用面积扫描方法共得到了9GeV质子同乳胶重核相互作用中产生的292个锤状径迹。首先讨论了从锤状径迹中区别出Li8,Li9和B8裂片的方法,并对可能存在的各种扫描偏差作了分析;然后给出了含有锤状径迹的星按叉数的分布,Li8,Li9和B8的发射频率以及Li8裂片的能谱与角分布。并将Li8裂片的能谱和蒸发理论作了比较。
用面积扫描方法共得到了9GeV质子同乳胶重核相互作用中产生的292个锤状径迹。首先讨论了从锤状径迹中区别出Li8,Li9和B8裂片的方法,并对可能存在的各种扫描偏差作了分析;然后给出了含有锤状径迹的星按叉数的分布,Li8,Li9和B8的发射频率以及Li8裂片的能谱与角分布。并将Li8裂片的能谱和蒸发理论作了比较。
我们把Migdal的关于基态原子核转动惯量的半经典近似的推导,推广到激发态(T≠0)情形;并由此计算了裂变碎块角分布参数K02。与实验数据比较的结果表明:在现有近似下,原子核的对相互作用能解释U区裂变核在低激发能(Eexc≤15MeV)时,K02“反常”小的现象,同时利用对相互作用与角动量的依赖关系,可以定性地解释Pb附近裂变核并没有这种“反常”现象。
我们把Migdal的关于基态原子核转动惯量的半经典近似的推导,推广到激发态(T≠0)情形;并由此计算了裂变碎块角分布参数K02。与实验数据比较的结果表明:在现有近似下,原子核的对相互作用能解释U区裂变核在低激发能(Eexc≤15MeV)时,K02“反常”小的现象,同时利用对相互作用与角动量的依赖关系,可以定性地解释Pb附近裂变核并没有这种“反常”现象。
本文用极点近似和有破坏的SU(3)对称结合起来处理了pp的超子对湮灭,得到了与实验符合的角分布与分支比。对称性破坏表现在:(1)质量差,(2)在顶点引进一个反比于介子质量的因子。
本文用极点近似和有破坏的SU(3)对称结合起来处理了pp的超子对湮灭,得到了与实验符合的角分布与分支比。对称性破坏表现在:(1)质量差,(2)在顶点引进一个反比于介子质量的因子。
本文根据Sugawara和Kanazawa所证明的一个定理和Omnes关于渐近行为的研究,讨论了Gi(t)和Гi(t)色散关系的減出问题。比较仔细地考虑了Гi(t)和Fπ(t)中远区奇异性的贡献,所得的结果可以同时很好地符合电形式因子和磁形式因子。其中Гi(t)并满足Vick从πN实验分析中所提出的要求。计算结果还表明,核子的矢量总电荷和总磁矩绝大部分是由2π中间态贡献的,核子的核心点电荷和点磁矩
本文根据Sugawara和Kanazawa所证明的一个定理和Omnes关于渐近行为的研究,讨论了Gi(t)和Гi(t)色散关系的減出问题。比较仔细地考虑了Гi(t)和Fπ(t)中远区奇异性的贡献,所得的结果可以同时很好地符合电形式因子和磁形式因子。其中Гi(t)并满足Vick从πN实验分析中所提出的要求。计算结果还表明,核子的矢量总电荷和总磁矩绝大部分是由2π中间态贡献的,核子的核心点电荷和点磁矩
从李羣的一般理论,具体地讨论了SU4的数学处理,给出了羣的代数结构、不可约表示维数的公式、三个基本表示的明显形式及表示直积分解的主要结果。根据SU4对称,下列基本粒子的对称模型被构成:(1)Bacry和Van Hove模型,(2)Schwinger模型,(3)正反粒子对称的坂田模型,(4)正反粒子对称的八度法模型。在这些模型中,一些与实验一致的新的结果被得到。
从李羣的一般理论,具体地讨论了SU4的数学处理,给出了羣的代数结构、不可约表示维数的公式、三个基本表示的明显形式及表示直积分解的主要结果。根据SU4对称,下列基本粒子的对称模型被构成:(1)Bacry和Van Hove模型,(2)Schwinger模型,(3)正反粒子对称的坂田模型,(4)正反粒子对称的八度法模型。在这些模型中,一些与实验一致的新的结果被得到。
高电压无电极强脉冲气体放电,可以用作激光器的激发光源。本文所叙述的内容即是在这方面的若干实验结果。文章的前一部分包括光源的装置及特性的测量等,第二部分的内容为利用这种光源作红宝石与钕玻璃激光器的激发光源时,对于激光器的光输出特性的研究结果,其中包括阈值的测定,尖峯的观察、单模振荡和规则的阻尼振荡等。最后对于这种光源的特点作了分析,认为这种光源为固体激光器的发展提供了一个新型的激发光源,对于发展大能量器件、高功率器件以及高重复频率器件都是有前途的。
高电压无电极强脉冲气体放电,可以用作激光器的激发光源。本文所叙述的内容即是在这方面的若干实验结果。文章的前一部分包括光源的装置及特性的测量等,第二部分的内容为利用这种光源作红宝石与钕玻璃激光器的激发光源时,对于激光器的光输出特性的研究结果,其中包括阈值的测定,尖峯的观察、单模振荡和规则的阻尼振荡等。最后对于这种光源的特点作了分析,认为这种光源为固体激光器的发展提供了一个新型的激发光源,对于发展大能量器件、高功率器件以及高重复频率器件都是有前途的。
本文叙述用脉冲饱和法测量自旋-晶格弛豫时间的实验及其结果。在显示方面使用了倍频同步法以产生基线,便于读取T1。测定了红宝石Cr3+离子的弛豫时间,肯定在77°K时各种跃迁的T1大致相等,但浓度增高时T1降低。
本文叙述用脉冲饱和法测量自旋-晶格弛豫时间的实验及其结果。在显示方面使用了倍频同步法以产生基线,便于读取T1。测定了红宝石Cr3+离子的弛豫时间,肯定在77°K时各种跃迁的T1大致相等,但浓度增高时T1降低。
计算O-2在晶体场中出现的Jahn-Teller效应,得到具有电矩的2pπ3s3d0杂化原子轨道。BO6八面体共价性质决定了ABO3晶体的各种极化相。理论给出Ps比值、钛位移大小和热力学参数ξ′,ζ′均接近于实验结果。统一解释了钛酸钡的三个相转变。相变条件给出七种晶体中氧的屏蔽常数平均值与Slater的值一致。
计算O-2在晶体场中出现的Jahn-Teller效应,得到具有电矩的2pπ3s3d0杂化原子轨道。BO6八面体共价性质决定了ABO3晶体的各种极化相。理论给出Ps比值、钛位移大小和热力学参数ξ′,ζ′均接近于实验结果。统一解释了钛酸钡的三个相转变。相变条件给出七种晶体中氧的屏蔽常数平均值与Slater的值一致。
本文导出了可以用来简便地决定晶体的单电子能级对称性与声子对称性的公式,并通过具体例子描述了按这种公式所建立的简便决定法。
本文导出了可以用来简便地决定晶体的单电子能级对称性与声子对称性的公式,并通过具体例子描述了按这种公式所建立的简便决定法。
测量了几个高纯的p型InSb样品在液氮温度下的噪声频谱,一般由产生复合噪声及调制噪声组成,前者与热平衡载流子浓度p0的二次方成反比,后者与p0成反比。因此,材料愈纯,产生复合噪声所占的比重就愈大。产生复合噪声的数值与频谱与已有的理论符合。由此频谱可确定多数载流子寿命τ,得到τp0≈1.1×1O9秒/厘米3,并给予理论解释。
测量了几个高纯的p型InSb样品在液氮温度下的噪声频谱,一般由产生复合噪声及调制噪声组成,前者与热平衡载流子浓度p0的二次方成反比,后者与p0成反比。因此,材料愈纯,产生复合噪声所占的比重就愈大。产生复合噪声的数值与频谱与已有的理论符合。由此频谱可确定多数载流子寿命τ,得到τp0≈1.1×1O9秒/厘米3,并给予理论解释。
认为具有少量空位的晶体是一个均匀的晶体,把完整与不完整晶体的区别,归结为势函数的修改。应用Morse函数推导出弹性常数c11和c12的变化率与空位浓度的关系。因为空位邻近的原子有松弛,考虑了由松弛而改变了的相互作用对弹性常数的影响。首先求得铝中空位的第一和第二最近邻的位移百分率各为1.61和-0.32,这里的正号和负号各表示向空位移进和移出。其次,进行了具体的计算,在铜晶体中,估计1％的空位浓度使弹性常数减小1.3—1.4％。然而,铝晶体中的空位对弹性常数的影响
认为具有少量空位的晶体是一个均匀的晶体,把完整与不完整晶体的区别,归结为势函数的修改。应用Morse函数推导出弹性常数c11和c12的变化率与空位浓度的关系。因为空位邻近的原子有松弛,考虑了由松弛而改变了的相互作用对弹性常数的影响。首先求得铝中空位的第一和第二最近邻的位移百分率各为1.61和-0.32,这里的正号和负号各表示向空位移进和移出。其次,进行了具体的计算,在铜晶体中,估计1％的空位浓度使弹性常数减小1.3—1.4％。然而,铝晶体中的空位对弹性常数的影响
作者应用微扰理论首先导出了顶角接近π的平面扇形导体衍射场与θ接近π/2的橢锥导体衍射场的微扰项之表达式,因此,对其相应的简单问题——导体半平面屏的衍射与导体平面的反射,也得到了相应的微扰项之表达式。然后,按照文献[10]中所提出的原理,以内接多边形代替一般形状的导体薄片,以许多内接小橢锥面组成的曲面代替一般形状的导体表面,分别将上述微扰对多边形各顶点及曲面各内接锥顶求和。在极限情况下,求和变为积分,从而分别导出了任意形状的导体薄片(因而导体平面屏上的开孔)与导体表面衍射的一级衍射场,它们是对几何光学场的一
作者应用微扰理论首先导出了顶角接近π的平面扇形导体衍射场与θ接近π/2的橢锥导体衍射场的微扰项之表达式,因此,对其相应的简单问题——导体半平面屏的衍射与导体平面的反射,也得到了相应的微扰项之表达式。然后,按照文献[10]中所提出的原理,以内接多边形代替一般形状的导体薄片,以许多内接小橢锥面组成的曲面代替一般形状的导体表面,分别将上述微扰对多边形各顶点及曲面各内接锥顶求和。在极限情况下,求和变为积分,从而分别导出了任意形状的导体薄片(因而导体平面屏上的开孔)与导体表面衍射的一级衍射场,它们是对几何光学场的一
本文研究静电场中电子运动轨迹的理论,共分四部分。第一部分研究轨迹方程。利用变分原理,导出正交曲面坐标系中轨迹的普遍方程,着重研究了可化为二维坐标系的情形,导出了广义傍轴轨迹方程。第二部分讨论轨迹条件。求得轨迹与某曲线族重合的充分与必要条件,并进行了研究;讨论了电子运动轨迹的稳定性问题,求得轨迹稳定的条件。第三部分求解空间电荷流的普遍方程。得到的解表明,二分之三次方定律可推广至普遍情形。第四部分讨论按给定曲线构成正交系的原则,给出四种不同构成正交系方法的具体方程。
本文研究静电场中电子运动轨迹的理论,共分四部分。第一部分研究轨迹方程。利用变分原理,导出正交曲面坐标系中轨迹的普遍方程,着重研究了可化为二维坐标系的情形,导出了广义傍轴轨迹方程。第二部分讨论轨迹条件。求得轨迹与某曲线族重合的充分与必要条件,并进行了研究;讨论了电子运动轨迹的稳定性问题,求得轨迹稳定的条件。第三部分求解空间电荷流的普遍方程。得到的解表明,二分之三次方定律可推广至普遍情形。第四部分讨论按给定曲线构成正交系的原则,给出四种不同构成正交系方法的具体方程。