用助熔剂法生长了石榴石型铁氧体(Bi3-2xCa2xFe5-x-yInyVxO12)单晶,成分为x=1.35±0.02,y=0—0.388。采用本文所述工艺,对不同掺铟量的材料都长出了线度在10毫米以上的包容物很少的单晶。这个系列的单晶材料和Ga-YIG相比居里温度要高10—30℃;磁晶各向异性常数随非磁性离子铟的代入量的增加而很快下降;各向异性场随饱和磁化强度的降低开始略有下降,而后缓慢增加,饱和磁化强度在530—200高斯范围,各向异性场都在40奥以下;X波段共振线宽随饱和磁化强度的降低而增加,似乎存在着与偶极致窄相联系的损耗机构,在上述饱和磁化强度范围,线宽为1—4奥。目前获得的最好材料其磁晶各向异性场为16奥,线宽0.7奥。这些结果表明,这个系列的材料适用于低微波频率单晶器件。

本文提出加速器自由振荡近似解的简便方法,按规律能直接写出任何级近似解,并分出光滑项与快振荡项,该法可令计算机直接输出任何级近似解的公式;举实例以示该法的应用;最后证明该法的数学根据。

本文分析了任意截面环电流器(托克马克)的局部稳定条件,得到了一个一般的近似判据βc,η为纵磁阱。由此我们讨论了多极场对等离子体磁阱和剪切的影响。指出,对于椭圆截面环电流器,引入小的三角场及八极场是改善稳定性的强有力手段。

本文应用由复合场场论或场代数导出的轴矢流的场流恒等式计算了π介子的辐射衰变π+→e++ν+γ过程。计算结果与目前的实验大致相合。

本文在文献[1]基础上讨论由一对正反层子组成的介子结构波函数。假定层子质量很重,相互作用是谐振子位阱,旋量耦合方式符合一定的要求,则可以普遍给出以下结果:(1)自动给出质量谱的平方等距关系,又可以避免通常谐振子基态能级过高的困难;(2)如果层子原始弱流为V-A型,层子原始电磁流无反常磁矩项,可以解决赝标介子二体轻子衰变Cabibbo角的不谐调和矢量介子衰变到e+e-几率比的困难;(3)只要在相互作用中引入很小比例的SU(3)破坏项,就足以解释现有介子质量的SU(3)分裂。这就对为什么K-π质量差3.5倍却在许多情况下表现有相当好的SU(3)对称性给以一个合理解释;(4)方程的展开和波函数都有较好的近似性;(5)介子中层子反层子分布半径与现有关于介子电磁半径的实验量级是可以谐调的;(6)介子结构波函数的旋量结构和动量结构都是完全确定的。

虽然从B-S方程出发,用谐振子位势来讨论介子的质谱,可以得到较好的结果,但是当用这样得到的近似波函数来计算电磁形式因子时,却给出形式因子对类空的q2为复数。本文指出,出现上述不合理结果的原因,在于所得的近似波函数不具有正确的对P0的解析性。为了保证这种解析性同时又使波函数保持协变形式,比较适当的方法是,利用戴逊证明的定理将波函数写成积分表示。另外,根据波函数在x=0点为有限的物理要求,我们还给出了积分表示中的谱函数所应满足的一些求和条件。

本文证明了一个定理并讨论了它的一些应用。定理给出了单粒子能量与分离能的严格关系。