本文讨论了如何用化学键概念来描述半导体性质,特别是迁移现象。为了方便我们具体针对Ⅲ-V族化合物,通过电子在键间的过渡机率来表述电流,并讨论了电子跃迁的两种机构。最后我们讨论了杂质散射,当把杂质原子对较远和近邻电子的作用区分开后,得到了两种散射机构,相应迁移率部分分别正比于T3/2及T-1/2。
本文讨论了如何用化学键概念来描述半导体性质,特别是迁移现象。为了方便我们具体针对Ⅲ-V族化合物,通过电子在键间的过渡机率来表述电流,并讨论了电子跃迁的两种机构。最后我们讨论了杂质散射,当把杂质原子对较远和近邻电子的作用区分开后,得到了两种散射机构,相应迁移率部分分别正比于T3/2及T-1/2。
用色散关系讨论了低能π-N散射振幅T+的部分、指出对P1/2波的散射,用CGLN公式计算的结果基本上即已符合实验,对于S波散射,用CGLN得的与实验值的符号都相反,且随q迅速增加而超过么正条件所允许的极限,经过分析指明不可能引入π-πS波作用来解决这个问题,而同时还能保持使P1/2波与实验相符,但从“减去”(subtraction)一次的S波色散关系出发,则由此修改后的CGLN公式计算的结果就基本上与实验相符,而π-π作用看来对它们只起着细致的调节作用。
用色散关系讨论了低能π-N散射振幅T+的部分、指出对P1/2波的散射,用CGLN公式计算的结果基本上即已符合实验,对于S波散射,用CGLN得的与实验值的符号都相反,且随q迅速增加而超过么正条件所允许的极限,经过分析指明不可能引入π-πS波作用来解决这个问题,而同时还能保持使P1/2波与实验相符,但从“减去”(subtraction)一次的S波色散关系出发,则由此修改后的CGLN公式计算的结果就基本上与实验相符,而π-π作用看来对它们只起着细致的调节作用。
在本文中,把在不均匀各向异性介质中的麦克斯韦方程看作算符,它定义在一个有界区域,可以被理解为微波技术中的谐振腔。但在这腔中充填着铁氧体,等离子体或其他各向异性介质,这些介质在应用中日益重要。文中证明了在某些μ、ε和边界条件下,算符成为对称。而对称性和自伴性在本征函数展开中带来很多方便;此外我们推导了本征振动的正变性和互易定理。如果不满足对称性,引入伴谐振腔的概念,所谓伴谐振腔在几何形状上和原来的腔相同,但ε、μ和边界条件不一样。它和自伴谐振腔在正交性和互易定理上有某些相似之处。
在本文中,把在不均匀各向异性介质中的麦克斯韦方程看作算符,它定义在一个有界区域,可以被理解为微波技术中的谐振腔。但在这腔中充填着铁氧体,等离子体或其他各向异性介质,这些介质在应用中日益重要。文中证明了在某些μ、ε和边界条件下,算符成为对称。而对称性和自伴性在本征函数展开中带来很多方便;此外我们推导了本征振动的正变性和互易定理。如果不满足对称性,引入伴谐振腔的概念,所谓伴谐振腔在几何形状上和原来的腔相同,但ε、μ和边界条件不一样。它和自伴谐振腔在正交性和互易定理上有某些相似之处。
本文提出一个方法,来推求在(3)式中所定义的、在全空间中的格林张量函数。它有时亦称为对应微分方程的基本解。这个方法是以富氏变换为基础。由于问题的复杂性,我们不得不作某些近似。首先,把各向异性介质分为两类,一类是磁迴旋介质,另一类是电迴旋介质。对于磁迴旋介质,如铁氧体,取μ为张量而ε为标量。而对电迴旋介质,如等离子体,取ε为张量而μ为标量。其次,由于矩阵μp非常小(在(15)式中定义),我们可以把解展为μp的冪级数,并计算出一级近似。具体结果在式(23)、(25)、(28)、(32)和(33)中表示。最后对Г函数的物理意义和它的渐近展开式的有效范围作了讨论。
本文提出一个方法,来推求在(3)式中所定义的、在全空间中的格林张量函数。它有时亦称为对应微分方程的基本解。这个方法是以富氏变换为基础。由于问题的复杂性,我们不得不作某些近似。首先,把各向异性介质分为两类,一类是磁迴旋介质,另一类是电迴旋介质。对于磁迴旋介质,如铁氧体,取μ为张量而ε为标量。而对电迴旋介质,如等离子体,取ε为张量而μ为标量。其次,由于矩阵μp非常小(在(15)式中定义),我们可以把解展为μp的冪级数,并计算出一级近似。具体结果在式(23)、(25)、(28)、(32)和(33)中表示。最后对Г函数的物理意义和它的渐近展开式的有效范围作了讨论。
在含有适当容量白炽灯的铁共振电路中,观察到闪动现象。本文对这种闪动现象给以解释,指出发生闪动现象的条件,并且给出了计算闪动周期的方法。实验数据和理论结果基本上相符。
在含有适当容量白炽灯的铁共振电路中,观察到闪动现象。本文对这种闪动现象给以解释,指出发生闪动现象的条件,并且给出了计算闪动周期的方法。实验数据和理论结果基本上相符。
本文论证了兼有轴对称和平面对称性质的磁场的模拟方法以及有关的电流注入问题。根据上述论证设计并制造了一架模拟机及相应的注入电流和测量电压等附属设备。模拟网络的中心部分为10×14单元,在z和γ方向上分别扩展到24和32单元。在该模拟机上模拟了某些理论上已有准确答案的磁场和线圈的电感,弄清了不同情况下模拟机可能产生的误差及其来源。经验证明模拟机的工作是稳定可靠的,它大大地节省了设针某些复杂磁场形态时所需的时间。
本文论证了兼有轴对称和平面对称性质的磁场的模拟方法以及有关的电流注入问题。根据上述论证设计并制造了一架模拟机及相应的注入电流和测量电压等附属设备。模拟网络的中心部分为10×14单元,在z和γ方向上分别扩展到24和32单元。在该模拟机上模拟了某些理论上已有准确答案的磁场和线圈的电感,弄清了不同情况下模拟机可能产生的误差及其来源。经验证明模拟机的工作是稳定可靠的,它大大地节省了设针某些复杂磁场形态时所需的时间。
本文研究了等时性迴旋加速器中,自由振荡对粒子线圈频率的影响。获得了粒子线圈频率与自由振荡振幅的依赖关系。对电子计算机计算结果的分析表明,这种不等时现象主要是由于沿径向增长的平均磁场作用引起的,而周期性调变磁场的影响可以被忽略。在本文中也指出了由于这一效应的存在,D盒间最低加速电压必需增加。
本文研究了等时性迴旋加速器中,自由振荡对粒子线圈频率的影响。获得了粒子线圈频率与自由振荡振幅的依赖关系。对电子计算机计算结果的分析表明,这种不等时现象主要是由于沿径向增长的平均磁场作用引起的,而周期性调变磁场的影响可以被忽略。在本文中也指出了由于这一效应的存在,D盒间最低加速电压必需增加。