用低频扭摆的方法,系统地研究了能够较有把握地观测到在Al-0.5％Cu合金中所出现的反常位错内耗的实验程序。结果指出,把试样在拉力试验机上预先拉伸到某一适当的形变量后,立即测量它在某一适当温度下时效的过程中的内耗,可以在内耗-时效时间曲线上观察到一个表现反常振幅效应(即内耗-振幅曲线上出现一个峯值)的时效内耗峯。用经过充分时效而内耗已经达到稳定值的试样,逐渐增加振幅,测量内耗,也可以观察到一个应变振幅内耗峯(当内耗表示为应变振幅的函数时)。此外,用一定的应变振幅在较高温度下,测量经过充分时效的试样的内耗时,也可以观察到一个表现反常振幅效应的温度内耗峯(当内耗表示为温度的函数时)。这些实验结果肯定地指出,在一定测量温度下的振幅内耗峯和表现反常振幅效应的温度内耗峯是存在的。为了找出以前在Al-0.5％Cu中所观察到的反常内耗现象重复性不好的原因,系统地研究了测量内耗所用的应变振幅对于出现振幅内耗峯的影响以及预形变量对于出现时效内耗峯和温度内耗峯的影响。对于出现反常内耗现象的实验条件进行了分析。所观察到的关于反常内耗现象的实验结果,都可用位错拖着溶质原子气团运动的模型来作定性的解释。具体的模型和理论分析将另行报导。
用低频扭摆的方法,系统地研究了能够较有把握地观测到在Al-0.5％Cu合金中所出现的反常位错内耗的实验程序。结果指出,把试样在拉力试验机上预先拉伸到某一适当的形变量后,立即测量它在某一适当温度下时效的过程中的内耗,可以在内耗-时效时间曲线上观察到一个表现反常振幅效应(即内耗-振幅曲线上出现一个峯值)的时效内耗峯。用经过充分时效而内耗已经达到稳定值的试样,逐渐增加振幅,测量内耗,也可以观察到一个应变振幅内耗峯(当内耗表示为应变振幅的函数时)。此外,用一定的应变振幅在较高温度下,测量经过充分时效的试样的内耗时,也可以观察到一个表现反常振幅效应的温度内耗峯(当内耗表示为温度的函数时)。这些实验结果肯定地指出,在一定测量温度下的振幅内耗峯和表现反常振幅效应的温度内耗峯是存在的。为了找出以前在Al-0.5％Cu中所观察到的反常内耗现象重复性不好的原因,系统地研究了测量内耗所用的应变振幅对于出现振幅内耗峯的影响以及预形变量对于出现时效内耗峯和温度内耗峯的影响。对于出现反常内耗现象的实验条件进行了分析。所观察到的关于反常内耗现象的实验结果,都可用位错拖着溶质原子气团运动的模型来作定性的解释。具体的模型和理论分析将另行报导。
本文利用BCS波函数及投影波函数计算了84Po的偶-偶同位素及85At的奇-偶同位素的α约化宽度γα2的绝对值。文中仔细研究γα2的绝对值及相对趋势和参数b,R0,G的关系;b为谐振子势阱参数,R0为道半径,G为对关联相互作用常数。计算结果的分析表明:(1)对关联有利于α的形成,它可以使α约化宽度的绝对值增加一个数量级,且可以使相对趋势与实验符合得更好。(2)BCS波函数的粒子数不守恒的缺点,对于满壳外粒子数不多的核的α衰变来说相当严重。用了粒子数守恒的投影波函数,绝对值可以增加1—2倍,且可以使相对趋势变好。(3)考虑了阻塞效应后,宽度约减小10％,使奇A核的阻碍因子的理论值和实验值一致。(4)绝对值对参数的选择很敏感,而相对趋势对参数则不太敏感,要使理论的绝对值接近实验值,必须取R0在8f以内。
本文利用BCS波函数及投影波函数计算了84Po的偶-偶同位素及85At的奇-偶同位素的α约化宽度γα2的绝对值。文中仔细研究γα2的绝对值及相对趋势和参数b,R0,G的关系;b为谐振子势阱参数,R0为道半径,G为对关联相互作用常数。计算结果的分析表明:(1)对关联有利于α的形成,它可以使α约化宽度的绝对值增加一个数量级,且可以使相对趋势与实验符合得更好。(2)BCS波函数的粒子数不守恒的缺点,对于满壳外粒子数不多的核的α衰变来说相当严重。用了粒子数守恒的投影波函数,绝对值可以增加1—2倍,且可以使相对趋势变好。(3)考虑了阻塞效应后,宽度约减小10％,使奇A核的阻碍因子的理论值和实验值一致。(4)绝对值对参数的选择很敏感,而相对趋势对参数则不太敏感,要使理论的绝对值接近实验值,必须取R0在8f以内。
对无线电波绕球形地球的绕射这一经典问题作了很简要的综述,目的在于指出在这一般认为十分成熟的理论中在数学推导上存在一个错误。论述了正确的分析方法。
对无线电波绕球形地球的绕射这一经典问题作了很简要的综述,目的在于指出在这一般认为十分成熟的理论中在数学推导上存在一个错误。论述了正确的分析方法。
本文利用Ge中浅施主杂质的有效质量波函数,计算了束缚电子的等效自旋哈密顿量,得到在没有外压力及内应力情况下,仅当Ge的导带极值偏离(2π)/α[111]点时,共振频率才是各向导性的。指出通过电子-核双共振实验可能较确切的判断Ge中导带极值的位置。利用畸变势理论及微扰论,计算了在一般缓变的非均匀内应力作用下,共振频率及自旋共振线宽随磁场方向的各向异性变化。最后具体计算了在以拉伸法生长的晶体中和在弯曲的范性形变下,在最主要的位错类型([211]方向刃型及[110]方向螺型位错)应力场作用下自旋共振线宽的非均匀加宽,指出对于不同类型及不同取向的位错有不同的各向异性线宽。与Wilson的实验结果比较,我们得到当位错密度小于104εcm-2时,位错应力不是形成线宽的主要原因,当磁场在不同的(110)平面内旋转时,线宽将有相似的各向异性。当位错密度大于105εcm-2时,位错应力对线宽的贡献是主要的。这很容易由实验判断。
本文利用Ge中浅施主杂质的有效质量波函数,计算了束缚电子的等效自旋哈密顿量,得到在没有外压力及内应力情况下,仅当Ge的导带极值偏离(2π)/α[111]点时,共振频率才是各向导性的。指出通过电子-核双共振实验可能较确切的判断Ge中导带极值的位置。利用畸变势理论及微扰论,计算了在一般缓变的非均匀内应力作用下,共振频率及自旋共振线宽随磁场方向的各向异性变化。最后具体计算了在以拉伸法生长的晶体中和在弯曲的范性形变下,在最主要的位错类型([211]方向刃型及[110]方向螺型位错)应力场作用下自旋共振线宽的非均匀加宽,指出对于不同类型及不同取向的位错有不同的各向异性线宽。与Wilson的实验结果比较,我们得到当位错密度小于104εcm-2时,位错应力不是形成线宽的主要原因,当磁场在不同的(110)平面内旋转时,线宽将有相似的各向异性。当位错密度大于105εcm-2时,位错应力对线宽的贡献是主要的。这很容易由实验判断。
本文利用纯金属的Morse势计算了五种面心立方金属(Pb,Ag,Ni,Cu,Al)的空穴松弛能和空穴形成能。计算松弛能时,除了考虑原子重新分布外,还特别考虑了电子云重新分布所引起的效应。如此求得的松弛能分别为1.27—1.36,>1.73,1.93—2.29,1.52—1.84,>1.09eV,比没有考虑电子云重新分布求得的松弛能大一个多电子伏。这表明电子云重新分布对松弛能的贡献是很重要的。由于求得了比较合理的松弛能,因而找到了一种模型比较简单,充分考虑到松弛效应的、适合于计算所有立方金属空穴形成能的方法。最后,求得上述金属的空穴形成能分别为0.64—0.74,<1.22,1.78—2.15,1.52—1.85,<1.67eV,比实验值大一些;它给出了上述实际金属的合理的理论上限值。
本文利用纯金属的Morse势计算了五种面心立方金属(Pb,Ag,Ni,Cu,Al)的空穴松弛能和空穴形成能。计算松弛能时,除了考虑原子重新分布外,还特别考虑了电子云重新分布所引起的效应。如此求得的松弛能分别为1.27—1.36,>1.73,1.93—2.29,1.52—1.84,>1.09eV,比没有考虑电子云重新分布求得的松弛能大一个多电子伏。这表明电子云重新分布对松弛能的贡献是很重要的。由于求得了比较合理的松弛能,因而找到了一种模型比较简单,充分考虑到松弛效应的、适合于计算所有立方金属空穴形成能的方法。最后,求得上述金属的空穴形成能分别为0.64—0.74,<1.22,1.78—2.15,1.52—1.85,<1.67eV,比实验值大一些;它给出了上述实际金属的合理的理论上限值。
利用旋转坐标系的方法,计算了各向异性铁磁体的磁化强度和共振频率。求得了共振频率和交换作用张量之间的关系,由这些关系式利用共振数据可以确定交换主轴的方向和交换作用主值。
利用旋转坐标系的方法,计算了各向异性铁磁体的磁化强度和共振频率。求得了共振频率和交换作用张量之间的关系,由这些关系式利用共振数据可以确定交换主轴的方向和交换作用主值。
应用李政道和杨振宁提出的二元碰撞展开法,对于有强短程排斥互作用的多粒子系发展了一种按图形计算双时间-温度格临函数的规则,其各级近似由二体散射相移的各次幂所表征。文中得出了玻色和费米统计情形的计算规则,并且研究了有凝聚相存在的玻色系统。本文主要讨论了单粒子格临函数的图形技术,但容易将它们推广应用于计算各种时间-温度格临函数。
应用李政道和杨振宁提出的二元碰撞展开法,对于有强短程排斥互作用的多粒子系发展了一种按图形计算双时间-温度格临函数的规则,其各级近似由二体散射相移的各次幂所表征。文中得出了玻色和费米统计情形的计算规则,并且研究了有凝聚相存在的玻色系统。本文主要讨论了单粒子格临函数的图形技术,但容易将它们推广应用于计算各种时间-温度格临函数。
本文对于任意形状的光滑柱状理想导体的衍射提出一种级数解法。方法的原理与层变媒质的Bremmer级数相似:先以内接多面稜柱代替上述光滑柱体;将此稜柱产生的衍射场展为一个级数。级数之首项为几何光学场;级数之第二项为稜柱的所有各稜产生的元衍射场之和,其中每个元衍射场皆取Sommerfeld问题的解,即将该稜之两侧面视为半无限大的平面。上述每一元衍射场皆投射在其相邻稜上,并在相邻稜上发生衍射;这一衍射场随之又投射在下一个相邻稜上而发生衍射;依此类推。按此方式依次被各稜所衍射的场称为“主掠射元场”。级数之第三项即为这些主掠射元场之和。被某一稜A衍射而后又在相邻的稜B上衍射的某一元场,同样会回射到A上;然后以上述“主掠射”方式传递下去,这样的场称为“一次反射元场”。级数的第四项即为这些一次反射元场之和。依此类推。一般说来,级数之第m项(m>3)为m-3次反射元场之和。元场在任何一稜上的衍射皆取Sommerfeld解。当内接多面稜柱之面数趋向无穷,且每面之宽度趋向零时,多面稜柱即趋于光滑柱体,且级数每一项的求和变为一个积分。这时该级数总和之极限即为原问题之解。对级数之前三项单独进行了推导。对于一般的第m项(m>3),导出了一个递推公式。最后,对该级数之收敛条件进行了探讨。
本文对于任意形状的光滑柱状理想导体的衍射提出一种级数解法。方法的原理与层变媒质的Bremmer级数相似:先以内接多面稜柱代替上述光滑柱体;将此稜柱产生的衍射场展为一个级数。级数之首项为几何光学场;级数之第二项为稜柱的所有各稜产生的元衍射场之和,其中每个元衍射场皆取Sommerfeld问题的解,即将该稜之两侧面视为半无限大的平面。上述每一元衍射场皆投射在其相邻稜上,并在相邻稜上发生衍射;这一衍射场随之又投射在下一个相邻稜上而发生衍射;依此类推。按此方式依次被各稜所衍射的场称为“主掠射元场”。级数之第三项即为这些主掠射元场之和。被某一稜A衍射而后又在相邻的稜B上衍射的某一元场,同样会回射到A上;然后以上述“主掠射”方式传递下去,这样的场称为“一次反射元场”。级数的第四项即为这些一次反射元场之和。依此类推。一般说来,级数之第m项(m>3)为m-3次反射元场之和。元场在任何一稜上的衍射皆取Sommerfeld解。当内接多面稜柱之面数趋向无穷,且每面之宽度趋向零时,多面稜柱即趋于光滑柱体,且级数每一项的求和变为一个积分。这时该级数总和之极限即为原问题之解。对级数之前三项单独进行了推导。对于一般的第m项(m>3),导出了一个递推公式。最后,对该级数之收敛条件进行了探讨。