2-A1(arctg(2E1/2-f)/△1/2+arctg f/△1/2)+B1ln((E1/2-f)2)/(E-fE1/2+d) ·d/f2],其中A1,B1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(Rp)(Rp指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A2(μ)+(B2(μ))/(ε1/2+C)],和ω=Rp/△Rp(△Rp指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A3(μ)ε1/21/2+B3(μ),可简便而又准确地计算R,△Rp,Rp.这里F(μ),A2(μ),B2(μ), B3(μ)和A3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。
本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E1/2-A1(arctg(2E1/2-f)/△1/2+arctg f/△1/2)+B1ln((E1/2-f)2)/(E-fE1/2+d) ·d/f2],其中A1,B1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(Rp)(Rp指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A2(μ)+(B2(μ))/(ε1/2+C)],和ω=Rp/△Rp(△Rp指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A3(μ)ε1/21/2+B3(μ),可简便而又准确地计算R,△Rp,Rp.这里F(μ),A2(μ),B2(μ), B3(μ)和A3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。
本文介绍了我所自行设计和制造的一台旋转晶体中子飞行时间谱仪。该仪器对凝聚态物质的各种动力学研究是一个有效的工具。我们通过选取适当的锗单晶(111)平面旋转轴的办法消除了仪器单色束中多晶面反射的“污染”(contamination)。该谱仪的入射初始中子能量范围可为10—100meV,对应的初始中子能量分辨率为2.5—7.2％。本文根据Brockhouse理论对散射中子的分辨率作了详细的理论计算,并将计算结果与实测结果进行了对比。介绍了标准钒样品的非弹性散射中子谱的测量结果并与国外几个同类型谱仪的基本特性作了比较。
本文介绍了我所自行设计和制造的一台旋转晶体中子飞行时间谱仪。该仪器对凝聚态物质的各种动力学研究是一个有效的工具。我们通过选取适当的锗单晶(111)平面旋转轴的办法消除了仪器单色束中多晶面反射的“污染”(contamination)。该谱仪的入射初始中子能量范围可为10—100meV,对应的初始中子能量分辨率为2.5—7.2％。本文根据Brockhouse理论对散射中子的分辨率作了详细的理论计算,并将计算结果与实测结果进行了对比。介绍了标准钒样品的非弹性散射中子谱的测量结果并与国外几个同类型谱仪的基本特性作了比较。
本文分析了在一个棒镜线圈组合成的磁阱装置中,当沿着镜场轴线注入电子束,电子束与中性氢分子碰撞电离产生等离子体时,等离子体在该磁阱中的行为,文中也介绍了对这种等离子体进行实验研究的结果。
本文分析了在一个棒镜线圈组合成的磁阱装置中,当沿着镜场轴线注入电子束,电子束与中性氢分子碰撞电离产生等离子体时,等离子体在该磁阱中的行为,文中也介绍了对这种等离子体进行实验研究的结果。
本文论述了观测引力异常现象的重要性及扭摆对考察引力异常的效用。我们用了一台精度大为提高的扭摆对1979年9月6日北京的月全食进行了观测,观测到显著的异常现象,与Saxl所观测到的现象相似。并提出了改进观测的方法。
本文论述了观测引力异常现象的重要性及扭摆对考察引力异常的效用。我们用了一台精度大为提高的扭摆对1979年9月6日北京的月全食进行了观测,观测到显著的异常现象,与Saxl所观测到的现象相似。并提出了改进观测的方法。
本文就光入射到单轴晶体的情况,求得了非常光线方向的普遍公式,并按冰洲石的相应数据画出了三视图,使得晶体转动时,非常光的轨迹明显可见。所得结果为测定晶片光学常数的新方法提供了可能性。
本文就光入射到单轴晶体的情况,求得了非常光线方向的普遍公式,并按冰洲石的相应数据画出了三视图,使得晶体转动时,非常光的轨迹明显可见。所得结果为测定晶片光学常数的新方法提供了可能性。
用衍射仪和Guinier聚焦相机收集了含秘层状结构铁电体PbBi4Ti4O15SrBi4Ti4O15的X射线粉末衍射图谱(Cu Ka),给出了d值大1.13?的88和76条衍射线的衍射数据和指标。它们都属正交晶系,空间群Bb21m(C2v12),点阵常数和X射线理论密度为PbBi4Ti4O15α=5.431?,b=5.459?,c=41.36?; z=4;Dx=7.986g/cm3.SrBi4Ti4O15:α=5.428?,b=5.438?,c=40.94?;Z=4;Dx=7.447g/cm3.
用衍射仪和Guinier聚焦相机收集了含秘层状结构铁电体PbBi4Ti4O15SrBi4Ti4O15的X射线粉末衍射图谱(Cu Ka),给出了d值大1.13?的88和76条衍射线的衍射数据和指标。它们都属正交晶系,空间群Bb21m(C2v12),点阵常数和X射线理论密度为PbBi4Ti4O15α=5.431?,b=5.459?,c=41.36?; z=4;Dx=7.986g/cm3.SrBi4Ti4O15:α=5.428?,b=5.438?,c=40.94?;Z=4;Dx=7.447g/cm3.
本文用差热分析和X射线衍射的方法对Li4GeO4-Zn2GeO4赝二元系相图进行了研究。结果指出,文献中所报道的锂离子导体Li14Zn(GeO4)4不是化合物,而是含Zn2GeO4的以Li4GeO4为基的固溶体,由于Zn2GeO4的加入,使Li4GeO4的高温相稳定存在于室温。根据研究结果,提出了关于Li14Zn(GeO4)4多晶陶瓮样品在室温长期放置后,电导率明显降低的解释。
本文用差热分析和X射线衍射的方法对Li4GeO4-Zn2GeO4赝二元系相图进行了研究。结果指出,文献中所报道的锂离子导体Li14Zn(GeO4)4不是化合物,而是含Zn2GeO4的以Li4GeO4为基的固溶体,由于Zn2GeO4的加入,使Li4GeO4的高温相稳定存在于室温。根据研究结果,提出了关于Li14Zn(GeO4)4多晶陶瓮样品在室温长期放置后,电导率明显降低的解释。
在Mg(IO3)2-H2O体系中发现了一个新的物相二水碘酸镁Mg(IO3)2·2H2O.用称重法测定了Mg(IO3)2,Mg(IO3)2·2H2O和Mg(IO2)2·4H2O的溶解度随温度变化的曲线。
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在77kb高压下,丝状触媒生长的多晶金刚石样品中,经常出现两层组织。本文利用电子探针研究了样品中触媒金属Ni的分布,用相变生长的强迫扩散方程,解释金属偏析峰的出现,并讨论了金属偏析带的存在原因,同时,分析了两层组织和P,T生长区的相关性。
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本文介绍了在超流Hell中传播的第一声、第二声和第四声的特性以及利用声共振器测量它们的传播速度的实验装置。我们初步测量所得的结果与Rudnick教授等人的结果基本一致。
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