本文描述了测定超导体临界特性曲线的持续电流方法。和文献上通常采用的四引线方法相比较,本方法具有下列优点:(1)Ic(H)曲线的物理意义明确;(2)避免了向液氦杜瓦瓶内输入大电流时技术上的困难;(3)没有烧坏样品的危险。用本方法测量了冷加工铌线的Ic(H)曲线,结果证明了以前用四引线方法所得Ic(H)特性曲线中峯的存在。

本文在L-S耦合近似下,并且限于讨论2ω激发的组态,用δ相互作用严格求解了0+,2+及4+态。同时提出一种近似解的办法。即根据粒子的相干效应,可以近似地将双粒子双空穴的结构选为两个粒子相干和两个空穴相干的态。近似解的结果与严格解符合很好。在解释实验上,能量符合得不够好,但在解释O-0跃迁和E2跃迁上却相当成功。

本文运用泰米变换处理了玻恩平面波近似和零力程假设下的(d,a)和(t,p)削裂反应的微分截面公式,并与“点”近似的结果比较,从而检验了“点”近似的可靠性。结果发现,“点”近似虽然不改变微分截面的形状,但却很大地改变了其绝对值的大小。

本文用处理对力的粒子数守恒方法来分析对力对于锕系核性质的影响,其中包括奇A核和偶偶核的内部激发谱、β衰变、α衰变等。文中首先根据实验测得的寄A核的内部激发谱,计及对力的影响,定出了单粒子能级的Nilsson参数(见表3和5)。然后利用此单粒子能级进一步分析了偶偶核的内部激发谱和β衰变。由于现有数据的限制,只分析了Th228,Th230,U232,U234和Cm244等核。由能级位置和β衰变的分析,

本文在Bohr-Mottelson理论的基础上仔细考虑振转耦合,较好地解释了过渡区偶-偶核的能谱和跃迁几率。

本文探讨了影响双粒子削裂、摄取反应强度的结构因子。用集体振荡态的结构波函数(简化的模型)和壳结构波函数对结构因子作了一些分析,发现在集体振荡态的情况下,结构因子随满壳外核子数的变化有显著的规律性。

本文描述一个利用云室研究高能宇宙线粒子与石蜡的核作用中次级粒子角分布的实验。共分析了64个ns≥4的事例,其平均初能E0≈70BeV。结果表明,在此能区,次级粒子在CMS中,角分布不是各向同性,而在0°和180°方向呈现极大,且有相当比例(≥20％)事例的角分布形式显示出火球模型给出图象。

本文对满足文献[1]的条件的高度奇异位势证明了S矩阵元可以表为

对在膜面为(110),(001)和(111)的镍单晶膜上生成的氧化镍取向进行了电子衍射分析,除在(111)和(001)镍膜上肯定了前人已发现的氧化镍与镍的平行取向关系外,还在(110)和(001)镍单晶膜上发现了(111)NiO∥(001)Ni,〈110〉NiO∥〈110〉Ni取向关系以及〈110〉NiO∥〈110〉Ni氧化镍纤维织构。在所有氧化镍与镍的取向关系中均有〈110

本文利用单晶与粉末衍射方法测定了V2Ga5的晶体结构。V2Ga5属四方晶系,其单相区约为VGa2—V2Ga5。在18℃的点阵常数是a=8.9540?,c=2.6892?,每个晶胞含有二个化合式量,空间羣为D4h5—P4/mbm。V原子与Ga原子分别占据在4(h)与8(i),2(d)的等效位置上。参数为:x
. 1965 21(5): 997-1007. 刊出日期: 2005-08-05 ]]>

本文利用单晶与粉末衍射方法测定了V2Ga5的晶体结构。V2Ga5属四方晶系,其单相区约为VGa2—V2Ga5。在18℃的点阵常数是a=8.9540?,c=2.6892?,每个晶胞含有二个化合式量,空间羣为D4h5—P4/mbm。V原子与Ga原子分别占据在4(h)与8(i),2(d)的等效位置上。参数为:x
. 1965 21(5): 997-1007. Published 2005-08-05 ]]> 2Ga₅的晶体结构]]> 1965-03-05T00:00:00+00:00 Personal use only, all commercial or other reuse prohibited . 1965 21(5): 997-1007. article doi:10.7498/aps.21.997 10.7498/aps.21.997 21 5 2005-08-05 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.21.997 997-1007 //m.suprmerch.com/article/doi/10.7498/aps.21.1008

本文就声子散射与电离杂质散射的两种散射机构探讨了半导体n型锗的横向磁阻。在简并强磁场情况下,得出声子散射机构在〈111〉,〈110〉和〈100〉三个方向上锗的横向磁阻的表示式。磁阻的平均值的相对大小(ρt)/ρ0:(ρt)/ρ0:(ρt)/ρ0=1:1.7:1.1,并且磁阻具有振荡形式。在非简并量子极限情况下分别对声子散射和杂质散射得出锗的横向磁

用定态光电导及光磁电的方法测量了p型n型InSb在85—290°K之间的电子及空穴的寿命。在室温附近,所有样品的截流子寿命都趋于同一值,在290°K时为3×10-8秒。从寿命的绝对值及温度依赖关系,以及掺杂对寿命的影响,可以肯定在室温附近起主要作用的复合过程是带间碰撞复合过程。在200°K以下,p型样品中的电子寿命与空穴寿命有很大差别,表明有陷阱作用。用位于价带之上0.05eV的复合中心及位于导带之下0.11eV的电子陷阱能完满地解释200°K以下的寿命与温度的依赖关系。

本文在各向异性介质中电磁场二次量子化的基础上,探讨做高匀速运动(超过该介质中的光速)的带电粒子辐射状况,得到了寻常波和非常波辐射强度的表达式,解释了粒子的自旋状态对辐射强度的影响。在粒子的运动方向沿晶体光轴和垂直于晶体光轴的两种情况下,对结果进行了分析。结果表明,量子方法的计算有别于经典结果,当考虑到粒子自旋时,在沿光轴这动的情况下,既辐射寻常波又辐射非常波。

本文研究了低浓度松花粉悬浮液中由于悬浮粒子引起超声波的附加吸收问题。实验上测量声吸收和声速都是采用脉冲干涉仪(当测量吸收时曾以移板法、多次反射法及比较法配合进行),频率范围为3—20Mc,温度范围为20°—80℃,在不同浓度重复进行。针对这样的具体实验条件,根据Epstein提出的理论进行了较严格的计算,并从实验和计算结果的比较中得出几点结论。同时,作者还总结和评述了其他作者关于石松子悬浮液中超声吸收的研究,通过对他们的实验结果和理论值之间的比较,认为他们简单地应用小球或低频极限情况下所得出的理论来解释实