本文从哈密顿量出发,导出描写受激Raman过程的方程式:Laser光、一级Stokes与反Stokes光及相干的声子场的耦合方程,并唯象地引入弛豫耗散。在分子属于远共振情形及比介电常数近似更高一级的近似下,分析了方程的性质。由平衡点稳定性的讨论给出了Raman光激射器的阈值,发现反Stokes激射光的产生并不要求附加的阈条件,即在受激Raman效应中,反Stokes光总是必然出现的。对于Raman光激射器诸工作点的性质及工作过程也作了进一步的讨论,发现在一定条件下,在强激射光源辐照下,存在着Stokes与反Stokes成分几乎各占一半的唯一的稳定平衡点(Raman光激射器的工作点)。文中也顺便讨论了声子弛豫所起的作用及有长寿命的声子时Raman光激射器的行为。

本文给出了一种新的表述局域模(实的及虚的)的方法。我们引入了变形豫解式的迹P(z).它仅在z平面的实轴上有奇异性,孤立极点对应于实局域模。将P(E+iη)向下解析延拓至第二黎曼面,则其复极点对应于虚的(或不稳定的)局域模。复极点的实部是不稳定局域模的能量,虚部是它寿命的倒数,自然地得到了寿命为正的限制。此能量与寿命符合于相应共振散射的能量与宽度。本文还讨论了实局域模与虚局域模之间的关系。最后,比较了P(z)的奇异性与态密度的变化,并进一步阐明了寿命为正的及负的解之间的差别。指出,一般说来,只有寿命为正的解当作用强度增加时会变成实的局域模,负寿命的解是不会的。

在弱场(LГ表象)中,考虑了d3组态内自旋-自旋相互作用对红宝石基态零场分裂的影响。结果表明它对零场分裂的贡献为0.12厘米-1。

本文用化学侵蚀法显示了硅晶体印压产生的位错。测量了在不同温度、不同切应力下“花结”上刃型(或60°)位错的运动速度。设位错运动是热激活的,激活能为～2.94eV.比较了900℃下刃型(或60°)位错及螺型位错的速度,后者较小。在不同样品上进行速度的测定,说明原生位错对形变位错运动有阻碍作用。观察到原生位错和晶界位错在外加力作用下的增殖,对位错在增殖中的速度进行了测量。讨论了本工作所用的实验方法,并分析了影响速度测量值的某些因素。

本文分别计算了含Co2+与含Ni2+铁氧体的感生单轴各向异性。前者从Iida提出的物理机构出发,考虑了阳离子缺位对Co2+能级和波函数的影响;后者从Schnettler-Gyorgy所提出的物理机构出发,考虑了四面体位置中Ni2+的Jahn-Teller效应,求出了它的能级和波函数。由此算得此二类物质的感生单轴各向异性和实验结果符合得较好。另外,还解释了θu和θα产生偏离的原因。

假设矢量介子φ(Ι=0,ι=1,mφ=7.30mπ)是K散射交换ρ,ω以及φ介子本身而形成的共振。应用双色散关系中的N/D方法,并设ρ,ω以及交换的φ介子的质量为已知,近似求出KK的分波散射振幅。当要求该振幅能重新给出正确的共振位置(φ的质量)和宽度时,即可得出偶合常数fφKK2、fωKK2与fρKK2所必需满足的关系,从而给出它们可能取的数值。

本文建立了Resse表示的一般形式其中Pl(μ,ν)(z)为雅可比函数。我们比较详细地研究了它与普通Regge表示的关系。在附录中讨论了雅可比函数的若干性质。

本文讨论电子在任意截面形状柱面静电系统中的运动,求得了平衡运动要求的条件和平衡运动的稳定条件。研究了空间电荷存在的情况,求得系统用作电子注的聚束系统时的极限电流;为了估计系统的最大聚束能力,引入最大导流因子gM。应用所提供的理论,研究了共轴圆柱系统,所得结果与文献[3,4]所给完全一致。对于不共轴圆柱系统的讨论,为分析偏心对共轴圆柱系统的影响提供了计算基础;所给曲线表明,偏心使静电旋行聚束系统的最大聚束能力降低。

给出了CuX4-(X=Cl,Br)的晶场能级,导出了这些络离子的立体构形与它们的晶场吸收带位置之间的关系式。计算结果与实验值很好相符。