本文叙述测定半导体扩散层表面浓度、P-n结深度及扩散系数的霍耳效应法。导出了求算半导体扩散层表面浓度、P-n结深度及扩散系数的一组积分公式。对砷由气相扩散入锗这一情况进行了详细研究:对上述公式进行数值积分并给出一系列图线,利用这些图线从实验值求得表面浓度等上述参数。实验表明:此法所测得的结深度和表面浓度分别与光干涉法直接测得的结深度和平均电导法测得的表面浓度,在误差范围内很好符合;而且此法所测得的扩散系数与B?senberg用电容法测得的也极为接近。扩散系数与温度的关系为D=2.3exp(-2.36/(kT)),当N0=1014厘米-3;D=1.7exp(-2.36/(kT)),当N0=1016厘米-3。

本文讨论功率晶体管设计中设计发射极时所需考虑的两个问题。一个是在给定的注入条件下如何保证足够大的电流放大;另一个是如何提高发射极发射电流的有效面积。文中着重分析在各种注入条件下发射结面上发射极电流密度的分布,亦即所谓基区电阻自偏压截止效应,最后给出主要结论。

一种采用压力扫描光电自动记录的法布里-珀罗分光计已装成。其中法布里-珀罗干涉计系自制,分光系统采用国产分光计。扫描压力用高压CO2气体供给。CO2气体以10个大气压通过毛细管充入装有法布里-珀罗干涉计的密封窒内。结果表明,扫描的直线性良好,在光电倍增管前装有圆孔光栏,由它分离出所需要的干涉环的中心部分。用27MI光电倍增管作接收器。光讯号利用EWC-O2型自动记录电位差计来记录。在我们的实验室中曾记录了汞5461?的六个超精细结构分量及钠D线由于自吸收产生的四个干涉峯。

本文在比较了前人测量ADP晶体压电性能的若干重要方法之后,根据ADP晶体的特点,指出采用动态电容方法并增大串接电容CT和修正静电电容C0,这样虽然使用较差的设备,仍得到了较好的结果。

本文探讨了静态场分量直接模拟的一般原理。作为此法的一个用例,对半无限长实心螺线管的场进行了模拟研究。所得结果表明,对于一些特殊的静态场系统能够实现直接模拟,而且具有不少独特优点。上述螺线管的模拟解已用Bz曲线及ψ曲线给出,利用这些曲线可以方便地求解任意螺线管的场分布及力线形状。

本文直接利用阈值电流随温度变化的实验关系,通过解热传导方程,得到了连续及脉冲工作状态下起始工作电流、最大工作电流及临界阈值电流的定量结果,供研制参考。其中全面地考虑了结内及体内发热的贡献,后者可用一归一化等效体内发热电阻r来表征。连续工作状态的分析表明,体内发热的影响不可忽略。对脉冲工作状态的分析,分别考虑了脉冲宽度和重复频率的影响。指出:在兼顾功率和重复频率的情况下,脉冲工作比以取0.03左右为宜。当实际应用中对重复频率要求不高时,为了提高功率,取重复周期比二极管热弛豫时间约大3倍比较合适。如果要求重复频率很高,则器件性能主要由脉冲工作比决定。文中利用所得结果结合实例进行了讨论,并讨论了脉冲工作情况由于结温变化所导致的发射频谱展宽效应。

利用中间玻色子理论和Cabibbo的弱相互作用SU3模型,求得了中微子-核子“弹性”反应ν1+N→l+B的微分截面和终态粒子纵极化的解析表式,并对若干过程进行了数值计算。结果表明:对给定的一组形状因子,当中微子能量足够高时,在适当的出射角附近,轻子和超子的纵极化的中间玻色子效应相当明显;如实验数据足够精确,将极化与微分截面相结合。可估计中间玻色子质量,并给出形状因子的一些知识。还估计了νμ[Z,A]→μ-+[Z+1,A]过程的μ-纵极化的核效应和中微子能谱的影响。