在本文中用Haga研究极化子时提出的微扰法讨论晶格振动对激子运动的影响。把作者过去的工作推广到电子和空穴质量不相等的普遍情形。在忽略反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,导出了激子的基态能量、有效质量、约化质量和内部势能。指出:激子的有效质量和电子、空穴与声子的相互作用有关;激子的约化质量不仅和电子、空穴与声子的相互作用有关,而且还和电子空穴质量比有关;激子形成自陷态的条件并非由电子、空穴与声子相互作用的大小,而是由电子、空穴质量比决定。形成激子自陷的条件是电子、空穴质量比0.261e/μhe/μhe/μh>3.83的情形,激子极化晶体中并不形成自陷态。

本文介绍用四探针技术测量半导体薄层电阻的新方案。其特点是,不论对无穷大薄层还是有限尺寸小样品,都不要求探针之间的距离相等,测量结果与探针间距无关,消除了针距不等引起的误差;同时,对于矩形或圆形小样品,不需要另加边界修正,因而也不必知道样品几何尺寸,只从电测量中即可求出电阻值。

本文利用热重、差热分析、磁分析、X射线衍射以及穆斯堡尔效应,研究了δ-FeOOH的结构与相变过程。

采用润湿导模技术生长出大块的片状铌酸锂单晶,尺寸可达200mm长、20mm宽、3mm厚。经测试,性能与柱状单晶相同。为了做好此项工作,我们测定了铌酸锂熔体的密度ρm与表面张力α等物理常数,得出在1270℃时ρm=3.57×103kg/m3,α=204dyne/cm;在1300℃时ρm=3.42×103kg/m3,α=192dyne/cm。

通过红外吸收光谱的测定,证实了氢气氛浮区硅单晶中存在硅氢键,三个特征吸收峰在4.51,4.68和5.13μm波长处。根据有关的理论计算报道分析,认为氢原子在硅晶格中处于几种间隙位置。研究表明这种在晶体生长中形成的硅氢键对晶体完整性隐含着影响,并发现硅单晶中氢致缺陷的形成与硅氢键在高温下的断裂有密切关系。

根据压电换能器的Mason等效电路,就36°у切LN/PM声光器件和x切LN/TeO2声光器件以及各种镀层材料和厚度计算了换能器损耗TL随规一化频率f/f0的变化关系,由此可确定各镀层的厚度和器件的换能器带宽,还给出器件的电输入阻抗zi在阻抗圆图上随f/f0变化的轨迹,它可作为器件性能测试的理论依据。

本文提出了横流放电CO2激光器的理论分析模型,导出了稳态发射的基本方程式,得到与熟知的非流动稳态增益饱和及功率理论相同的简单解析关系式。关系式包含了流动效应及光腔上游泵浦效应的修正项。根据强度沿流动方向变化的分析,求得饱和强度等参量在提高流速时的极限值。本文分析为文献[1—3]建议的选择平均增益系数并利用非流动稳态关系计算流动激光器特性的半经验方案提供了理论证明,同时将文献[4]提出的流动激光器的定性分析发展为定量计算。由于本文公式的简单性与非流动情况一样,因而本理论能够取代半经验方案。

本文叙述了用红宝石激光的汤姆逊散射测量θ-收缩等离子体的电子温度。应用一维单流体模型分析了θ-线圈中心平面处电子温度随时间变化的规津。实验表明,电子温度比绝热压缩的理论值小得多,考虑了电子的热传导损失以后,实验与理论符合得比较好。根据一维单流体模型,计算了热导系数。它比Spitzer计算的经典值大两至三倍。约在3μs以后,电子温度迅速下降,热导理论不再适用。一种可能的解释是终端损失起主要作用,使等离子体迅速瓦解。

本文采用把流函数按到磁轴的距离展成幂级数的办法,研究了具有小三角变形椭圆截面的轴对称环状等离子体的MHD平衡和局部模不稳定性问题。文章分析了位形的最优化,给出了最佳的三角变形因子。分析表明,适当选择三角变形因子,会使欧姆加热得到显著的增益。

本文用角动量分波表象的能带论方法研究了杂化导带的一般性质。得出了电子态密度和分波含量的一般关系式。发现引用一个径向波函数φl的“相位函数”yl,可以方便地对球对称势场造成的相移和φl的对数微商作解析近似处理。在此基础上研究了电子-声子耦合中的系数η的性质。论证了η有一个“本征上限”,并估计了它的量级。讨论了影响η强弱的一般规律,与实验现象作了比较。指出提高导带角动量杂化程度,特别是提高d导带中的f分波含量,以至试图实现似f导带,可能是强化电子-声子耦合潜力较大的探索方向。

从超导临界温度级数公式(1)出发,得到了B类超导体同位素效应的表达。在μ*=0及μ*≠0时,我们得到了Tc上限的级数表达式,其结果与数值解符合甚好。最后,在μ*=0时,讨论了Tc与各种谱参数的关系。由级数表达式可以清楚地看出,当固定不同参数时,Tc的行为完全不同,从而统一解释了不同作者关于声子谱对Tc影响的不同结论。我们着重指出,在大多数情况下,级数公式(1)仅取前两项,可作为数值解的很好近似,从而大大简化了级数公式。预计可以由此简化公式出发研究其它问题。