本工作是用X射线衍射法测量锗、硅和合金InSb及GaAs在不同温度的点阵常数,观察它们的热膨涨,并求得它们的膨涨系数。

本文同时考虑到短路和开路损坏的两种可能,分析了用羣体组合法提高电路元件可靠性的有效程度。对开关式元件和有限参量元件都作了分析,给出各种情况下的可靠性增益公式和曲线。考虑了复合元件中部分基本元件损坏而引起其余元件负载变化的影响。讨论了组合件的平均寿命,指出组合法并不适用于长期运用的可修系统。文中并提示了实用设计考虑和给出一些说明例子。

本文分析了点阵空位的弹性模型,给出点阵空位与任意内应力系统的相互作用能量普遍表达式。作为一个物理上有意义的例子,推导了棱柱位错环与点阵空位弹性相互作用能量的具体表达式。给出了关于铝中位错环的数值结果,并对结果进行了讨论。

在质子能量为1416千电子伏的附近,测量了Na23(p,α)反应的α0激发曲线。在这里过去认为只有一个共振能级,现在发现有两个能级存在:一个在质子能量为1416.8千电子伏处;另一个在1410.4千电子伏处,这个能级主要通过放出α粒子而衰变到Ne20的基态。

本文提出了一个分析非线性系统瞬变过程的新计算方法。这个方法首先把非线性系统用非线性及线性的R,L,C线路元件等效。从等效线路选择适当变量,用线路分析法则写成特定形式的非线性微分方程组。然后在相平面上用我们提出的图解方法进行积分来求解方程。这方法具有下列优点:(1)可以从非线性元件的实验曲线直接求微分方程的解,不必先求出非线性函数的解析表示式;(2)计算方便,工具简单,分析过程的物理图象清楚;(3)有一定的精确度。应用这个方法分析了隧道二极管的几种基本运用线路。得出的计算结果与实验和用电子计算机计算的结果符

本文用量子力学的方法处理了分子在失调腔中的辐射行为。解释了Higa在双腔Maser实验中发现的现象:当第一个腔的频率失调达到某一临界值时,在第二个腔中发生按分子中心频率的突发振荡。求出产生这种突发振荡现象的临界失调公式。也考虑了合作效应的影响。并定性地解释了Страховский等的分子在第二腔中的辐射功率与第一腔频率失调程度的相关性的实验。

本文讨论了强流电子束通过周期性静电场和静磁场的稳定性。说明了圆柱形电子束通过简谐电磁场和周期性非简谐场例如锯齿形,矩形,等腰梯形等静电场的稳定和不稳定区域。将各种场的主要不稳定区进行比较,表明锯齿形场的主要不稳定区宽度最小。指出当空间电荷效应不可略去时,电子束在稳定区内并不是无条件稳定而是有条件稳定的。这与空间电荷电流大小以及电子束的振幅有关。

本文研究了晶体点阵热运动涨落对于M?ssbauer谱线宽度的影响——加宽谱线(称热致宽)。定量地讨论了完整晶体和杂质原子M?ssbauer谱线的这种致宽,并以各向同性三维谐振子为例,对退化情形作了特别讨论。最后还讨论了一个具体例子——单原子立方晶体结点上杂质原子M?ssbauer谱线的热致宽。

本文从描述理想等离子体运动的线性化磁流体方程出发,导出了压缩量▽·ξ的一个表示式。一般情况下,它由两部分组成:第一部分与纵向惯性运动有关,第二部分与载等离子体力管的均匀运动(膨胀与压缩)有关。对于等离子体柱,我们讨论了几种可以将含有压缩量项的运动方程作某些简化的情形。利用这些结果,导出和分析了描述具有均匀分布电流的等离子体柱运动的色散关系。

在液态空气温度至350℃的范围内,用在形变过程中改变形变速率和温度的方法测定了Al-Cu合金多晶体(α+θ相)的流变应力和形变速率、温度之间的依赖关系。从高温区域流变应力和形变速率的对数以及温度之间的线性关系得出激活能约为1.7eV左右,与纯铝的自扩散激活能相近。同时计算得激活体积随形变度的增大和温度的降低而减小。这些结果说明:Al-Cu合金中高温区流变应力可以用Hirsch的割阶理论来解释。在低温区域存在着另一个热激活过程,由速度效应和应力弛豫实验得出的激活体积均随形变度的增大而减小,而且二者在数值上也

本文报导了在流体静压力18000kg/cm2范围内,高简并砷化镓P-N结峯值电流lp,谷值电流lv,峯值电压Vp,谷值电压Vv,指数过剩电流Ix等参数随压力变化的实验结果。分析了峯值电压Vp随压力P的增加按指数规律显著减小,以及指数过剩电流Ix的斜率S=(dlnIx)/dV随压力P的增加而增加等实验结果。分析的