本文详细地讨论了Elliott引入的SU3波函数Ψ(α(λμ)KLM)=(2L+1)/(C(λμKL))∫xΩ(a(λμ)K)×DMKL(Ω)dΩ的若干性质。利用SU3群的无穷小算子的对易关系,可以较容易地求出“内部态”波函数x(α(λμ)K)的表达式,并由此求出了波函数Ψ(α(λμ)KLM)的母分数系数(f·p·c.)。作为例子,本文还计算出了sd壳中有两或三个核子的SU3波函数Ψ(α(λμ)KLM)。
本文详细地讨论了Elliott引入的SU3波函数Ψ(α(λμ)KLM)=(2L+1)/(C(λμKL))∫xΩ(a(λμ)K)×DMKL(Ω)dΩ的若干性质。利用SU3群的无穷小算子的对易关系,可以较容易地求出“内部态”波函数x(α(λμ)K)的表达式,并由此求出了波函数Ψ(α(λμ)KLM)的母分数系数(f·p·c.)。作为例子,本文还计算出了sd壳中有两或三个核子的SU3波函数Ψ(α(λμ)KLM)。
在对于质子上的π+光生过程作了一般考虑以后,我们从Mandelstam表示出发,进而采用Cini-Fubini近似,导出了关于π光生幅的同位标部分的公式。按照核子电磁结构的新数据,我们选取π-π作用的I=J=l共振的参数为tr=22,αv=1.52,bv=1.60,计算了(dσ)/(dΩ)(90°),(dσ‖)/(dσ⊥)(90°)以及三个能量下的角分布。结果表明,在加入π-π作用之后,与实验之间的调合比之Chew等的结果有很大的改进,所定出的γ+π→π+π的耦合常数约为∧≈-2.8e,这与时行的结果大致相符。
在对于质子上的π+光生过程作了一般考虑以后,我们从Mandelstam表示出发,进而采用Cini-Fubini近似,导出了关于π光生幅的同位标部分的公式。按照核子电磁结构的新数据,我们选取π-π作用的I=J=l共振的参数为tr=22,αv=1.52,bv=1.60,计算了(dσ)/(dΩ)(90°),(dσ‖)/(dσ⊥)(90°)以及三个能量下的角分布。结果表明,在加入π-π作用之后,与实验之间的调合比之Chew等的结果有很大的改进,所定出的γ+π→π+π的耦合常数约为∧≈-2.8e,这与时行的结果大致相符。
用V-A型等效费米弱作用哈密顿计算了反应v+O16→N16+l的截面,得到了总截面与入射反中微子能量之间的关系曲线。计算表明,当Ev=400MeV时,等效赝标量作用项使总截面减小23％。
用V-A型等效费米弱作用哈密顿计算了反应v+O16→N16+l的截面,得到了总截面与入射反中微子能量之间的关系曲线。计算表明,当Ev=400MeV时,等效赝标量作用项使总截面减小23％。
对于任意截面的载流导体在垂直均匀磁场中所生的影响问题研究得还不够,最近看到有关椭圆截面的导线表面上的磁场的文献。本文指出,如果导线的截面曲线是由保角变换得到的曲线坐标中的一个坐标等于常数表出,则此问题可以容易地解出,即导线内外的磁场可以求得。
对于任意截面的载流导体在垂直均匀磁场中所生的影响问题研究得还不够,最近看到有关椭圆截面的导线表面上的磁场的文献。本文指出,如果导线的截面曲线是由保角变换得到的曲线坐标中的一个坐标等于常数表出,则此问题可以容易地解出,即导线内外的磁场可以求得。
在这工作中,应用金相显微和电子显微的方法,研究了钼及钼合金中的多边化过程,探明了多边化形成的条件及其发展的规律性。研究结果证实了多边化对再结晶过程的抑制作用。同时,采用测定硬度及弹性极限的方法,研究了多边化对钼及钼合金机械性能的影响;结果表明:多边形组织显著地提高了这些性能。
在这工作中,应用金相显微和电子显微的方法,研究了钼及钼合金中的多边化过程,探明了多边化形成的条件及其发展的规律性。研究结果证实了多边化对再结晶过程的抑制作用。同时,采用测定硬度及弹性极限的方法,研究了多边化对钼及钼合金机械性能的影响;结果表明:多边形组织显著地提高了这些性能。
本文为前文的继续。文中,更普遍地讨论了双扩散参量二极管的串联电阻及截止频率,所用处理方法及结果直接包括单扩散情况在内。指出:若材料很厚(w>>r),这时采用单扩散法是适当的,但当材料减薄时就应采用双扩散法,以便进一步有效地提高fc。
本文为前文的继续。文中,更普遍地讨论了双扩散参量二极管的串联电阻及截止频率,所用处理方法及结果直接包括单扩散情况在内。指出:若材料很厚(w>>r),这时采用单扩散法是适当的,但当材料减薄时就应采用双扩散法,以便进一步有效地提高fc。
本文从晶体管饱和状态下的载流子分布与外部电流的关系出发,分析了合金管饱和区的直流特性;结果说明,在同样的集电极与基极电流比值下,在大电流情况的饱和压降将比小电流情况大一倍以上,这说明了Moll的饱和压降表达式在大电流情况误差大至一倍的原因。分析的结果,不论在小电流或大电流情况均与实验测量结果符合很好。分析结果说明了Miller所提出的测量发射极串联电阻的方法所测得的结果,对合金管来说,实际上不是发射极串联电阻,而主要是基极层纵向电阻和少子与多子迁移率比值的乘积,还包括基极层横向电阻的影响。分析结果还说明,对合金管从降低饱和压降的观点来说,集电极面积的多余部分(即集电极与基极重迭部分),在保持足够的电流放大系数下,应尽可能地减小。最后对台面类型的晶体管在饱和状态下的特性也进行了计算,并与实测结果作了比较。计算结果可以用来分析台面类型晶体管饱和压降各有关因素的贡献,同时也可用来准确地测量集电极串联电阻等有关参数。
本文从晶体管饱和状态下的载流子分布与外部电流的关系出发,分析了合金管饱和区的直流特性;结果说明,在同样的集电极与基极电流比值下,在大电流情况的饱和压降将比小电流情况大一倍以上,这说明了Moll的饱和压降表达式在大电流情况误差大至一倍的原因。分析的结果,不论在小电流或大电流情况均与实验测量结果符合很好。分析结果说明了Miller所提出的测量发射极串联电阻的方法所测得的结果,对合金管来说,实际上不是发射极串联电阻,而主要是基极层纵向电阻和少子与多子迁移率比值的乘积,还包括基极层横向电阻的影响。分析结果还说明,对合金管从降低饱和压降的观点来说,集电极面积的多余部分(即集电极与基极重迭部分),在保持足够的电流放大系数下,应尽可能地减小。最后对台面类型的晶体管在饱和状态下的特性也进行了计算,并与实测结果作了比较。计算结果可以用来分析台面类型晶体管饱和压降各有关因素的贡献,同时也可用来准确地测量集电极串联电阻等有关参数。