戊种镭原质(RaE)所放出之β线穿过威尔圣成云箱之径迹(tracks),用照相机照下。因成云箱在磁场中,而磁力之方向又与β线所取之途径垂直,故由照片上所量出径迹之半径,ρ,可定β线之能力,盖磁场之强度,H,亦已知也。通常以Hρ代表能力大小之相当值。用戊种镭原质所摄之照片上量出10Oβ线径迹,其Hρ值皆在2000高斯-厘米(Gauss-cm.)以上。以各种Hρ值及在该值范围内所有径迹之数目作一曲线。将该曲线延长至与Hρ轴相交,其交点7500高斯——厘米,即为β线具有最大能力者之Hρ值。由β线能力大小之分配,用绘图方法得计算该线之平均能力,其值为4.01×10~5电子——伏特(electron—volts)。
戊种镭原质(RaE)所放出之β线穿过威尔圣成云箱之径迹(tracks),用照相机照下。因成云箱在磁场中,而磁力之方向又与β线所取之途径垂直,故由照片上所量出径迹之半径,ρ,可定β线之能力,盖磁场之强度,H,亦已知也。通常以Hρ代表能力大小之相当值。用戊种镭原质所摄之照片上量出10Oβ线径迹,其Hρ值皆在2000高斯-厘米(Gauss-cm.)以上。以各种Hρ值及在该值范围内所有径迹之数目作一曲线。将该曲线延长至与Hρ轴相交,其交点7500高斯——厘米,即为β线具有最大能力者之Hρ值。由β线能力大小之分配,用绘图方法得计算该线之平均能力,其值为4.01×10~5电子——伏特(electron—volts)。
本文从理论及实验方面讨论Ce~(+++)之最低能位问题。从CeCl_3及Ce_2(SO_4)_3溶液,除Freed氏已得之四吸收带外,在2105A处更薄现一阔而漫之吸收带。在红外方面,则直至9500A尚无吸收光线。因各种理由,似可证明Ce~(+++)之4f~2F—5d~2D线,与各紫外吸收无关而应在1至10μ间。
本文从理论及实验方面讨论Ce~(+++)之最低能位问题。从CeCl_3及Ce_2(SO_4)_3溶液,除Freed氏已得之四吸收带外,在2105A处更薄现一阔而漫之吸收带。在红外方面,则直至9500A尚无吸收光线。因各种理由,似可证明Ce~(+++)之4f~2F—5d~2D线,与各紫外吸收无关而应在1至10μ间。
本文於金硷属原子Stark效应之主要现象,及严锺二氏观察得在电场中Cs及Rb线系限附近之线之移动与电场所成之直线关系,m~2S—n~2S系线在σ偏极面之出现,及严翁二氏视察得Na之3~2S—n~2D线之分为n—2线等现象,从量子力学之微扰理论,加以讨论及解释。
本文於金硷属原子Stark效应之主要现象,及严锺二氏观察得在电场中Cs及Rb线系限附近之线之移动与电场所成之直线关系,m~2S—n~2S系线在σ偏极面之出现,及严翁二氏视察得Na之3~2S—n~2D线之分为n—2线等现象,从量子力学之微扰理论,加以讨论及解释。
水银分子在2482A.U.左右有组光带,是水银分子伊洪的还是水银分子的这问题,我们用光谱强度的测量法解决了。将供作光源的通电管内的电流或水银气压依次的改变,我们发现2482A.U.光带的强度的改变和旁的已知的分子光带绝然不同。那些不同之点,只要引用“分子伊洪是2482光带的原主”这说法,就都明白了我们更进一步问放出2482光带的是那个高能力阶位理论和实验的结果指示出一个在最低能力阶位的原子伊洪(Hg~+)和一个在3P_1能力阶位的原子所结合成的分子伊洪是能放2482光带的高能力阶位。
水银分子在2482A.U.左右有组光带,是水银分子伊洪的还是水银分子的这问题,我们用光谱强度的测量法解决了。将供作光源的通电管内的电流或水银气压依次的改变,我们发现2482A.U.光带的强度的改变和旁的已知的分子光带绝然不同。那些不同之点,只要引用“分子伊洪是2482光带的原主”这说法,就都明白了我们更进一步问放出2482光带的是那个高能力阶位理论和实验的结果指示出一个在最低能力阶位的原子伊洪(Hg~+)和一个在3P_1能力阶位的原子所结合成的分子伊洪是能放2482光带的高能力阶位。
本文根据波动力学计算H~-之吸收系数若H~-吸收较短於λ=17254A光线时,吾人应得一极宽连续光谱。依本文极简单计算,其系数大都在10~(-17)cm~2附近
本文根据波动力学计算H~-之吸收系数若H~-吸收较短於λ=17254A光线时,吾人应得一极宽连续光谱。依本文极简单计算,其系数大都在10~(-17)cm~2附近
代表过渡现象之算式,有一式可名曰单变函数,本文用二单变函数之较,以表骤上骤下之脉压;而按重叠原理;以研究此种电压在各电路上所发之脉流。茲所研究者,有十五不同之电路,计刮二十类三十六种。其间插有许多有趣之图示,所得各脉流之特性,以一有秩序之方法,皆用算式表出之。
代表过渡现象之算式,有一式可名曰单变函数,本文用二单变函数之较,以表骤上骤下之脉压;而按重叠原理;以研究此种电压在各电路上所发之脉流。茲所研究者,有十五不同之电路,计刮二十类三十六种。其间插有许多有趣之图示,所得各脉流之特性,以一有秩序之方法,皆用算式表出之。
此篇先推求收端加电阻时,低频滤波器瞬流之公式。依此公式算出之图与用阴极光示波器映出之曲线相符合。自推算之结果,可得下列结论:(一)在滤波器收端电阻渐加时,瞬流各项之挫率渐互异,其数量由低频项至隔阻频之项顺序渐减;其最小数仍比收端无电阻时之挫率(R/2L)为大。故瞬流终必变为隔阻频之电流;而较收端无电阻时易于消减。(二)当滤波器增加一段时,瞬流之项数亦加一。所加项之挫率皆比前有者为小。故少段滤波器之瞬流易于消减。(三)在隔阻频後瞬流之数量与在其前者相彷恒较隔阻频後之安定数量大数十倍,故滤波之特性仅能见之于安定状态。
此篇先推求收端加电阻时,低频滤波器瞬流之公式。依此公式算出之图与用阴极光示波器映出之曲线相符合。自推算之结果,可得下列结论:(一)在滤波器收端电阻渐加时,瞬流各项之挫率渐互异,其数量由低频项至隔阻频之项顺序渐减;其最小数仍比收端无电阻时之挫率(R/2L)为大。故瞬流终必变为隔阻频之电流;而较收端无电阻时易于消减。(二)当滤波器增加一段时,瞬流之项数亦加一。所加项之挫率皆比前有者为小。故少段滤波器之瞬流易于消减。(三)在隔阻频後瞬流之数量与在其前者相彷恒较隔阻频後之安定数量大数十倍,故滤波之特性仅能见之于安定状态。
应用斯密特之“摇动法,”测定北平邻近之泉水,如汤山温泉,温泉,玉泉山水及清华,燕京、协和医诸校内自流井所含之射气量。诸泉源或仅含镭射气,钍射气,或二种射气皆有之。民国二十一年与二十四年,曾测验诸泉水各一次,所含之射气量,绝少改变。
应用斯密特之“摇动法,”测定北平邻近之泉水,如汤山温泉,温泉,玉泉山水及清华,燕京、协和医诸校内自流井所含之射气量。诸泉源或仅含镭射气,钍射气,或二种射气皆有之。民国二十一年与二十四年,曾测验诸泉水各一次,所含之射气量,绝少改变。