计算了B2羣不可约表示的直接乘积4×4,4×5,4×10和5×5分解中的约化系数。给出了它在基本粒子强相互作用对称性方面的应用的若干例子:推导了散射截面关系和低维数表示的质量关系,讨论了共振态的填充和衰变情况以及R反演不变性等。
计算了B2羣不可约表示的直接乘积4×4,4×5,4×10和5×5分解中的约化系数。给出了它在基本粒子强相互作用对称性方面的应用的若干例子:推导了散射截面关系和低维数表示的质量关系,讨论了共振态的填充和衰变情况以及R反演不变性等。
本文目的是指明,无规与高阶无规位相近似法(以下简称RPA及HRPA)也可由一变分法推得,由此可使我们能更清楚地了解RPA及HRPA的久期方程不具有厄密性的原因,此外变分法还自然地指出了一个使相应的久期方程会具有厄密性的途径以及一个确定粒子填充数的方法。
本文目的是指明,无规与高阶无规位相近似法(以下简称RPA及HRPA)也可由一变分法推得,由此可使我们能更清楚地了解RPA及HRPA的久期方程不具有厄密性的原因,此外变分法还自然地指出了一个使相应的久期方程会具有厄密性的途径以及一个确定粒子填充数的方法。
本文得到了具有二个等价次点阵的椭球亚铁磁体的二支自旋波频谱,它们的频率对波矢的依赖关系与椭球铁磁体的相类似。基于此频谱和交换作用涨落引起的自旋波散射机制,计算了一致共振和交换共振的线宽。对一致共振,用等效铁磁模型得到的结论仍然成立:非磁性杂质离子和自旋等于同一次点阵上基质离子自旋的杂质离子,对一致共振线宽没有贡献。但这二类杂质离子对交换共振线宽有贡献。用我们的简化亚铁磁模型对各种铁氧体算得的一致共振线宽差别很大。对许多尖晶石型铁氧体,交换作用涨落可能是引起一致共振线宽的主要机制。对于铁氧体,由此机制引起的交换共振线宽其数量级为几十奥。
本文得到了具有二个等价次点阵的椭球亚铁磁体的二支自旋波频谱,它们的频率对波矢的依赖关系与椭球铁磁体的相类似。基于此频谱和交换作用涨落引起的自旋波散射机制,计算了一致共振和交换共振的线宽。对一致共振,用等效铁磁模型得到的结论仍然成立:非磁性杂质离子和自旋等于同一次点阵上基质离子自旋的杂质离子,对一致共振线宽没有贡献。但这二类杂质离子对交换共振线宽有贡献。用我们的简化亚铁磁模型对各种铁氧体算得的一致共振线宽差别很大。对许多尖晶石型铁氧体,交换作用涨落可能是引起一致共振线宽的主要机制。对于铁氧体,由此机制引起的交换共振线宽其数量级为几十奥。
本文讨论了半导体中载流子与laser光的相互作用。把电子运动分成带内运动与带间跃迁两部分后,我们证明了在强光下,电子在带内运动的状态仍可用准动量p来标志,但不再是通常的稳定态,波函数中包含一个描述强迫运动的因子。进一步以带间跃迁或其他带内过程作为微扰,由于在跃迁过程中强迫运动部分也改变,因此伴随着有多光子的吸收或发射。根据一般的讨论,我们计算了由电声子作用引起的自由载流子吸收及由价带到导带的直接多光子跃迁的吸收系数。粗略估计表明,在一些材料中,上述过程引起的双光子吸收是可以被观察到的,特别是Ge中的直接双光子吸收。我们还指出,利用一束laser光射到晶体上后,可以在红外区域看到激子吸收线,从而提高了分辨率,并具体地分析了CdSe中激子吸收的情况。
本文讨论了半导体中载流子与laser光的相互作用。把电子运动分成带内运动与带间跃迁两部分后,我们证明了在强光下,电子在带内运动的状态仍可用准动量p来标志,但不再是通常的稳定态,波函数中包含一个描述强迫运动的因子。进一步以带间跃迁或其他带内过程作为微扰,由于在跃迁过程中强迫运动部分也改变,因此伴随着有多光子的吸收或发射。根据一般的讨论,我们计算了由电声子作用引起的自由载流子吸收及由价带到导带的直接多光子跃迁的吸收系数。粗略估计表明,在一些材料中,上述过程引起的双光子吸收是可以被观察到的,特别是Ge中的直接双光子吸收。我们还指出,利用一束laser光射到晶体上后,可以在红外区域看到激子吸收线,从而提高了分辨率,并具体地分析了CdSe中激子吸收的情况。
本程序对所计算的晶体中的原子种类数目N及在单位晶胞中的原子个数,原则上并没有加以任何限制。衍射指标h,k,l均可分别由-99到+99,这对于较复杂的结构来说已经是足够了。如果所需计算的Fc(hkl)个数相当多,则可以采用一些措施,使机器对它分批进行计算。
本程序对所计算的晶体中的原子种类数目N及在单位晶胞中的原子个数,原则上并没有加以任何限制。衍射指标h,k,l均可分别由-99到+99,这对于较复杂的结构来说已经是足够了。如果所需计算的Fc(hkl)个数相当多,则可以采用一些措施,使机器对它分批进行计算。
本文利用SU3羣无穷小算子的对易关系,求出了SU3羣的所有不可约U表示,并导出了SU3羣的约化系数满足的方程。作为例子,我们计算了SU3羣的(01)×(10),(11)×(10),(11)×(11),(30)×(11)的约化系数。
本文利用SU3羣无穷小算子的对易关系,求出了SU3羣的所有不可约U表示,并导出了SU3羣的约化系数满足的方程。作为例子,我们计算了SU3羣的(01)×(10),(11)×(10),(11)×(11),(30)×(11)的约化系数。
本文用L.A.P.Balázs处理低能π-π散射问题的方法,计算了低能K-π散射问题。得到了K-π散射I=1/2的P波共振位置(SR)1/2=854MeV,半宽度[Г11/2]/2=126MeV和过程π+π→K+K的振幅的唯象常数ξ=0.3μ-2,共振位置与目前的实验符合较好。
本文用L.A.P.Balázs处理低能π-π散射问题的方法,计算了低能K-π散射问题。得到了K-π散射I=1/2的P波共振位置(SR)1/2=854MeV,半宽度[Г11/2]/2=126MeV和过程π+π→K+K的振幅的唯象常数ξ=0.3μ-2,共振位置与目前的实验符合较好。
本文利用广义正则变换和自洽场方法,讨论了单个杂质对超导体的影响。证明在磁性杂质附近,可能形成一个束缚态的元激发,其能量位于能隙之中。求出了能级和波函数的解析表达式,并计算了束缚能级所引起的附加电磁吸收。讨论了与此有关的隧道和高频吸收实验。此外,还讨论了非磁性杂质对连续谱元激发的影响及杂质附近能隙的变化。
本文利用广义正则变换和自洽场方法,讨论了单个杂质对超导体的影响。证明在磁性杂质附近,可能形成一个束缚态的元激发,其能量位于能隙之中。求出了能级和波函数的解析表达式,并计算了束缚能级所引起的附加电磁吸收。讨论了与此有关的隧道和高频吸收实验。此外,还讨论了非磁性杂质对连续谱元激发的影响及杂质附近能隙的变化。
本文以η→ππγ与η→3π的分支比为示例,讨论了通过对质量作解析延拓,用色散关系处理不稳定粒子衰变的方法,尤其是存在有反常阈的情形。在一定近似下,求得了分支比R((η→ππγ)/(η→3π))≈0.65,与最新实验结果相近。
本文以η→ππγ与η→3π的分支比为示例,讨论了通过对质量作解析延拓,用色散关系处理不稳定粒子衰变的方法,尤其是存在有反常阈的情形。在一定近似下,求得了分支比R((η→ππγ)/(η→3π))≈0.65,与最新实验结果相近。
本文通过强作用K-π中间态,利用色散关系理论计算了Г(Kμ3+)/Г(Kα3+),Г(K20→πμ+ν)/Г(K20→πe+ν),{Г(K20→πe+ν)+Г(K20→πe-ν)}/Г(Kα3+)分支比及Kμ3+衰变中的μ谱,当选择定则|ΔI|=1/2及ΔS=+ΔQ被破坏,并且Iz=1/2及Iz=3/2的振幅f3/2 1/2(0)及f3/2 3/2(0)不等时,上述分支比与实验能很好符合。在本文的理论中,形式因子不是常数。
本文通过强作用K-π中间态,利用色散关系理论计算了Г(Kμ3+)/Г(Kα3+),Г(K20→πμ+ν)/Г(K20→πe+ν),{Г(K20→πe+ν)+Г(K20→πe-ν)}/Г(Kα3+)分支比及Kμ3+衰变中的μ谱,当选择定则|ΔI|=1/2及ΔS=+ΔQ被破坏,并且Iz=1/2及Iz=3/2的振幅f3/2 1/2(0)及f3/2 3/2(0)不等时,上述分支比与实验能很好符合。在本文的理论中,形式因子不是常数。
根据最大解析性原理,本文研究了Regge轨迹的某些性质。证明了与各粒子对应的Regge轨迹在阈能以下是能量的单调增加函数,当t→±∞时,每一轨迹的渐近极限是相同的。特别当-t0p (0)应满足不等式1/t0p(0)0由αp(t=-t0)=0决定。
根据最大解析性原理,本文研究了Regge轨迹的某些性质。证明了与各粒子对应的Regge轨迹在阈能以下是能量的单调增加函数,当t→±∞时,每一轨迹的渐近极限是相同的。特别当-t0p (0)应满足不等式1/t0p(0)0由αp(t=-t0)=0决定。
在联合原子核研究所同步稳相加速器上,研究了高能π+、K+介子和原子核的相互作用。利用角度式气体契连科夫速度选择器,选择出纯度约达99％的K+介子束。测量了C,Al,Cu,Sn,Pb等原子核对动量为2.72,3.70,4.75Бэв/с的π+介子的吸收截面;C,Al,Cu等原子核对动量为4.75Бэв/с的K+介子的吸收截面;C,Sn,Pb等原子核对动量为2.72Бэв/с的质子的吸收截面。利用光学模型,对所得的数据进行了分析。根据π+介子数据得到的原子核半径公式,与T.Bowen根据π-介子的测量数据所得结果不同,而和由低能中子散射工作所得结果(R=1.37A1/3×10-13厘米)相符。根据K+介子数据得到,高能K+介子与核子相互作用全截面的平均值应为σKN=16.5毫巴。
在联合原子核研究所同步稳相加速器上,研究了高能π+、K+介子和原子核的相互作用。利用角度式气体契连科夫速度选择器,选择出纯度约达99％的K+介子束。测量了C,Al,Cu,Sn,Pb等原子核对动量为2.72,3.70,4.75Бэв/с的π+介子的吸收截面;C,Al,Cu等原子核对动量为4.75Бэв/с的K+介子的吸收截面;C,Sn,Pb等原子核对动量为2.72Бэв/с的质子的吸收截面。利用光学模型,对所得的数据进行了分析。根据π+介子数据得到的原子核半径公式,与T.Bowen根据π-介子的测量数据所得结果不同,而和由低能中子散射工作所得结果(R=1.37A1/3×10-13厘米)相符。根据K+介子数据得到,高能K+介子与核子相互作用全截面的平均值应为σKN=16.5毫巴。
本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ0而l任意时,或者2d《ξ0而l0而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。
本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ0而l任意时,或者2d《ξ0而l0而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。
利用谐振子壳模型波函数,计算了1p壳层核的α折合宽度。计算结果发现,正常宇称能级的理论值与实验值大致相符,反常宇称能级的理论值则比实验值小得多。这表明至少对于反常宇称能级,通常的单量子激发壳模型波函数还不能正确反映原子核的结团现象,它们与原子核真实状态的差别还是很大的。
利用谐振子壳模型波函数,计算了1p壳层核的α折合宽度。计算结果发现,正常宇称能级的理论值与实验值大致相符,反常宇称能级的理论值则比实验值小得多。这表明至少对于反常宇称能级,通常的单量子激发壳模型波函数还不能正确反映原子核的结团现象,它们与原子核真实状态的差别还是很大的。
在小型拉力试验机上测量了含有不同碳量的镍在范性形变过程中的低频内耗,观察到当含碳量在某一适当范围以内时,内耗-应变曲线上出现了一系列的峯值。研究了不同热处理条件、预先冷加工以及测量温度对于这种内耗现象的影响。初步认为这一系列峯值是由于位错气团在形变过程中的更迭形成和解脱所引起的。
在小型拉力试验机上测量了含有不同碳量的镍在范性形变过程中的低频内耗,观察到当含碳量在某一适当范围以内时,内耗-应变曲线上出现了一系列的峯值。研究了不同热处理条件、预先冷加工以及测量温度对于这种内耗现象的影响。初步认为这一系列峯值是由于位错气团在形变过程中的更迭形成和解脱所引起的。
本文提出了用X射线劳埃法鉴定SiC六方多型体类型的方法。在详细地研究了xH类型与基本类型6H,15R和4H的倒易阵点间相互配置关系的基础上,推导出了这些具体关系,这种关系对于xH—6H来说仅有十二种,对于xH—15R仅有三十种,对于xH—4H仅有八种。上述的点间关系表和推求xH类型单位晶胞密堆积层数的公式同样可以普遍适用于以其他X射线照相法鉴定SiC六方多型体类型的工作中。用本文所提出的方法研究了许多实验室升华法制备的SiC单晶体以及部分工业SiC晶体。发现了七种六方SiC新多型体141H,80H,58H,55H,15H,9H和7H。新类型的定间羣为C3v1(C3m),六方晶胞c轴参数分别为:355.26?,201.57?,146.14?,138.58?,37.794?,22.676?和17.637?。
本文提出了用X射线劳埃法鉴定SiC六方多型体类型的方法。在详细地研究了xH类型与基本类型6H,15R和4H的倒易阵点间相互配置关系的基础上,推导出了这些具体关系,这种关系对于xH—6H来说仅有十二种,对于xH—15R仅有三十种,对于xH—4H仅有八种。上述的点间关系表和推求xH类型单位晶胞密堆积层数的公式同样可以普遍适用于以其他X射线照相法鉴定SiC六方多型体类型的工作中。用本文所提出的方法研究了许多实验室升华法制备的SiC单晶体以及部分工业SiC晶体。发现了七种六方SiC新多型体141H,80H,58H,55H,15H,9H和7H。新类型的定间羣为C3v1(C3m),六方晶胞c轴参数分别为:355.26?,201.57?,146.14?,138.58?,37.794?,22.676?和17.637?。
本文从电压和电流的基本方程出发,分析脉冲波在多导线传输系统的传播现象和多导线传输系统导线间的相互耦合作用。分析结果说明,在一轮换的双迴三相输电系统里,系统扰动将会产生四种不同速度的脉冲波,对这四种不同速度的脉冲波将有四个不同的特性阻抗。应用这些关系,将能解释线路上脉冲波传播的某些特殊现象,和按照给定的边际条件计算出波的畸变、反射和折射等等,从而对线路实测结果提供理论依据。文中举例说明这分析方法。这脉冲波传播的理论分析被进一步推广应用到稳态交流运行情况,并推导出双迴输电线的等效电路。
本文从电压和电流的基本方程出发,分析脉冲波在多导线传输系统的传播现象和多导线传输系统导线间的相互耦合作用。分析结果说明,在一轮换的双迴三相输电系统里,系统扰动将会产生四种不同速度的脉冲波,对这四种不同速度的脉冲波将有四个不同的特性阻抗。应用这些关系,将能解释线路上脉冲波传播的某些特殊现象,和按照给定的边际条件计算出波的畸变、反射和折射等等,从而对线路实测结果提供理论依据。文中举例说明这分析方法。这脉冲波传播的理论分析被进一步推广应用到稳态交流运行情况,并推导出双迴输电线的等效电路。
由于电阻温升的改变滞后于电流的改变,在非线性串联电路中可能引起电流或电压振幅的周期性突变——拟张弛振动。本文分析了产生这种拟张弛振动的充要条件,以及当参数变化时系统的性态等问题。
由于电阻温升的改变滞后于电流的改变,在非线性串联电路中可能引起电流或电压振幅的周期性突变——拟张弛振动。本文分析了产生这种拟张弛振动的充要条件,以及当参数变化时系统的性态等问题。
本文研究了在氘核削裂反应中伴随有靶核核心激发的情况。在这种情况下,假定由于核子-核子剩余相互作用,靶核的组态除了通常壳模型组态外,还混杂有核心激发的组态。同样,剩余核的组态主要是某一种核心激发的组态,但也还混杂有别种组态。在这假定下,给出了所考虑的反应过程的微分截面表示式。它表明,反应截面主要由靶核的组态混合所贡献。一般说来,组态的混合程度不大,故可预期截面数值是较小的。公式还表明,反应角分布的特征峯是由核心在激发后留下来的空穴态的轨道角动量量子数所决定的。这二点结论与这类反应的实验结果是一致的。运用这公式具体估计了六个反应事例的核谱因子,在实验误差内,理论值和从实验的估计值大致相合。
本文研究了在氘核削裂反应中伴随有靶核核心激发的情况。在这种情况下,假定由于核子-核子剩余相互作用,靶核的组态除了通常壳模型组态外,还混杂有核心激发的组态。同样,剩余核的组态主要是某一种核心激发的组态,但也还混杂有别种组态。在这假定下,给出了所考虑的反应过程的微分截面表示式。它表明,反应截面主要由靶核的组态混合所贡献。一般说来,组态的混合程度不大,故可预期截面数值是较小的。公式还表明,反应角分布的特征峯是由核心在激发后留下来的空穴态的轨道角动量量子数所决定的。这二点结论与这类反应的实验结果是一致的。运用这公式具体估计了六个反应事例的核谱因子,在实验误差内,理论值和从实验的估计值大致相合。