本文用扩散型光学位阱对低能(中子2—4兆电子伏,质子3.5—7兆电子伏)非弹性散射角分布、激发函数和γ射线角分布进行了计算,目的是比较系统地定量检验Hauser-Feshbach理论。计算结果和实验符合得很好。说明H.F.理论中的基本出发点,即不同复合核态之间的干涉相消的假设,是近似成立的。在此基础上,我们进一步讨论了可以用H.F.公式来提供光学位阱参数与能级自旋宇称知识的可能性,后者具体应用至N14的高激发态,计算表明:N14的4.91兆电子伏和5.01兆电子伏能级的自旋分别为0和2,能级的自旋对截面的大小影响很显著,但宇称则几乎没有影响。同时我们也应用H.F.理论讨论了相邻奇-偶核和偶-偶核弹性散射的差异。最后,考虑到同位旋在轻核中是一个准守恆量,本文中研究了在复合核过程中同位旋守恆的可能性,给出了考虑同位旋守恆以后的H.F.公式。并对于N14(p,p′)N14*至第一激发态2.31兆电子伏(t=1),和第二激发态3.95兆电子伏(t=0)的非弹性散射角分布,分别在同位旋守恒和不守恒情况下进行了计算,结果表明,不守恒时的计算值和现有的实验非常接近,看来同位旋量子数在轻核的复合核反应中守恆性是很差的。

本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件下进行表面处理才能正确测量硅的体寿命。同时也表明了硅的电阻率对表面复合速度的影响。由实验数据证明,在10％的KOH水溶液中进行腐蚀,能够在硅表面上得到较低的复合速度。

本文描述了用量热法来测量场致发光的电功吸收。这个方法是根据了能量守恆原理,从而消除了测量中的谐波和频率的影响。从初步实验结果看出,测量误差在5mW以下时不大于5％。

本文对Sb2S3多晶薄膜光电导机构进行了实验研究,肯定了晶粒间层在其中起着主要作用。文中介绍了所做的几个实验,并进行了分析和讨论。

本文研究了热处理对PbS薄膜电导性及光电导性的影响,测定了薄膜的噪音频谱和信号噪音比与热处理温度的关系。对实验的分析结果表明,在所研究的薄膜中存在晶粒间层载流子势垒,它们对膜的电阻、光电导性及噪音有重要的作用。

本文计算了∑的四体衰变在∑的复合模型和通常的理论中的几率W奇和W偶,得到W奇比W偶约大50倍。W奇为的β衰变几率的2—3％。