本文详细地描述了在30000kg/cm2内测定物质P-V关系的装置及测量方法。采用了活塞式容器和机械压缩的方法进行测量。以KBr,KCl和铋在20℃时的压力相交点来标定容器内的压力,校正结果表明,容器内的压力和外力成很好的直线关系。容器和活塞等形变的校正是以光谱纯铁作为标准样品,在本容器内进行压缩试验,把测定结果和Bridgman的测定结果相比,找出差值作为样品在受压过程中,由于容器形变而引起的体积修正值。工作中,测量了一些材料在常温下的P-V关系。

本文用化学侵蚀法研究了硅单晶样品在800—1000℃印压得到的位错“花结”。实验结果说明:印压产生的位错分布在{111}滑移面上;位错线的取向大部分是或方向。分析并观察到在压印下有两种位错环,一种是柏格斯矢量沿方向并平行于(111)印压面;一种是柏格斯矢量沿方向并与印压面相交。对位错环的结构进行了分析。

铝-镉-铜三元系富铜合金相图的室温固相截面已用X-射线方法测定。合金含量最高达30％(重量)铝及30％镉。室温相截面由五个单相区α,γ2,δ,ζ2,η2;十个两相区α+β,α+γ2,β+γ2,γ2+δ,β+δ,δ+ζ2,ζ2+η,η2+δ,η2+β,η2+θ及四个三相区α+β+γ2,β+γ2+δ,β+δ+η2,δ+ζ2+η2所构成。没有发现新相。

本文在理论上导出了环偶氮甲烷型分子的振动均方振幅矩阵。

本文计算了在低温、低浓度下红宝石基态自旋-晶格弛豫的直接过程。应用强场耦合表象中基态的二级微扰波函数,在θ=90°,脉冲饱和法测量条件下,计算了基态四能级之间的无辐射跃迁几率。然后,用求解粒子数方程的方法,计算1.4°K的自旋-晶格弛豫时间。计算结果与Pace等人的实验结果较好地符合。

本文从理论和实验两方面,对低压火花放电特性作一些探讨。采用Laplace变换法,分析了线路在引燃、充电和放电三个过程中的过渡过程;探讨了火花与电弧互相转换的条件,以及线路参数对谱线光强的影响。从而对低压火花放电特性有一个较全面的、概略的认识。

本文对2s1/2-1d3/2壳层原子核(A=30—40)能谱作了系统分析,计算仅限于由2s1/2和1d3/2支壳层产生的情态,但考虑了它们之间的全部组态混合效应。计算是采用多粒子壳模型的Talmi方法,将二体矩阵元当作参数,其值由实验确定。文中详细分析了Si30,Si31,P30,P31,P32,S32,Ar37,Ar38,K38等原子核能谱,理论与实验符合颇好。

本文研究了核子电磁结构对Weizs?cker-Williams等价光子谱理论的影响。为了克服Clementel-Villi型形式因子所导致的发散困难,提出了对这个形式因子的修改。计算的结果表明,在等价光子谱方法适用的范围内,碰撞的两个粒子,如果质量相差悬殊,主要还是W-W的结果。但在两粒子质量相近时,结构的影响就很明显。

本文讨论了二个问题:一、当振幅须对二个以上的外质量进行开拓时,说明了开拓的次序对最后结果有关;二、指出了非朗道奇异点有二种:一种是Cutkosky所指出的,对于这一种,讨论了它与内质量无关的条件,并求出了它对于一圈的费曼图的位置;对于另一种,指出了它的来源,证明了它与内质量无关,并说明了它只对极少数图出现。

本文证明了两个物理上有兴趣的非定域位势e-μr/r·e-μr′/r′·e-αR/R及e-μr/r·e-μr′/r′·e(-(β(r+r′))1/2·R))/R的分波S矩阵元对动量变数k在除沿虚轴的割线(-∞i,0),(μi,∞i)的全平面,对角动量变数λ在右半平面Reλ>-1/2的半纯性和当k,λ分别趋于无穷大时的渐近性质。最后得到了Regge渐近行为。