用Mg和Mg3N2作触媒,以LiH作添加剂,在55—64千巴及1700—2100℃的高温高压下,进行了由六方氮化硼到立方氮化硼的合成。对合成晶体作了结构与有关性能的鉴定和测试。晶体表面上杂质、缺陷、生长中心和台阶结构的显微观察表明,高温高压下合成的立方氮化硼晶体具有通常条件下晶体生长的一般特征。对密切依赖于温度、压力状况及触媒组装的合成结果进行了分析和讨论。文中特别报道了触媒中少量LiH的加入对提高晶体粒度和质量的显著效果,其中获得了1毫米以上的大颗粒立方氮化硼晶体。

本文研究了施密特电路的开关过程。推导出了开关过程的具体解析表达式。根据这个表达式对两种常见的晶体管施密特电路进行了数值计算。最后用实验方法验证了计算结果。实验结果与计算值总的来说相当吻合。从这个研究中得到了挑选晶体管和电路的一些原则。计算结果可以作为设计施密特电路时估计开关速度的一个依据。

本文提出能解释热阴极中各种现象的动态表面发射中心模型。电子发射来源于一个原子集团。在这原子集团中,当运动着的电子具有瞬时的最高能量,或集团的原子核吸引力达到最小时,便产生电子发射。超额钡是提供高能电子的根源。氧则按其在集团中的相对数量和相对位置而分别起有益或有害的作用。虽然锶、钙、铝酸盐、钨酸盐等对发射只起次要的作用,但它们对蒸发、徙动、传递电子等却有影响。实用热阴极的发射不均匀性证明发射中心的存在,而发射的不稳定性,例如闪变噪声,显示出发射中心的动态特性。

如何设计由全息透镜构成的光学系统用来实现所要求的变换,是当前应用光学的一个重要课题。本文提出了一个应用计算机的迭代求解法,并讨论了它的收敛性和采用有限维近似的问题。文中还通过简单的例子,分析了具体计算中出现的问题。

本文由短脉宽下混响强度的普遍表达式Ir(t,τ)=Kτt-me-βt出发,导出对应的可用于长脉宽的混响强度精确表达式,并给出了忽略脉宽尺度范围的指数衰减损失后相应的近似表达式。当指数衰减系数β足够小和脉宽大于有效脉宽τm=amt(am随m增大而减小,m是大于2的实数)时,近程混响强度趋向饱和且随时间t的(m-1)次幂衰减。实验结果与理论符合较好。

本文在SU(2)L×U(1)模型里研究中间态的W介子对光子-光子散射的贡献。由于自发破缺规范理论的可重整化性以及自发破缺以后电磁规范不变性仍成立,在单迴路近似下,光子-光子散射幅中的无穷大必然互相抵消。本文用具体计算说明这一点,并且在低能近似下给出电磁场的等效非线性相互作用拉格朗日量和散射截面。在低能近似下,轻子中间态对散射的贡献为主,然而在高能极限下,W介子中间态的贡献将变得可以和轻子中间态的贡献相比较。