n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响

卢鹏; 侯国付; 袁育杰; 杨瑞霞; 赵颖

doi:10.7498/aps.59.4330

摘要

采用射频化学气相沉积法,制备了一系列具有不同晶化率n型掺杂层的n-i-p结构微晶硅薄膜太阳电池.发现本征层的结构很大程度上依赖于n型掺杂层的结构，特别是n/i界面处的孵化层厚度以及本征层的晶化率.该系列太阳电池在100 mW/cm2的白光下照射400 h，实验结果证实了本征层晶化率最大（Xc(i)=65%）的电池性能表现出最低的光致衰退率.拥有非晶/微晶过渡区n型掺杂层的电池（本征层晶化率Xc(i)=54%）分别

关键词:

Abstract

A series of n-i-p microcrystalline silicon thin film solar cells with different values of crystalline volume fraction Xc of n-type layers are prepared by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition. It is found that the structure of intrinsic layer is strongly dependent on the structure of n-type layer, especially the incubation layer thickness at n/i interface and Xc of intrinsic layer. This series of solar cells were light-soaked under 100 mW/cm2 for 400 h. The experiment results demonstrate that the solar cell with the highest Xc of intrinsic layer (Xc(i)=65%) has the lowest light-induced degradation ratio. Then the solar cell with n-type layer deposited in an amorphous silicon/microcrystalline silicon transition region (Xc(i) =54%) is light-soaked under the irradiations of white light, red light and blue light with the same light intensities, separately. After 400 h light-soaking, the light degradation ratio is only 2% for the red light irradiation, while it is 8% for the blue light irradiation.

Keywords:

作者及机构信息

(1)河北工业大学信息工程学院，天津 300130; (2)南开大学光电子薄膜技术与器件研究所，天津 300071; (3)南开大学光电子薄膜技术与器件研究所，天津 300071；河北工业大学信息工程学院，天津 300130

基金项目: 国家重点基础研究发展计划（批准号：2006CB202602，2006CB202603）、科学技术部国际科技合作计划（批准号：2009DFA62580）、国家高技术研究发展计划（批准号：2009AA050602）和天津市国家科技计划配套基金（批准号：07QTPTJC29500）资助的课题.

Authors and contacts

(1)河北工业大学信息工程学院，天津 300130; (2)南开大学光电子薄膜技术与器件研究所，天津 300071; (3)南开大学光电子薄膜技术与器件研究所，天津 300071；河北工业大学信息工程学院，天津 300130

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