本文研究了由交换作用耦合起来的有限长铁磁和反铁磁链组成的自旋系统。计算了系统的自旋波的波谱及其在微波场中的激发强度。在所得结果的基础上,讨论了具有反铁磁氧化层的铁磁薄膜的自旋波共振。阐明了等效地使用唯象普遍边界条件的可能性。根据理论,对等效的表面各向异性能作了估计,得到的数值与实验值很好地符合。
本文研究了由交换作用耦合起来的有限长铁磁和反铁磁链组成的自旋系统。计算了系统的自旋波的波谱及其在微波场中的激发强度。在所得结果的基础上,讨论了具有反铁磁氧化层的铁磁薄膜的自旋波共振。阐明了等效地使用唯象普遍边界条件的可能性。根据理论,对等效的表面各向异性能作了估计,得到的数值与实验值很好地符合。
本文从描述光激射器工作的基本方程出发,讨论了光激射器光束线宽的“短期”(short-time)部分。通常都以下式描写这部分线宽:△vs=(8πhv(△v′)2)/P,(1)其中△v′是谐振腔电磁模的半宽度;v为光束频率;P为输出功率。我们的主要结论可以归结为以下三点:(1)线宽主要是由与电磁模耦合的耗散体系引起的,与分子耦合的耗散体系的贡献是可以忽略的;(2)在单模近似下,只要分子的线宽比电磁模的线宽大得多,则(1)式是正确的;(3)如果多模谐振腔中激发模与其他模之间的相互作用是强的,则式(1)将被推广为 △vs=(8πhv(△v′)2)/P+(4hv(△v′))/P somefromn=(λ′≠λ)(rλλ′2/(rλ′),(2) 其中rλλ′是相关弛豫系数;rλ′是模λ′的线宽。在某些情况下,式(2)中第二项可以比其第一项还大。所以,这可能是目前关于线宽的实验结果与由式(1)计算结果不相符合的原因之一。
本文从描述光激射器工作的基本方程出发,讨论了光激射器光束线宽的“短期”(short-time)部分。通常都以下式描写这部分线宽:△vs=(8πhv(△v′)2)/P,(1)其中△v′是谐振腔电磁模的半宽度;v为光束频率;P为输出功率。我们的主要结论可以归结为以下三点:(1)线宽主要是由与电磁模耦合的耗散体系引起的,与分子耦合的耗散体系的贡献是可以忽略的;(2)在单模近似下,只要分子的线宽比电磁模的线宽大得多,则(1)式是正确的;(3)如果多模谐振腔中激发模与其他模之间的相互作用是强的,则式(1)将被推广为 △vs=(8πhv(△v′)2)/P+(4hv(△v′))/P somefromn=(λ′≠λ)(rλλ′2/(rλ′),(2) 其中rλλ′是相关弛豫系数;rλ′是模λ′的线宽。在某些情况下,式(2)中第二项可以比其第一项还大。所以,这可能是目前关于线宽的实验结果与由式(1)计算结果不相符合的原因之一。
在具有交叉对称的李模型中,写出了非弹性振幅的积分方程组,它们是Omne氏型的。在已知弹性振幅时,这积分方程组是可解的。在适当地写出这方程组时,可证明非齐次项是小的(在某些区域内),因而使解也有取小值的可能。
在具有交叉对称的李模型中,写出了非弹性振幅的积分方程组,它们是Omne氏型的。在已知弹性振幅时,这积分方程组是可解的。在适当地写出这方程组时,可证明非齐次项是小的(在某些区域内),因而使解也有取小值的可能。
μ介子有反常作用,破坏了μ-e对称性。本文讨论了反常作用对弱作用过程的影响,分析了反常作用的电荷无关性和r5变换性质与μ蜕变弱作用常数的重正化之间的联系,证明了重正化后GV=G,GA=εG,ε=1+δ。利用这一结果,可以解释矢量流守恒假定下普适V-A费米弱作用理论在解释μ介子寿命时遇到的困难。从理论和实验的比较中定出δ=0.04,这是由μ蜕变定出的μ-e对称性的实验限度。
μ介子有反常作用,破坏了μ-e对称性。本文讨论了反常作用对弱作用过程的影响,分析了反常作用的电荷无关性和r5变换性质与μ蜕变弱作用常数的重正化之间的联系,证明了重正化后GV=G,GA=εG,ε=1+δ。利用这一结果,可以解释矢量流守恒假定下普适V-A费米弱作用理论在解释μ介子寿命时遇到的困难。从理论和实验的比较中定出δ=0.04,这是由μ蜕变定出的μ-e对称性的实验限度。
本文用羣论的方法提出一种推广的等效自旋哈密顿HSG,用它来描述晶体中过渡族离子的顺磁共振性质。HSG严格地考虑了空间和时间的对称性质。在一阶微扰计算的近似上,证明自旋空间的不可约张量组TLM(L=0,1,…,2S)可以完全描述基态有2S+1个能级的顺磁离子的行为。本文给出了某些常见点羣对称度的不可约张量的形式。这样求出的HSG和Koster-Statz矩阵完全等价。
本文用羣论的方法提出一种推广的等效自旋哈密顿HSG,用它来描述晶体中过渡族离子的顺磁共振性质。HSG严格地考虑了空间和时间的对称性质。在一阶微扰计算的近似上,证明自旋空间的不可约张量组TLM(L=0,1,…,2S)可以完全描述基态有2S+1个能级的顺磁离子的行为。本文给出了某些常见点羣对称度的不可约张量的形式。这样求出的HSG和Koster-Statz矩阵完全等价。
利用Spitzer的广义欧姆定律分析等离子体中由垂直于磁场的压强梯度所引起的宏观瞬变性质。在垂直于磁场方向的初始流动速度为零的条件下,得出在恒稳磁场中的瞬时扩散系数(当ωceτ?1)为 D= (2kmec2)/e2 T/(B2τ)+(kc)/eT/Be-me/(miτ)tsinωcit,式中τ为电子离子的平均碰撞时间间隔。
利用Spitzer的广义欧姆定律分析等离子体中由垂直于磁场的压强梯度所引起的宏观瞬变性质。在垂直于磁场方向的初始流动速度为零的条件下,得出在恒稳磁场中的瞬时扩散系数(当ωceτ?1)为 D= (2kmec2)/e2 T/(B2τ)+(kc)/eT/Be-me/(miτ)tsinωcit,式中τ为电子离子的平均碰撞时间间隔。
最近实验指出,在π-+p→K+K+n以及K-+p→K+K+A反应中,存在K-K的共振态,共振能量为1.02BeV。不少人对K-K共振态进行了分析,但并没得出一致的结论。本文从场论观点出发,在链式近似下,研究了有关K-K共振的一些问题,计算结果表明,在1.02BeV附近可能存在两个共振态,而1.02BeV的K-K共振对应T=0,JPG++态较为合理。
最近实验指出,在π-+p→K+K+n以及K-+p→K+K+A反应中,存在K-K的共振态,共振能量为1.02BeV。不少人对K-K共振态进行了分析,但并没得出一致的结论。本文从场论观点出发,在链式近似下,研究了有关K-K共振的一些问题,计算结果表明,在1.02BeV附近可能存在两个共振态,而1.02BeV的K-K共振对应T=0,JPG++态较为合理。
本文应用前文的结果,求得了光学成象的信息量的准确表式,并将信息量与光子的量子态、简并度等联系起来。在这个基础上,研究了光学系统的传递函数对信息量的影响与量子态在描述光信息传递问题上的应用,以及高简并度相干光源的信息量问题。
本文应用前文的结果,求得了光学成象的信息量的准确表式,并将信息量与光子的量子态、简并度等联系起来。在这个基础上,研究了光学系统的传递函数对信息量的影响与量子态在描述光信息传递问题上的应用,以及高简并度相干光源的信息量问题。
用Marx方法(频率为86kc/s及102kc/s)测量了区熔提纯钼单晶及工业纯钼多晶的内耗振幅依赖关系。钼单晶在2000℃氢气炉中退火后可测得Granato-Lücke型的内耗-振幅曲线。微量冷加工后内耗增大,并使内耗振幅曲线上出现转折平台(或称极大值),与铝在低温低振幅下测得的结果相似。根据位错蚀坑的观察结果,初步认为此转折平台的出现是与冷加工在晶体中产生的未被钉扎的新位错有关,并求得转折平台处内耗的增值与新位错密度成正比的关系。此外还做了温度和时效(200—300℃)对内耗振幅曲线的影响,随着温度的降低和时效时间的增长,内耗明显下降。以上的结果我们用推广的GL理论进行了讨论。测量了冷加工对工业纯钼多晶的内耗振幅曲线的影响,基本符合GL理论。
用Marx方法(频率为86kc/s及102kc/s)测量了区熔提纯钼单晶及工业纯钼多晶的内耗振幅依赖关系。钼单晶在2000℃氢气炉中退火后可测得Granato-Lücke型的内耗-振幅曲线。微量冷加工后内耗增大,并使内耗振幅曲线上出现转折平台(或称极大值),与铝在低温低振幅下测得的结果相似。根据位错蚀坑的观察结果,初步认为此转折平台的出现是与冷加工在晶体中产生的未被钉扎的新位错有关,并求得转折平台处内耗的增值与新位错密度成正比的关系。此外还做了温度和时效(200—300℃)对内耗振幅曲线的影响,随着温度的降低和时效时间的增长,内耗明显下降。以上的结果我们用推广的GL理论进行了讨论。测量了冷加工对工业纯钼多晶的内耗振幅曲线的影响,基本符合GL理论。
(CH2COOH)2NCH2COOAg属于单斜晶系,单位晶胞中包含有四个分子,晶胞周期为α=7.611?,b=4.984?,c=23.25?,β=104°52′。空间羣为P21/c(C2h5)。用柏特森及电子密度函数方法获得了原子坐标。键长C—C=1.51?,N—C=1.48?,C—O=1.28?及Ag—O=2.23—2.73?。指出了在分子之间具有较强的氢键O…O=2.54?。
(CH2COOH)2NCH2COOAg属于单斜晶系,单位晶胞中包含有四个分子,晶胞周期为α=7.611?,b=4.984?,c=23.25?,β=104°52′。空间羣为P21/c(C2h5)。用柏特森及电子密度函数方法获得了原子坐标。键长C—C=1.51?,N—C=1.48?,C—O=1.28?及Ag—O=2.23—2.73?。指出了在分子之间具有较强的氢键O…O=2.54?。
本文叙述了一个锗制的红外干涉仪,它可供在2—11微米的红外区域内测定有机液体色散曲线之用。用此干涉仪测量了液体苯及氯仿在2—6微米区域内的色散曲线,所得结果与前人数据相比,符合良好。
本文叙述了一个锗制的红外干涉仪,它可供在2—11微米的红外区域内测定有机液体色散曲线之用。用此干涉仪测量了液体苯及氯仿在2—6微米区域内的色散曲线,所得结果与前人数据相比,符合良好。