对于在YAG晶体生长过程中用“倾倒法”获得的固液界面进行了宏观观测和显微研究。确定了沿不同取向生长的固液界面上出现的小面的面指数。在〈001〉生长的凹形固液界面上观测到{112}小面;并对其邻位面进行了显微观测,发现邻位面是由奇异面上一定组态的台阶构成的,并且观测到台阶运动以及台阶和包裹物交互作用的迹象。进一步对比了凹形界面和凸形界面的生长,发现在界面的显微结构以及小面和内核的对应关系上存有差异,认为这差异是来源于不同宏观形状的界面对奇异面生长机制的影响,据此分析了凸形界面和凹形界面上奇异面生长的微观机制。
对于在YAG晶体生长过程中用“倾倒法”获得的固液界面进行了宏观观测和显微研究。确定了沿不同取向生长的固液界面上出现的小面的面指数。在〈001〉生长的凹形固液界面上观测到{112}小面;并对其邻位面进行了显微观测,发现邻位面是由奇异面上一定组态的台阶构成的,并且观测到台阶运动以及台阶和包裹物交互作用的迹象。进一步对比了凹形界面和凸形界面的生长,发现在界面的显微结构以及小面和内核的对应关系上存有差异,认为这差异是来源于不同宏观形状的界面对奇异面生长机制的影响,据此分析了凸形界面和凹形界面上奇异面生长的微观机制。
根据孪生几何与旋转矩阵对应关系以及旋转操作归并定理,总可以将高次孪晶的多次孪生操作化为一次旋转操作。本文计算了面心立方晶体一至五次孪晶化为一次旋转操作的旋转轴[uvw]和旋转角φ,并给出适用于计算机自动分析高次孪晶电子衍射图的计算步骤。
根据孪生几何与旋转矩阵对应关系以及旋转操作归并定理,总可以将高次孪晶的多次孪生操作化为一次旋转操作。本文计算了面心立方晶体一至五次孪晶化为一次旋转操作的旋转轴[uvw]和旋转角φ,并给出适用于计算机自动分析高次孪晶电子衍射图的计算步骤。
在以前工作的基础上,利用在频率平面上进行空间滤波的方法,研究了α-LiIO3单晶在静电场作用下,空间电荷分布引起的衍射光强变化的弛豫行为。得出了弛豫过程的唯象表达式,发现其中的弛豫参数依赖于温度和电压的大小以及所加电压为同号或异号电压,且随样品的不同而变化。在低温下,衍射会被“冻结”:即在“冻结”温度(～-25℃)以下加电压,衍射增强不显著;在“冻结”温度以上加电压,然后降至“冻结”温度以下,衍射光强度仍保持高温时增强后的数值;撤去电压,因加电压所增加的衍射并不消失。
在以前工作的基础上,利用在频率平面上进行空间滤波的方法,研究了α-LiIO3单晶在静电场作用下,空间电荷分布引起的衍射光强变化的弛豫行为。得出了弛豫过程的唯象表达式,发现其中的弛豫参数依赖于温度和电压的大小以及所加电压为同号或异号电压,且随样品的不同而变化。在低温下,衍射会被“冻结”:即在“冻结”温度(～-25℃)以下加电压,衍射增强不显著;在“冻结”温度以上加电压,然后降至“冻结”温度以下,衍射光强度仍保持高温时增强后的数值;撤去电压,因加电压所增加的衍射并不消失。
本文用矩阵运算简明地推导了晶体正空间和倒易空间中的坐标变换关系式;对于两相、孪晶及高级劳厄带等复杂电子衍射谱的分析,提出了一套矩阵方法。
本文用矩阵运算简明地推导了晶体正空间和倒易空间中的坐标变换关系式;对于两相、孪晶及高级劳厄带等复杂电子衍射谱的分析,提出了一套矩阵方法。
我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ1/2值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ1/2值。
我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ1/2值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ1/2值。
本文给出了在超高压高温条件下,碳的亚稳相石墨从熔融金属溶液中结晶的实验现象,并以此为例分析了亚稳相从溶液结晶的热力学可能性。提出了促使亚稳相结晶的过饱和的概念,指出:溶液体系中的温度差是亚稳相结晶的推动力。重点给出在一个结晶条件下亚稳相石墨可能结晶的临界温度差的计算。
本文给出了在超高压高温条件下,碳的亚稳相石墨从熔融金属溶液中结晶的实验现象,并以此为例分析了亚稳相从溶液结晶的热力学可能性。提出了促使亚稳相结晶的过饱和的概念,指出:溶液体系中的温度差是亚稳相结晶的推动力。重点给出在一个结晶条件下亚稳相石墨可能结晶的临界温度差的计算。
本文报告了我们用阶跃恢复法测定砷化镓两极管载流子寿命的初步结果。首先,对硅阶跃两极管用反向恢复法和阶跃恢复法两种方法测寿命,经比较结果,数据相当符合。在此基础上提出了阶跃恢复法的测试条件,并认为这一方法测得的p-n结两极管寿命即少数载流子寿命。然后,用阶跃恢复法测定了砷化镓p-n结两极管的少数载流子寿命。我们也测定了砷化镓M-S结两极管的寿命,经过分析,认为它不是少数载流子寿命。
本文报告了我们用阶跃恢复法测定砷化镓两极管载流子寿命的初步结果。首先,对硅阶跃两极管用反向恢复法和阶跃恢复法两种方法测寿命,经比较结果,数据相当符合。在此基础上提出了阶跃恢复法的测试条件,并认为这一方法测得的p-n结两极管寿命即少数载流子寿命。然后,用阶跃恢复法测定了砷化镓p-n结两极管的少数载流子寿命。我们也测定了砷化镓M-S结两极管的寿命,经过分析,认为它不是少数载流子寿命。
对N型砷化镓外延材料进行了瞬态电容和热激电容测量。在液相外延材料中一般检测不到电子陷阱的存在,但是在气相外延材料中,通常都能找到导带下0.82和0.43eV两个电子陷阱,它们的电子俘获截面分别为2.0×10-13和1.5×10-15cm2。
对N型砷化镓外延材料进行了瞬态电容和热激电容测量。在液相外延材料中一般检测不到电子陷阱的存在,但是在气相外延材料中,通常都能找到导带下0.82和0.43eV两个电子陷阱,它们的电子俘获截面分别为2.0×10-13和1.5×10-15cm2。
本文讨论了文献[1]和[2]所提出的广义线性系统的性质,并指出对于这一系统,存在与它等效的系统。此外,进而证明了模片(mask)之间的间距z1不是一个实质性的参量。
本文讨论了文献[1]和[2]所提出的广义线性系统的性质,并指出对于这一系统,存在与它等效的系统。此外,进而证明了模片(mask)之间的间距z1不是一个实质性的参量。
本文在分析激光一维双温度向心压缩DT靶计算的基础上,求得了与计算结果基本相符的激波与热波的解析解。
本文在分析激光一维双温度向心压缩DT靶计算的基础上,求得了与计算结果基本相符的激波与热波的解析解。
本文用电子计算机模拟研究了终态寿命对钕玻璃激光放大器的影响。结果表明,对于一个φ20×480mm的钕玻璃激光放大器,当钕玻璃的终态寿命从100ns减小至1ns时,它对脉宽为20ns、能量密度为2.0J/cm2的输入脉冲的影响表现在:增益增加～20％;脉冲峰位畸变减小～20％;以及放大器的饱和长度减小～30％。
本文用电子计算机模拟研究了终态寿命对钕玻璃激光放大器的影响。结果表明,对于一个φ20×480mm的钕玻璃激光放大器,当钕玻璃的终态寿命从100ns减小至1ns时,它对脉宽为20ns、能量密度为2.0J/cm2的输入脉冲的影响表现在:增益增加～20％;脉冲峰位畸变减小～20％;以及放大器的饱和长度减小～30％。
在本文中,我们对二能级原子的自发辐射问题进行了讨论。我们用原子自发辐射的实际场代替自由场同原子相互作用,并由自洽的条件计算谱线的线宽与原子能级的移位。计算方法也不同于前人的方法。计算的能级移位不出现发散的困难。
在本文中,我们对二能级原子的自发辐射问题进行了讨论。我们用原子自发辐射的实际场代替自由场同原子相互作用,并由自洽的条件计算谱线的线宽与原子能级的移位。计算方法也不同于前人的方法。计算的能级移位不出现发散的困难。
本文定出超导临界温度Tc级数公式(1)的前几项系数。对于形式为α2F(ω)=(λω)/2[a1δ(ω-ω1)+(1-a1)δ(ω-ω2)]的双δ型有效声子谱及若干具体材料的谱,将级数公式计算的Tc与Allen-Dynes公式(以下简称A-D公式)及Eliashberg方程的数值解作了比较。计算表明,当级数(1)收敛时,级数公式计算的结果较A-D公式更接近于数值解。此外,本文还给出了一个近似的Tc级数公式,得到了估计该Tc级数收敛半径的方法,并计算了若干材料的收敛半径值。因此,可估计级数公式(1)的适用范围。
本文定出超导临界温度Tc级数公式(1)的前几项系数。对于形式为α2F(ω)=(λω)/2[a1δ(ω-ω1)+(1-a1)δ(ω-ω2)]的双δ型有效声子谱及若干具体材料的谱,将级数公式计算的Tc与Allen-Dynes公式(以下简称A-D公式)及Eliashberg方程的数值解作了比较。计算表明,当级数(1)收敛时,级数公式计算的结果较A-D公式更接近于数值解。此外,本文还给出了一个近似的Tc级数公式,得到了估计该Tc级数收敛半径的方法,并计算了若干材料的收敛半径值。因此,可估计级数公式(1)的适用范围。
研究了合金元素Zr对Cu-Sn/Nb界面上Nb3Sn生长动力学的影响。实验表明:在单芯复合材料中加入Zr显著提高了Nb3Sn层的生长速率,层厚与时间的关系显著超过抛物线规律。这些结果不能仅用内氧化生成的ZrO2颗粒使晶粒细化来解释,还必须考虑ZrO2颗粒周围过饱和空位使扩散系数增大等因素。在多芯复合材料中热处理时Cu-Sn基体中Sn量的消耗,显著影响Nb3Sn的生长。考虑了这一因素的Nb3Sn生长动力学修正公式能对实验结果进行解释。
研究了合金元素Zr对Cu-Sn/Nb界面上Nb3Sn生长动力学的影响。实验表明:在单芯复合材料中加入Zr显著提高了Nb3Sn层的生长速率,层厚与时间的关系显著超过抛物线规律。这些结果不能仅用内氧化生成的ZrO2颗粒使晶粒细化来解释,还必须考虑ZrO2颗粒周围过饱和空位使扩散系数增大等因素。在多芯复合材料中热处理时Cu-Sn基体中Sn量的消耗,显著影响Nb3Sn的生长。考虑了这一因素的Nb3Sn生长动力学修正公式能对实验结果进行解释。
在电池电源和辐射场作用下,对超导弱连接可采取电流源驱动的电阻分路约瑟夫逊结模型。在上述模型下,本文对弱连接发生的常电压电流阶跃提供一个一般的判据,据此还讨论了分谐波电流阶跃的存在问题;在小辐射场情形下给出了电流阶跃高度的表示式,在中等辐射场的情形下还给出了电流阶跃高度依赖于辐射场强度的数值计算结果。
在电池电源和辐射场作用下,对超导弱连接可采取电流源驱动的电阻分路约瑟夫逊结模型。在上述模型下,本文对弱连接发生的常电压电流阶跃提供一个一般的判据,据此还讨论了分谐波电流阶跃的存在问题;在小辐射场情形下给出了电流阶跃高度的表示式,在中等辐射场的情形下还给出了电流阶跃高度依赖于辐射场强度的数值计算结果。