本文给出了各种表象的旋量球函数在局部坐标系中的表达式及其与固定坐标式的联系,并用此式讨论了光子、电子、双光子系波函数的各种性质。利用梯度算子及无穷小转动算子在局部系中的联系将旋量方程分离变量,得到了梯度公式。最后在局部系中探讨了散射问题,计算了γ跃迁的角向积分。

本文用Боголюбов‐Беляев理论讨论了轻核中(F19-Mg24)对偶力对转动惯量及奇偶质量差的影响。取平均对偶力强度G为GA～16—18MeV时(相应能隙△≈1.5MeV),可以很好地解释它们的转动惯量。我们估计了奇偶质量差,结果和实验相近,在轻核中它比能隙△要略大些,计算表明粒子数涨落△N～1—1.5。我们还讨论了理论中忽略的高级项的修正以及理论的主要困难。

本文对于应用四探针法测量矩形半导体电阻率问题进行理论分析,在同时考虑样品有限长、宽、厚三个几何尺寸对测量过程的影响的条件下导出修正函数的一般公式,并把根据这些公式计算的一些修正因子列成数据表。指出了为减小电阻率的测量误差,除了提高测量设备的精确度和改进测量技术外,正确的选择修正因子也是一个重要因素。

本文主要结果有三:第一,推导出基波激励和次谐波激励参量放大器的优值、功率增益、和通带等主要特性,并就这些特性对基波激励源的和次谐波激励源的参量放大器进行比较;第二,通过半导体二极管非线性电容的谐波分量的分析,在激励电压、偏压和放大器的特性间得出定量关系,并且对给定放大器特性求出激励源幅度和频率的稳定要求;第三,推导出放大器的有效噪声,并给出最低有效噪声的设计条件。以上特性的探讨和二极管损耗、信号迴路和镜象迴路通带比、匹配等因子结合在一起进行,使所得结果更具有实际意义。最后举出一数字例子,说明应用本文结果来设计参量放大器的一种可能步骤。

本文给出了带区近似下N-N散射振辐虚部的表示式。利用π-N低能散射的实验数据,计算了实验室动能为4BeV时带区4μ22内谱函数对N-N散射总截面的贡献。对质子-质子散射得到和实验比较符合的结果,但是在3—4BeV.之间,中子-质子散射的总截面比质子-质子散射的总截面大得多。可以认为,这个结果表示较远的谱函数也很重要。