本文对钇-镧石榴石型铁氧体系Y3(1-x)La3xFe5O12(其中x=0,0.05,0.10,O.20,0.30,0.50,0.75和1.00)的磁性和铁磁共振进行了研究。由X射线粉末照相分析和金相观察确定了石榴石转构的单相区域。测量了饱和磁矩σs、起始磁导率μ0、矫顽力Hc及有效g因子geff和共振线宽△H(3970和9160兆赫)与La含量x的关系。由磁性和铁磁共振的测量结果表明单相区城要比由X射线分析和金相观察的结果更窄一些。讨论了不同成分的σs的变化,μ0与磁化机构的关系。由geff与频率的关系计算出内场Hi和材料的内禀g因子。从磁的不均匀性的观点解释了实验上观测到的△H、Hi和Hc在一定成分范围内与x的指数式关系。
本文对钇-镧石榴石型铁氧体系Y3(1-x)La3xFe5O12(其中x=0,0.05,0.10,O.20,0.30,0.50,0.75和1.00)的磁性和铁磁共振进行了研究。由X射线粉末照相分析和金相观察确定了石榴石转构的单相区域。测量了饱和磁矩σs、起始磁导率μ0、矫顽力Hc及有效g因子geff和共振线宽△H(3970和9160兆赫)与La含量x的关系。由磁性和铁磁共振的测量结果表明单相区城要比由X射线分析和金相观察的结果更窄一些。讨论了不同成分的σs的变化,μ0与磁化机构的关系。由geff与频率的关系计算出内场Hi和材料的内禀g因子。从磁的不均匀性的观点解释了实验上观测到的△H、Hi和Hc在一定成分范围内与x的指数式关系。
本文叙述了新近建造的一台二米真空紫外光栅摄谱仪的构造、性能和得到的结果,仪器是法线入射式,入射角7.5°,记录波段为2100?—200?。平均色散率为8.7?/mm。应用低气压电容放电光源,获得强而清晰的线状谱,包括大量的高次离化谱线。我们辨认了这个光源发射的大部分谱线共554条。
本文叙述了新近建造的一台二米真空紫外光栅摄谱仪的构造、性能和得到的结果,仪器是法线入射式,入射角7.5°,记录波段为2100?—200?。平均色散率为8.7?/mm。应用低气压电容放电光源,获得强而清晰的线状谱,包括大量的高次离化谱线。我们辨认了这个光源发射的大部分谱线共554条。
这工作是对锗中杂质散射引起的隧道电流的理论分析。说明在高掺杂(~1019厘米-3时杂质散射隧道电流是重要的,可以与联系着声子的隧道电流比拟或更大。不同杂质的作用是不同的,AS和P比Sb的强。锗中杂质隧道过程主要是二级过程,由导带底穿入禁带的电子先被杂质场散射到对应于导带(0,0,0)谷的电子状态,然后,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。提出了这种过程的理论,得到杂质隧道电流的表达式,说明只有处在势垒区中一定区域(大致是20?左右厚度)中的杂质原子对这个过程有显著贡献。虽然导带底是各向异性的,但这过程的几率却几乎是各向同性的。在附录Ⅱ中还提供了一个在任意形式位垒下直接隧道过程的普遍理论。
这工作是对锗中杂质散射引起的隧道电流的理论分析。说明在高掺杂(~1019厘米-3时杂质散射隧道电流是重要的,可以与联系着声子的隧道电流比拟或更大。不同杂质的作用是不同的,AS和P比Sb的强。锗中杂质隧道过程主要是二级过程,由导带底穿入禁带的电子先被杂质场散射到对应于导带(0,0,0)谷的电子状态,然后,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。提出了这种过程的理论,得到杂质隧道电流的表达式,说明只有处在势垒区中一定区域(大致是20?左右厚度)中的杂质原子对这个过程有显著贡献。虽然导带底是各向异性的,但这过程的几率却几乎是各向同性的。在附录Ⅱ中还提供了一个在任意形式位垒下直接隧道过程的普遍理论。
本文是对锗中声子散时引起的隧道电流的理论分析。指出这过程主要是二级过程,由导带底进入禁带的电子,被声子散射到联系着导带(0,0,0)谷的状态,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。对这过程起主要作用的是在结势垒区中一定区域(大致是20?厚)的晶体原子振动。这过程的几率几乎是各向同性的。从对称性的一般考虑,说明锗中纵声学支格波对隧道过程的贡献是最强的。
本文是对锗中声子散时引起的隧道电流的理论分析。指出这过程主要是二级过程,由导带底进入禁带的电子,被声子散射到联系着导带(0,0,0)谷的状态,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。对这过程起主要作用的是在结势垒区中一定区域(大致是20?厚)的晶体原子振动。这过程的几率几乎是各向同性的。从对称性的一般考虑,说明锗中纵声学支格波对隧道过程的贡献是最强的。
本文介绍了中国科学院的一架高气压型质子静电加速器。这架加速器所加速的质子的最高能量为2.3兆电子伏,瞬间可达2.5兆电子伏。已经运转了四年多的时间。
本文介绍了中国科学院的一架高气压型质子静电加速器。这架加速器所加速的质子的最高能量为2.3兆电子伏,瞬间可达2.5兆电子伏。已经运转了四年多的时间。