本文根据空穴扩散促使有序化的观点导出决定恒温有序化几率的一个公式。这个公式中包括扩散系数,柯诺库夫温度及其他实验都可以直接测定的数量。引用了现有的这些数量的实验数据,证明所提出的有序化几率公式和实验结果是符合的。

本文探讨当一无限长黑圆柱放在一满足密恩问题中诸条件的无限介质中时,介质中的中子分布。计算采用球谐函数展开法,把中子分布函数对球谐函数展开,保留展开式的起首若干项,从而求得近似解。具体计算作到P5近似为止。表2及附图示各次近似中对於圆柱半径α的不同值求出的外推长度λ之值。作为长度单位的是中子在介质中的平均自由路程l。为比较起见,我们在图中也画出了达维逊(Davison)给出的曲线(曲线D)。他的曲线是根据α《1及α》1二极限情形下派耳斯(Peierls)积分方程的近似解,中间参照P3近似的结果画出的。由图可见,α大时P5近似的结果已很接近於曲线D,而在α=1附近,则曲线D似乎远应该略低一些,才更符合曲线P5的趋势(例如,像图中虚线所表示的那样)。

乾根—别卡曾经分析过原子晶体中的极化子问题。文中指出,其中弹性形变的考虑是不正确的,而且“绝热型”的极化子,在例如Ge,Si等原子晶体中存在的可能性是十分微小的。以微扰论为基础的计算证明,电子引起的局部体积变化发生在半径≈λ的范围内,λ是以声速运动的电子的德布罗意波长。局部体变的数值等於E/(α+4/3μ)(E为形变势常数,α和μ分别为体变和切变模量)。局部体变还在样品中引起一个均匀的形变,两者合起来使样品体积改变E/α。具体的分析证明,在类氢的杂质能级中的电子使样品体积产生同样的体积变化。这个效应是相当大的;例如,在Ge和Si这样的晶体中,效应甚至可以舆实验所观测到Ⅲ,Ⅴ族杂质原子的体积效应相比拟。导带中低速电子能量的改变约等於(电子质量/原胞质量)(E/(kΘD))E;在Ge晶体中,如果E=1—10电子伏,能量改变是0.001—0.1电子伏。相应的有效质量改变是1/1000—1/10电子质量。在类氢杂质能级中,电子能量改变远比上值为小;理论上电子—晶格互作用有着可能致使类氢能级自发电离。

浸没物镜系统包括了许多种用途很广的电子光学仪器。本文研究了具有平面阶极的复合浸没物镜(并考虑了阶极上磁场强度不为零的情形)。本文中推导了复合浸没物镜线性方程和横向像差方程,从而求出了总的三极横向像差和各个特殊形式的像差系数,最后将结果化成为简正形式。这样就可以严格地讨论复合浸没物镜的电子光学性质和像差。